KR100499549B1

Photocatalytically-activated self-cleaning article and method of making same

Abstract

A method and an article obtained therefrom are disclosed for providing a substrate with a photocatalytically activating self-cleaning surface by forming a photocatalytically activating self-cleaning coating on the substrate by spray pyrolysis, chemical vapor deposition or magnetron sputtered vacuum deposition. The thickness of the coating is at least about 500 Angstroms to limit sodium ion poisoning to the portion of the coating facing the substrate. A sodium ion diffusion barrier layer is also deposited on the substrate prior to depositing the photocatalytically activated self-cleaning coating to prevent sodium ion poisoning of the photocatalytically activated self-cleaning coating. The substrate includes a glass substrate comprising flat glass and a continuous glass float ribbon.

KR100499549B1, drawing sheet 1
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Expired 14 September 2019, 7 years ago.

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54 claims: 5 independent, 49 dependent

  1. 1
    (a) 하나 이상의 표면을 가지며 나트륨을 함유하는 기판;(b) 화학 증착, 마그네트론 스퍼터링된 진공 침착 및 분무 열분해로 이루어진 그룹으로부터 선택된 방법으로 기판의 표면에 침착된 광촉매적 활성화 자가 세정 피복물;및 (c) (i) 상기 기판과 광촉매적 활성화 피복물 사이에 약 100Å 이상의 두께로 배치되어 기판으로부터 광촉매적 활성화 자가 세정 피복물로의 나트륨 이온 이동을 억제하는 나트륨 이온 확산 장벽층 및 (ii) 상기 광촉매적 활성화 자가 세정 피복물이, 기판 표면과 반대쪽의 광촉매적 활성화 자가 세정 피복물의 두께가 광촉매적 활성화 자가 세정 피복물 활성을 유지할 수 있도록, 기판의 온도가 나트륨 이온을 이동시키는 온도를 초과하는 시간동안 나트륨 이온이 상기 광촉매적 활성화 자가 세정 피복물의 전체 두께의 분율을 통해서만 이동할 수 있게 하는 최소 두께를 초과하는 두께를 갖는 전체 두께의 일정 분율의 광촉매적 활성화 자가 세정 피복물로부터 선택된 나트륨 이온 중독 방지층을 포함하는 광촉매적 활성화 자가 세정 제품.
  2. 2
    제 1 항에 있어서, 광촉매적 활성화 자가 세정 피복물이 산화티탄, 산화철, 산화은, 산화구리, 산화텅스텐, 산화알루미늄, 산화규소, 아연 스타네이트, 산화몰리브덴, 산화아연, 스트론튬 티타네이트 및 이들의 혼합물로 이루어진 그룹으로부터 선택된 금속 산화물을 포함하는 광촉매적 활성화 자가 세정 제품.
  3. 3
    제 2 항에 있어서, 광촉매적 활성화 자가 세정 피복물이 예추석 이산화티탄, 금홍석 이산화티탄, 브루카이트 산화티탄 및 이들의 혼합물로 이루어진 그룹으로부터 선택된 이산화티탄을 포함하는 광촉매적 활성화 자가 세정 제품.
  4. 4
    제 1 항에 있어서, 광촉매적 활성화 자가 세정 피복물의 두께가 약 200Å 이상인 광촉매적 활성화 자가 세정 제품.
  5. 5
    제 1 항에 있어서, 광촉매적 활성화 자가 세정 피복물의 두께가 약 400Å 이상인 광촉매적 활성화 자가 세정 제품.
  6. 6
    제 1 항에 있어서, 광촉매적 활성화 자가 세정 피복물의 두께가 약 500Å 이상인 광촉매적 활성화 자가 세정 제품.
  7. 7
    제 1 항에 있어서, 광촉매적 활성화 자가 세정 피복물이 2×10 -3 /cm·min 이상의 광촉매적 반응 속도를 갖는 광촉매적 활성화 자가 세정 제품.
  8. 8
    제 7 항에 있어서, 광촉매적 활성화 자가 세정 피복물의 광촉매적 반응 속도가 광촉매적 활성화 자가 세정 피복물에 침착된 100 내지 200Å의 두께 범위의 스테아르산 시험 필름의 제거 속도로서 측정되는데;이 때 상기 광촉매적 반응 속도는, 광촉매적 활성화 자가 세정 피복물에 배치되고 광촉매적 활성화 자가 세정 피복물의 표면에서 측정시 약 20W/m 2 의 강도를 갖는 자외선 공급원에 의해 제공된 약 300 내지 약 400nm의 범위내의 진동수의 자외선에 대한 광촉매적 자가 활성화 피복물의 누적 노출 시간에 대해 스테아르산 시험 필름의 탄소-수소 신장 진동 흡수대의 집적 강도의 다수의 퓨리에 변환 적외선 스펙트로포토미터 측정치를 플롯팅함으로써 형성된 곡선의 기울기로서 정량적으로 측정되는 광촉매적 활성화 자가 세정 제품.
  9. 9
    제 8 항에 있어서, 자외선 공급원이 흑색 광원 및 UVA-340 광원으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 광촉매적 활성화 자가 세정 제품.
  10. 10
    제 1 항에 있어서, 광촉매적 활성화 자가 세정 피복물이 기판에 직접 침착되는 광촉매적 활성화 자가 세정 제품.
  11. 11
    제 1 항에 있어서, 광촉매적 활성화 자가 세정 피복물과 기판 사이에 삽입된 하나 이상의 층을 추가로 포함하는 광촉매적 활성화 자가 세정 제품.
  12. 12
    제 1 항에 있어서, 광촉매적 활성화 자가 세정 피복물이 기판에 침착된 피복물을 다층 적층물의 하나의 층으로서 포함하고, 광촉매적 활성화 자가 세정 피복물이 다층 적층물의 최상층인 광촉매적 활성화 자가 세정 제품.
  13. 13
    제 1 항에 있어서, 광촉매적 활성화 자가 세정 피복물이 기판에 침착된 피복물을 다층 적층물 하나의 층으로서 포함하고, 광촉매적 활성화 자가 세정 피복물이 다층 적층물의 최상층과는 상이한 층인 광촉매적 활성화 자가 세정 제품.
  14. 14
    제 1 항에 있어서, 나트륨 이온 확산 장벽층이 화학 증착, 마그네트론 스퍼터링된 진공 침착 및 분무 열분해로 이루어진 그룹으로부터 선택된 방법으로 기판에 침착되는 광촉매적 활성화 자가 세정 제품.
  15. 15
    제 14 항에 있어서, 광촉매적 활성화 자가 세정 피복물이 CVD에 의해 소다 석회 실리카 유리로된 기판에 침착되는 이산화티탄이고, 광촉매적 활성화 자가 세정 피복물의 최소 두께가 충분한 부분의 광촉매적 활성화 자가 세정 피복물을 나트륨 이온 중독이 없는 상태 및 광촉매적 활성화 자가 세정 활성상태 유지시키는 두께인 250Å인 광촉매적 활성화 자가 세정 제품.
  16. 16
    제 15 항에 있어서, 광촉매적 활성화 자가 세정 피복물의 두께가 충분한 부분의 광촉매적 활성화 자가 세정 피복물을 나트륨 이온 중독이 없는 상태 및 광촉매적 활성화 자가 세정 활성상태를 유지시키는 약 400Å의 최소 두께를 갖는 광촉매적 활성화 자가 세정 제품.
  17. 17
    제 1 항에 있어서, 나트륨 이온 확산 장벽층이 결정성 금속 산화물, 무정형 금속 산화물 및 이들의 혼합물로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 광촉매적 활성화 자가 세정 제품.
  18. 18
    제 17 항에 있어서, 나트륨 이온 확산 장벽층이 산화주석, 산화규소, 산화티탄, 산화지르콘, 불소 도핑된 산화주석, 산화알루미늄, 산화마그네슘, 산화아연, 산화코발트, 산화크롬, 산화마그네슘, 산화철 및 이들의 혼합물로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 광촉매적 활성화 자가 세정 제품.
  19. 19
    제 18 항에 있어서, 나트륨 이온 확산 장벽층의 두께가 약 250Å 이상인 광촉매적 활성화 자가 세정 제품.
  20. 20
    제 18 항에 있어서, 나트륨 이온 확산 장벽층의 두께가 약 500Å 이상인 광촉매적 활성화 자가 세정 제품.
  21. 21
    제 1 항에 있어서, 기판이 유리, 플라스틱, 금속, 에나멜 및 이들의 혼합물로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 광촉매적 활성화 자가 세정 제품.
  22. 22
    제 1 항에 있어서, 기판이 제 1 주요 표면, 및 이에 대향하는 제 2 주요 표면을 갖는 유리 기판이고, 상기 제 1 주요 표면은 용융 주석 욕에서 유리 리본을 형성하는 특성을 나타내는 내부에 확산된 산화주석의 얇은 층을 갖고, 하나 이상의 주요 표면에 광촉매적 활성화 자가 세정 금속 산화물 피복물이 침착되어 있는 광촉매적 활성화 자가 세정 제품.
  23. 23
    제 22 항에 있어서, 광촉매적 활성화 자가 세정 피복물이 산화티탄, 산화철, 산화은, 산화구리, 산화텅스텐, 산화알루미늄, 산화규소, 아연 스타네이트, 산화몰리브덴, 산화아연, 스트론튬 티타네이트 및 이들의 혼합물로 이루어진 그룹으로부터 선택된 금속 산화물을 추가로 포함하는 광촉매적 활성화 자가 세정 제품.
  24. 24
    제 23 항에 있어서, 기판과 광촉매적 활성화 자가 세정 피복물 사이에 배치된 나트륨 이온 확산 장벽층을 추가로 포함하는 광촉매적 활성화 자가 세정 제품.
  25. 25
    제 24 항에 있어서, 나트륨 이온 확산 장벽층이 산화주석, 산화규소, 산화티탄, 산화지르콘, 불소 도핑된 산화주석, 산화알루미늄, 산화마그네슘, 산화아연, 산화코발트, 산화크롬, 산화마그네슘, 산화철 및 이들의 혼합물로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 광촉매적 활성화 자가 세정 제품.
  26. 26
    제 22 항에 있어서, 유리 기판이 판유리 및 연속 플로트 유리 리본으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 광촉매적 활성화 자가 세정 제품.
  27. 27
    유리 배치(batch) 물질을 노 속에서 용융시키는 단계;용융 유리를 용융 주석의 욕에 분배하는 단계;주석 욕을 가로질러 용융 유리를 견인시켜 유리를 사이징시키고 제어냉각시킴으로써 치수 안정성 유리 플로트 리본을 형성하는 단계;유리 플로트 리본을 주석 욕으로부터 제거하는 단계;레르(lehr)를 통해 롤러를 이송시켜 유리 플로트 리본을 이동시킴으로써 유리 플로트 리본을 어닐링(annealing)하는 단계;및 유리 플로트 리본을 이송 롤러 상의 절단 위치로 이동시켜 리본을 판유리로 절단하는 단계를 포함하는 유리 플로트 리본의 형성방법으로서, 유리 플로트 리본의 형성 시에 유리 플로트 리본이 약 400℃(752℉) 이상의 온도를 갖는 시점에서 분무 열분해 및 화학 증착으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 침착법에 의해 유리 플로트 리본의 표면에 광촉매적 활성화 자가 세정 피복물을 침착시킴을 특징으로 하는, 유리 플로트 리본의 형성방법.
  28. 28
    제 27 항에 있어서, 상기 유리 플로트 리본은 용융 주석 욕에서 유리 플로트 리본을 형성하는 특성을 나타내는 내부에 확산된 주석, 산화주석 및 이들의 혼합물로 이루어진 그룹으로부터 선택된 금속의 얇은 층을 갖는 제 1 주요 표면 및 이에 대향하는 제 2 주요 표면을 갖고;상기 광촉매적 활성화 자가 세정 피복물은 플로트 리본의 온도가 약 400℃(752℉) 이상의 온도를 갖는 시점에서 분무 열분해 피복 장치를 플로트 리본의 표면에 위치시킴으로써 상기 주요 표면 중의 하나 이상에 침착되고;상기 분무 열분해는 수성 매질 중의 금속 산화물 전구체 티타닐 아세틸락토네이트 및 습윤제의 수성 현탁액을 열분해 피복 장치를 통해 플로트 유리의 표면으로 향하게 함을 포함하고, 플로트 리본의 어닐링이 공기 속에서 수행되어 유리 플로트 리본에 이산화티탄 광촉매적 활성화 자가 세정 피복물을 생성하는, 유리 플로트 리본의 형성방법.
  29. 29
    제 27 항에 있어서, 상기 유리 플로트 리본은 용융 주석 욕에서 유리 플로트 리본을 형성하는 특성을 나타내는 내부에 확산된 주석, 산화주석 및 이들의 혼합물로 이루어진 그룹으로부터 선택된 금속의 얇은 층을 갖는 제 1 주요 표면 및 이에 대향하는 제 2 주요 표면을 갖고;상기 광촉매적 활성화 자가 세정 피복물은 플로트 리본의 제조시 플로트 리본의 온도가 약 400℃(752℉) 이상의 온도를 갖는 시점에서 화학 증착 피복 장치를 플로트 리본의 표면에 위치시킴으로써 상기 주요 표면 중의 하나 이상에 침착되고;상기 화학 증착은 캐리어 가스 스트림에서 티탄 테트라클로라이드, 티탄 테트라이소프로폭사이드 및 티탄 테트라에폭사이드로 이루어진 그룹으로부터 선택된 금속 산화물 전구체를 화학 증착 장치를 통해 플로트 리본의 표면 위로 향하게 하고 플로트 리본을 어닐링시켜 이산화티탄 광촉매적 활성화 자가 세정 피복물을 유리 플로트 리본에 생성함을 포함하는, 유리 플로트 리본의 형성방법.
  30. 30
    제 27 항에 있어서, 플로트 리본이 400℃(752℉) 이상의 온도를 갖는 시점에서 플로트 리본이 형성되는, 플로트 리본의 형성방법.
  31. 31
    제 27 항에 있어서, 플로트 리본의 표면에 나트륨 이온 확산 장벽층을 침착시키는 단계, 및 광촉매적 활성화 자가 세정 피복물을 나트륨 이온 확산 장벽층에 침착시키는 단계를 추가로 포함함을 특징으로 하는, 유리 플로트 리본의 형성방법.
  32. 32
    플로트 제조공정으로 하나 이상의 표면을 갖는 제품을 제공하는 단계;및 유리 플로트 리본이, 피복물이 결정성 상의 이산화티탄을 갖고 200Å 이상 1μ 미만(10 -6 M)의 두께를 가짐으로써 피복물이 약 2×10 -3 /cm·min 이상의 광촉매적 활성화 자가 세정 반응 속도를 갖도록 400℃(752℉) 이상의 온도를 갖는 유리 제조공정도중 제품의 표면에 광촉매적 활성화 자가 세정 피복물을, 화학 증착, 마그네트론 스퍼터링된 진공 침착 및 분무 열분해로 이루어진 그룹으로부터 선택된 방법으로 침착시키는 단계를 포함하는, 광촉매적 활성화 자가 세정 제품의 제조방법.
  33. 33
    제 32 항에 있어서, 제품이 판유리이고, 침착 단계가 판유리의 벤딩(bending) 및 템퍼링(tempering)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 판유리의 개질 공정 도중에 수행되는, 광촉매적 활성화 자가 세정 제품의 제조방법.
  34. 34
    제 32 항에 있어서, (i) 화학 증착, 마그네트론 스퍼터링된 진공 침착(MSVD) 및 분무 열분해로 이루어진 그룹으로부터 선택된 방법으로 표면에 침착시킨 약 100Å 이상의 두께를 갖는 나트륨 이온 확산 장벽층;및 (ii) 기판 표면과 반대쪽의 광촉매적 활성화 자가 세정 피복물의 두께가 광촉매적 활성화 자가 세정 피복물 활성을 유지할 수 있도록, 광촉매적 활성화 자가 세정 피복물이 최소 두께를 초과하는 두께를 갖는 전체 두께의 일정 분율의 광촉매적 활성화 자가 세정 피복물로부터 선택된 나트륨 이온 중독 방지층을 침착시키는 단계를 추가로 포함하며, 상기 최소 두께는 기판의 온도가 나트륨 이온을 이동시키고 광촉매적 활성화 자가 세정 피복물을 나트륨 이온 중독 방지층에 침착시키는 온도를 초과하는 시간동안 나트륨 이온이 광촉매적 활성화 자가 세정 피복물의 전체 두께의 분율을 통해서만 이동할 수 있게 하는 두께이고, 상기 나트륨 이온 확산 장벽층을, 제품의 표면으로부터 광촉매적 활성화 자가 세정 피복물로의 나트륨 이온의 이동을 억제하는 시점에서 나트륨 이온 중독 방지층에 침착시키는, 광촉매적 활성화 자가 세정 제품의 제조방법.
  35. 35
    제 34 항에 있어서, 나트륨 이온 확산 장벽층이 화학 증착, 분무 열분해 및 마그네트론 스퍼터링된 진공 침착으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 방법에 의해 침착되는 광촉매적 활성화 자가 세정 제품의 제조방법.
  36. 36
    제 35 항에 있어서, 나트륨 이온 확산 장벽층을 침착시키는 단계가 판유리의 벤딩 및 템퍼링으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 판유리의 개질 공정 도중에 수행되는 광촉매적 활성화 자가 세정 제품의 제조방법.
  37. 37
    제 32 항에 있어서, 광촉매적 활성화 자가 세정 피복물을 어닐링시켜 광촉매적 활성화 자가 세정 피복물의 광촉매적 반응 속도를 증가시키는 단계를 추가로 포함하는 광촉매적 활성화 자가 세정 제품의 제조방법.
  38. 38
    제 37 항에 있어서, 어닐링 단계가 광촉매적 활성화 자가 세정 피복물의 온도를 약 3분 이상동안 500℃로 상승시키고 광촉매적 활성화 자가 세정 피복물을 제어냉각시킴을 포함하는 광촉매적 활성화 자가 세정 제품의 제조방법.
  39. 39
    제 38 항에 있어서, 광촉매적 활성화 자가 세정 피복물이 약 2×10 -3 /cm·min 이상의 광촉매적 반응 속도를 갖는 광촉매적 활성화 자가 세정 제품의 제조방법.
  40. 40
    제 38 항에 있어서, 광촉매적 활성화 자가 세정 피복물의 광촉매적 반응 속도가 광촉매적 활성화 자가 세정 피복물에 침착된 100 내지 200Å의 두께 범위의 스테아르산 시험 필름의 제거 속도로서 측정되는데;이 때 상기 광촉매적 반응 속도는 광촉매적 활성화 자가 세정 피복물에 배치되고 광촉매적 활성화 자가 세정 피복물의 표면에서 측정시 약 20W/m 2 의 강도를 갖는 자외선 공급원에 의해 제공된 약 300 내지 약 400nm의 범위내의 진동수의 자외선에 대한 광촉매적 활성화 자가 세정 피복물의 누적 노출 시간에 대해 스테아르산 시험 필름의 탄소-수소 신장 진동 흡수대의 집적 강도의 다수의 퓨리에 변환 적외선 스펙트로포토미터 측정치를 플롯팅함으로써 형성된 곡선의 기울기로서 정량적으로 측정되는, 광촉매적 활성화 자가 세정 제품의 제조방법.
  41. 41
    제 29 항에 있어서, 금속 산화물 전구체를 삽입 피복층 없이 플로트 리본의 표면 위로 직접 향하게 하는 유리 플로트 리본의 형성방법.
  42. 42
    제 27 항에 있어서, 광촉매적 활성화 자가 세정 피복물이, 약 2×10 -3 /cm·min 이상의 반응 속도의 광촉매적 활성화 자가 세정 활성을 나타내는 예추석상, 금홍석상 및 브루카이트상 결정 형태의 이산화티탄, 및 브루카이트상 또는 무정형상 또는 이들 모두와 예추석 또는 금홍석상 또는 이들 모두의 조합 형태의 이산화티탄으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 이산화티탄의 결정성 형태인 유리 플로트 리본의 형성방법.
  43. 43
    제 28 항에 있어서, 금속 산화물 전구체를 삽입 피복층 없이 플로트 리본의 표면 위로 직접 향하게 하는 유리 플로트 리본의 형성방법.
  44. 44
    제 28 항에 있어서, 광촉매적 활성화 자가 세정 피복물이, 약 2×10 -3 /cm·min 이상의 반응 속도의 광촉매적 활성화 자가 세정 활성을 나타내는 예추석상, 금홍석상 및 브루카이트상 결정 형태의 이산화티탄, 및 브루카이트상 또는 무정형상 또는 이들 모두와 예추석상 또는 금홍석상 또는 이들 모두의 조합 형태의 이산화티탄으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 이산화티탄의 결정성 형태인 유리 플로트 리본의 형성방법.
  45. 45
    제 28 항에 있어서, 습윤제가 수성 현탁액의 약 0.01 내지 약 1중량%의 양으로 존재하는 음이온성, 양이온성 및 비이온성 습윤제로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 유리 플로트 리본의 형성방법.
  46. 46
    제 27 항에 있어서, 나트륨 이온 확산 장벽층을 플로트 리본의 표면에 침착시키는 단계;및 산화코발트, 산화크롬, 산화철, 산화주석, 산화티탄, 산화지르콘, 불소 도핑된 산화주석, 산화알루미늄, 산화마그네슘, 산화아연, 및 이들의 혼합물, 마그네슘/알루미늄 산화물 혼합물, 금속의 아연/주석 산화물 혼합물 및 초과산화물 또는 아산화물로 이루어진 그룹으로부터 선택된 무정형 또는 결정성 금속 산화물로부터 선택된 나트륨 이온 확산 장벽층에 광촉매적 활성화 자가 세정 피복물을 침착시키는 단계를 추가로 포함함을 특징으로 하는 유리 플로트 리본의 형성방법.
  47. 47
    제 46 항에 있어서, 나트륨 이온 확산 장벽층이 마그네슘/알루미늄 산화물 혼합물, 금속의 아연/주석 산화물 혼합물 및 초과산화물 또는 아산화물로 이루어진 그룹으로부터 선택된 금속 산화물로 구성되는 유리 플로트 리본의 형성방법.
  48. 48
    제 27 항에 있어서, 나트륨 이온 확산 장벽층을 플로트 리본의 표면에 침착시키는 단계, 및 산화규소이고 장벽층의 두께가 500Å 이상인 나트륨 이온 확산 장벽층에 광촉매적 활성화 자가 세정 피복물을 침착시키는 단계를 추가로 포함함을 특징으로 하는 유리 플로트 리본의 형성방법.
  49. 49
    유리 배치(batch) 물질을 노 속에서 용융시키는 단계;용융 유리를 용융 주석의 욕에 분배하는 단계;주석 욕을 가로질러 용융 유리를 견인시켜 유리를 사이징시키고 제어냉각시킴으로써 치수 안정성 유리 플로트 리본을 형성하는 단계;유리 플로트 리본을 주석 욕으로부터 제거하는 단계;레르를 통해 롤러를 이송시켜 플로트 리본을 이동시킴으로써 유리 플로트 리본을 어닐링시키는 단계;및 유리 플로트 리본을 리본이 판유리로 절단되는 이송 롤러 상의 절단 위치로 이동시키는 단계를 포함하는 유리 플로트 리본의 형성방법으로서, 유리 플로트 리본이 형성될 때, 광촉매적 활성화 자가 세정 피복물을 주요 표면 및 반대쪽 다른 주요 표면을 갖는 플로트 리본에 침착시키되, 주석 욕과 접촉하고 있는 주요 표면이, 광촉매적 활성화 자가 세정 피복물에 대해 나트륨 이온 장벽층을 형성하는 확산된 주석을 갖는 주요 표면 상에서 침착이 일어나도록 확산된 주석을 가짐을 특징으로 하는, 유리 플로트 리본의 형성방법.
  50. 50
    제 32 항에 있어서, 화학 증착 공정이, 티탄 전구체의 충분한 분해를 제공하는 약 400℃(752℉)의 제품의 최소 온도를 갖는 광촉매적 활성화 자가 세정 제품의 제조방법.
  51. 51
    제 32 항에 있어서, 분무 열분해 방법에 의해 비교적 수 불용성인 오가노금속 반응물 및 금속 아세틸아세토네이트 화합물로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 금속 함유 전구체를 제공하고, 금속 함유 전구체가 약 10μ(10 -6 M)미만의 입자 크기로 제트 밀링되거나 습식 분쇄되고 화학 습윤제를 사용함으로써 수성 매질 속에서 현탁되고 제품의 최소 온도가 티탄 전구체의 충분한 분해를 제공하는 약 400℃(752℉)인 광촉매적 활성화 자가 세정 제품의 제조방법.
  52. 52
    제 32 항에 있어서, 광촉매적 활성화 자가 세정 피복물이, 나트륨 이온 중독이 없고 이의 활성을 유지하는 충분한 부분의 피복물을 허용하는 약 250Å의 최소 두께를 갖는 광촉매적 활성화 자가 세정 제품의 제조방법.
  53. 53
    제 1 항에 있어서, 100Å 내지 2500Å의 두께를 갖는 광촉매적 활성화 자가 세정 제품.
  54. 54
    플로트 제조 공정으로 하나 이상의 표면을 갖는 유리 제품을 제공하는 단계;(i) 화학 증착, 마그네트론 스퍼터링된 진공 침착(MSVD) 및 분무 열분해로 이루어진 그룹으로부터 선택된 방법에 의해 표면에 침착된 약 100Å 이상의 두께를 갖는 나트륨 이온 확산 장벽층;(ii) 광촉매적 활성화 자가 세정 피복물이, 기판 표면과 반대쪽의 광촉매적 활성화 자가 세정 피복물의 두께가 광촉매적 활성화 자가 세정 피복물 활성을 유지할 수 있도록, 기판의 온도가 나트륨 이온을 이동시키고 광촉매적 활성화 자가 세정 피복물을 나트륨 이온 중독 방지층에 침착시키는 온도를 초과하는 시간동안 나트륨 이온이 광촉매적 활성화 자가 세정 피복물의 전체 두께의 분율을 통해서만 이동할 수 있게 하는 최소 두께를 초과하는 두께를 갖는 전체 두께의 일정 분율의 광촉매적 활성화 자가 세정 피복물로부터 선택된 나트륨 이온 중독 방지층을 침착시키되, 상기 나트륨 이온 확산 장벽층을, 제품의 표면으로부터 광촉매적 활성화 자가 세정 피복물로의 나트륨 이온의 이동을 억제하는 시점에서 나트륨 이온 중독 방지층에 침착시키는 단계;및 기판 상의 MSVD 스퍼터링된 피복물이 약 5 내지 10mtorr(0.67 내지 1.33Pa)의 압력에서 약 5 내지 50%의 산소를 갖는 아르곤/산소 분위기에서 스퍼터링된 금속의 표적으로부터의 침착도중 결정화하여 200Å 이상 1μ(10 -6 M)의 범위의 두께를 갖는 결정성 상의 이산화티탄을 갖는 피복물을 침착시킴으로써 피복물이 약 2×10 -3 /cm·min 이상의 광촉매적 활성화 자가 세정 반응 속도를 갖게 되도록 400℃(752℉) 내지 약 600℃(1112℉)의 범위의 온도에서 제품을 가열함을 포함하는 MSVD 방법에 의해 제품의 표면에 광촉매적 활성화 자가 세정 피복물을 침착시키는 단계를 포함하는, 광촉매적 활성화 자가 세정 제품의 제조방법.
Independent claims54