JPH1053437A

Coating with amorphous type titanium peroxide

Abstract

[Task] Even if the surface of the substrate is water-repellent or thermoplastic, it is not necessary to perform hydrophilic treatment with a surfactant or the like, and a coating material in which the thermoplasticity of the substrate is not limited is provided. To provide a film-forming method in which a thin layer of a photocatalytic semiconductor or a dielectric / conductive ceramic material can be easily formed and its thickness can be easily controlled, and the photocatalytic semiconductor or the like is not buried by a binder.

Solution.Viscous amorphous titanium peroxide or the like is fixed to the substrate and used as a binder layer, and fine particles of photocatalytic semiconductor, dielectric ceramics or conductive ceramics are uniformly scattered in the gas to the amorphous titanium peroxide layer. By adhering, a viscous amorphous titanium peroxide or the like is fixed to the substrate and heated and fired to obtain a titanium oxide layer having photocatalytic activity.

JPH1053437A, drawing sheet 1
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11 claims: 7 independent, 4 dependent

  1. 1
    【特許請求の範囲】 【請求項1】 基体にアモルファス型過酸化チタン層を固定する方法であって、アモルファス型過酸化チタンゾルをコーティングし、その後常温~250°C未満で乾燥・焼成することを特徴とする基板にアモルファス型過酸化チタン層を固定する方法。
  2. 2
    【請求項2】 基体にアモルファス型過酸化チタン層を固定する方法であって、界面活性剤等を使用する基体表面の親水性処理を行うことなく、粘稠性アモルファス型過酸化チタンをコーティングし、その後常温~250°C未満で乾燥・焼成することを特徴とする基板にアモルファス型過酸化チタン層を固定する方法。
  3. 3
    【請求項3】 請求項1又は請求項2記載の方法により作られるアモルファス型過酸化チタン層を有する基板。
  4. 4
    【請求項4】 基体に酸化チタン層を固定する方法であって、アモルファス型過酸化チタンゾルをコーティングし、その後250°C以上で焼成することを特徴とする基板に酸化チタン層を固定する方法。
  5. 5
    【請求項5】 基体に酸化チタン層を固定する方法であって、界面活性剤等を使用する基体表面の親水性処理を行うことなく、粘稠性アモルファス型過酸化チタンをコーティングし、その後250°C以上で焼成することを特徴とする基板に酸化チタン層を固定する方法。
  6. 6
    【請求項6】 請求項4又は請求項5記載の方法により作られる酸化チタン層を有する基板。
  7. 7
    【請求項7】 基体に、アモルファス型過酸化チタンゾルをコーティングし、アモルファス型過酸化チタン層を形成し、該アモルファス型過酸化チタン層が付着性を有している間に、光触媒半導体、誘電体セラミックス又は導電体セラミックスの微粒子を、気体中均一散乱状態で該アモルファス型過酸化チタン層に付着させることを特徴とする光触媒半導体、誘電体セラミックス又は導電体セラミックスの薄層を固定する方法。
  8. 8
    【請求項8】 基体に、界面活性剤等を使用する基体表面の親水性処理を行うことなく、粘稠性アモルファス型過酸化チタンをコーティングし、アモルファス型過酸化チタン層を形成し、該アモルファス型過酸化チタン層が付着性を有している間に、光触媒半導体、誘電体セラミックス又は導電体セラミックスの微粒子を、気体中均一散乱状態で該アモルファス型過酸化チタン層に付着させることを特徴とする光触媒半導体、誘電体セラミックス又は導電体セラミックスの薄層を固定する方法。
  9. 9
    【請求項9】 請求項7又は請求項8記載の方法により作られる、基体と、該基体上に形成されるアモルファス型過酸化チタン層と、該アモルファス型過酸化チタン層上に形成される光触媒半導体、誘電体セラミックス又は導電体セラミックスの薄層とからなる基板。
  10. 10
    【請求項10】 四塩化チタン溶液と水酸化アンモニウム溶液とをpH2~6の酸性領域で反応させた後、沈降する淡青味白色のオルトチタン酸水和物に過酸化水素水を加え、低温下撹拌しながら反応せしめた後、常温で養生することを特徴とする粘稠性アモルファス型過酸化チタンの製造法。
  11. 11
    【請求項11】 請求項10記載の方法で製造された粘稠性アモルファス型過酸化チタン。
Independent claims11