WO9805589A1

Method for coating amorphous titanium peroxide

Abstract

Fixation of a viscous amorphous titanium peroxide to a substrate for use as a binder layer can dispense with hydrophilic treatment with a surfactant or the like even when the substrate has a water-repellent surface or is thermoplastic. Deposition of fine particles of a photocatalytic semiconductor, a dielectric ceramic, or a conductive ceramic in a state of homogeneous scattering in air onto the viscous amorphous titanium peroxide layer as the binder layer can facilitate the formation of a thin layer of a photocatalytic semiconductor or a dielectric or conductive ceramic material. Alternatively, the viscous amorphous titanium peroxide may be fixed to the substrate and then fired to form a titanium oxide layer having a photocatalytic activity.

WO9805589A1, drawing sheet 1
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11 claims: 8 independent, 3 dependent

  1. 1
    請求の範囲 1 . 基体にアモルファス型過酸化チタン層を固定する方法であって、 アモルファス型過酸化チタンゾルをコ一ティングし、 その後常温〜 2 5 0 で未満で乾燥 ·焼成することを特徴とする基板にアモルファス型過酸化チ タン層を固定する方法。
  2. 2
    基体にアモルファス型過酸化チタン層を固定する方法であって、 界面活性剤等を使用する基体表面の親水性処理を行うことなく、 粘稠性ァ モルファス型過酸化チタンをコ一ティングし、 その後常温〜 2 5 0で未満 で乾燥 ·焼成することを特徴とする基板にアモルファス型過酸化チタン層 を固定する方法。
  3. 3
    請求項 1又は請求項 2記載の方法により作られるアモルファス 型過酸化チタン層を有する基板。
  4. 4
    基体に酸化チタン層を固定する方法であって、 アモルファス型 過酸化チタンゾルをコ一ティングし、 その後 2 5 O :以上で焼成すること を特徴とする基板に酸化チタン層を固定する方法。
  5. 5
    基体に酸化チタン層を固定する方法であって、 界面活性剤等を 使用する基体表面の親水性処理を行うことなく、 粘稠性アモルファス型過 酸化チタンをコ一ティングし、 その後 2 5 0で以上で焼成することを特徴 とする基板に酸化チタン層を固定する方法。
  6. 6
    請求項 4又は請求項 5記載の方法により作られる酸化チタン層 を有する基板。
  7. 7
    基体に、 アモルファス型過酸化チタンゾルをコーティングし、 アモルファス型過酸化チタン層を形成し、 該アモルファス型過酸化チタン 層が付着性を有している間に、 光触媒半導体、 誘電体セラミックス又は導 電体セラミックスの微粒子を、 気体中均一散乱状態で該アモルファス型過 酸化チタン層に付着させることを特徴とする光触媒半導体、 誘電体セラミ ックス又は導電体セラミックスの薄層を固定する方法。
  8. 8
    基体に、 界面活性剤等を使用する基体表面の親水性処理を行う ことなく、 粘稠性アモルファス型過酸化チタンをコーティングし、 ァモル ファス型過酸化チタン層を形成し、 該アモルファス型過酸化チタン層が付 着性を有している間に、 光触媒半導体、 誘電体セラミックス又は導電体セ ラミックスの微粒子を、 気体中均一散乱状態で該アモルファス型過酸化チ タン層に付着させることを特徴とする光触媒半導体、 誘電体セラミックス 又は導電体セラミックスの薄層を固定する方法。
  9. 9
    請求項 7又は請求項 8記載の方法により作られる、 基体と、 該 基体上に形成されるアモルファス型過酸化チタン層と、 該アモルファス型 過酸化チタン層上に形成される光触媒半導体、 誘電体セラミックス又は導 電体セラミックスの薄層とからなる基板。
  10. 10
    1 0 . 四塩化チタン溶液と水酸化アンモニゥム溶液とを p H 2〜6 の酸性領域で反応させた後、 沈降する淡青味白色のオルトチタン酸水和物 に過酸化水素水を加え、 低温下攪拌しながら反応せしめた後、 常温で養生 することを特徴とする粘稠性アモルファス型過酸化チタンの製造法。
  11. 11
    1 1 . 請求項 1 0記載の方法で製造された粘稠性アモルファス型過 酸化チタン。
Independent claims11