JP3863599B2

Method for coating amorphous titanium peroxide

Abstract

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JP3863599B2, drawing sheet 1
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Expired 6 August 2016, 10.1 years ago.

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9 claims: 8 independent, 1 dependent

  1. 1
    基体にアモルファス型過酸化チタン層を固定する方法であって、 四塩化チタン溶液と水酸化アンモニウム溶液とをpH2~6の酸性領域で反応させた後、沈降する淡青味白色のオルトチタン酸水和物に過酸化水素水を加え、15°C以下で撹拌しながら反応せしめた後、常温で養生して得られる粘稠性アモルファス型過酸化チタン をコーティングし、その後常温~250°C未満で乾燥・焼成することを特徴とする基板にアモルファス型過酸化チタン層を固定する方法。
  2. 2
    基体にアモルファス型過酸化チタン層を固定する方法であって、界面活性剤等を使用する基体表面の親水性処理を行うことなく、 四塩化チタン溶液と水酸化アンモニウム溶液とをpH2~6の酸性領域で反応させた後、沈降する淡青味白色のオルトチタン酸水和物に過酸化水素水を加え、15°C以下で撹拌しながら反応せしめた後、常温で養生して得られる 粘稠性アモルファス型過酸化チタンをコーティングし、その後常温~250°C未満で乾燥・焼成することを特徴とする基板にアモルファス型過酸化チタン層を固定する方法。
  3. 3
    基体に酸化チタン層を固定する方法であって、 四塩化チタン溶液と水酸化アンモニウム溶液とをpH2~6の酸性領域で反応させた後、沈降する淡青味白色のオルトチタン酸水和物に過酸化水素水を加え、15°C以下で撹拌しながら反応せしめた後、常温で養生して得られる粘稠性アモルファス型過酸化チタン をコーティングし、その後250°C以上で焼成することを特徴とする基板に酸化チタン層を固定する方法。
  4. 4
    基体に酸化チタン層を固定する方法であって、界面活性剤等を使用する基体表面の親水性処理を行うことなく、 四塩化チタン溶液と水酸化アンモニウム溶液とをpH2~6の酸性領域で反応させた後、沈降する淡青味白色のオルトチタン酸水和物に過酸化水素水を加え、15°C以下で撹拌しながら反応せしめた後、常温で養生して得られる 粘稠性アモルファス型過酸化チタンをコーティングし、その後250°C以上で焼成することを特徴とする基板に酸化チタン層を固定する方法。
  5. 5
    基体に、アモルファス型過酸化チタンゾルをコーティングし、アモルファス型過酸化チタン層を形成し、該アモルファス型過酸化チタン層が付着性を有している間に、光触媒半導体、誘電体セラミックス又は導電体セラミックスの微粒子を、気体中均一散乱状態で該アモルファス型過酸化チタン層に付着させることを特徴とする光触媒半導体、誘電体セラミックス又は導電体セラミックスの薄層を固定する方法。
  6. 6
    基体に、界面活性剤等を使用する基体表面の親水性処理を行うことなく、粘稠性アモルファス型過酸化チタンをコーティングし、アモルファス型過酸化チタン層を形成し、該アモルファス型過酸化チタン層が付着性を有している間に、光触媒半導体、誘電体セラミックス又は導電体セラミックスの微粒子を、気体中均一散乱状態で該アモルファス型過酸化チタン層に付着させることを特徴とする光触媒半導体、誘電体セラミックス又は導電体セラミックスの薄層を固定する方法。
  7. 7
    請求項 5 又は請求項 6 記載の方法により作られる、基体と、該基体上に形成されるアモルファス型過酸化チタン層と、該アモルファス型過酸化チタン層上に形成される光触媒半導体、誘電体セラミックス又は導電体セラミックスの薄層とからなる基板。
  8. 8
    四塩化チタン溶液と水酸化アンモニウム溶液とをpH2~6の酸性領域で反応させた後、沈降する淡青味白色のオルトチタン酸水和物に過酸化水素水を加え、 15°C以下で 撹拌しながら反応せしめた後、常温で養生することを特徴とする粘稠性アモルファス型過酸化チタンの製造法。
  9. 9
    請求項 8 記載の方法で製造された粘稠性アモルファス型過酸化チタン。
Independent claims9