KR100356933B1

Method for fixing an amorphous type titanium peroxide layer on a substrate and method for preparing a viscous amorphous type titanium peroxide

Abstract

Fixing the viscous amorphous titanium peroxide to the substrate for use as a binder layer can eliminate the need for hydrophilization treatment with a surfactant or the like, even if the substrate has a water-repellent surface or is thermoplastic. Adhering fine particles of a photocatalytic semiconductor, dielectric ceramic material or conductive ceramic material to the viscous amorphous titanium peroxide layer as a binder layer in a uniformly dispersed state in the air can facilitate the formation of a thin layer of the photocatalytic semiconductor, dielectric or conductive ceramic material. have. In addition, the viscous amorphous titanium peroxide is fixed to the gas to form a titanium oxide layer having a photocatalytic function.

KR100356933B1, drawing sheet 1
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Expired 6 April 2018, 8.5 years ago.

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11 claims: 7 independent, 4 dependent

  1. 1
    기체 (基體) 를 무정형 과산화티탄 졸로 코팅한 후, 코팅된 기체를 상온 내지 250 ℃ 미만의 온도에서 건조 및 소성하는 단계들을 포함하는, 무정형 과산화티탄 층을 기체에 고정시키는 방법.
  2. 2
    기체 표면을 계면활성제 등으로 친수성화 처리하지 않고, 기체를 점조성 무정형 과산화티탄으로 코팅한 후, 코팅된 기체를 상온 내지 250 ℃ 미만의 온도에서 건조, 소성하는 단계들을 포함하는, 무정형 과산화티탄 층을 기체에 고정시키는 방법.
  3. 3
    제 1 항 또는 제 2 항에 기재된 방법에 의해 얻어진 무정형 과산화티탄 층을 가진 기판.
  4. 4
    기체를 무정형 과산화티탄 졸로 코팅한 후, 코팅된 기체를 250 ℃ 이상의 온도에서 건조, 소성하는 단계들을 포함하는, 산화티탄 층을 기체에 고정시키는 방법.
  5. 5
    기체 표면을 계면활성제 등으로 친수성화 처리하지 않고, 기체를 점조성 무정형 과산화티탄으로 코팅한 후, 코팅된 기체를 250 ℃ 이상의 온도에서 건조, 소성하는 단계들을 포함하는, 산화티탄 층을 기체에 고정시키는 방법.
  6. 6
    제 4 항 또는 제 5 항에 기재된 방법에 의해 얻어진 산화티탄 층을 가진 기판.
  7. 7
    기체를 무정형 과산화티탄 졸로 코팅하여 무정형 과산화티탄 층을 형성시킨 후, 무정형 과산화티탄 층이 부착성을 지니고 있는 동안, 가스 중 균일하게 산란된 상태의, 광촉매 반도체, 유전체 세라믹 물질 또는 전도체 세라믹 물질의 미립자를 무정형 과산화티탄 층에 붙이는 단계들을 포함하는, 광촉매 반도체, 유전체 세라믹 물질 또는 전도체 세라믹 물질의 박층을 기체에 고정시키는 방법.
  8. 8
    기체 표면을 계면활성제 등으로 친수성화 처리하지 않고, 기체를 점조성 무정형 과산화티탄으로 코팅하여 무정형 과산화티탄 층을 형성시킨 후, 무정형 과산화티탄 층이 부착성을 지니고 있는 동안, 가스 중 균일하게 산란된 상태의 광촉매 반도체, 유전체 세라믹 물질 또는 전도체 세라믹 물질의 미립자를 무정형 과산화티탄 층에 붙이는 단계들을 포함하는, 광촉매 반도체, 유전체 세라믹 물질 또는 전도체 세라믹 물질의 박층을 기체에 고정시키는 방법.
  9. 9
    제 7 항 또는 제 8 항에 기재된 방법에 의해 얻어진, 기체, 기체에 형성된 무정형 과산화티탄 층, 및 무정형 과산화티탄 층에 형성된 광촉매 반도체, 유전체 세라믹 물질 또는 전도체 세라믹 물질의 박층을 함유하는 기판.
  10. 10
    사염화티탄 용액을 pH 2 내지 6 의 산성 영역에서 수산화암모늄 용액과 반응시키고, 수성 과산화수소를 침강된 밝은 청백색 오르토티탄산 수화물에 첨가하고, 저온에서 교반하며 반응을 진행시킨 후, 상온에서 경화시키는 단계들을 포함하는 점조성 무정형 과산화티탄의 제조 방법.
  11. 11
    제 10 항에 기재된 방법에 의해 제조된 점조성 무정형 과산화티탄.
Independent claims11