Nova Patents
PL167110B1

Method for making evaporated reagents for chemical deposition of vapours

Abstract

Vaporized reactants, useful for chemical vapor deposition of a coating on the surface of a hot substrate, are prepared by initially heating a liquid coating precursor, injecting the liquid coating precursor into a vaporization chamber, simultaneously admitting a blend gas into the vaporization chamber, heating the liquid and blend gas to cause the liquid to vaporize at a temperature below its standard vaporization temperature, and thoroughly mixing the coating precursor vapor and blend gas, to produce a stream of vaporized reactant for pyrolytic decomposition at the surface of the hot substrate. A horizontal thin film evaporator provides a particularly suitable vaporization chamber for the present process.

PL167110B1, drawing sheet 1
Sheet 1 of 1

Term

Term ended

Expired 17 October 2005, 20.9 years ago.

  1. Priority
  2. Filed
  3. Granted
  4. Expired
  5. Today

23 claims: 17 independent, 6 dependent

  1. 1
    A method of producing vaporized chemical vapor deposition reagents which comprises providing a coating precursor at a temperature above its melting point but well below its standard evaporation temperature whereby the coating precursor is in the form of a liquid, characterized in that A) is simultaneously and continuously carried out the steps of i) injecting a liquid coating precursor into a vaporization chamber defined in part by at least one circumferential wall, wherein the liquid coating precursor produces vapors, ii) supplying the vaporization chamber of the gaseous mixture in an amount sufficient to increase the mass transfer of the coating precursor vapors and thereby induce accelerated vaporization of the liquid coating precursor;comprising separating the liquid precursor as a thin film along the wall of the chamber, whereby the liquid coating precursor evaporates completely at a temperature below its standard evaporation temperature, yielding a vaporized precursor stream having a high and uniform precursor concentration;and B) the reaction gas stream is transferred out of the vaporization chamber. 1. Sposób wytwarzania odparowanych reagentów do chemicznego osadzania par obejmujący dostarczenie prekursora powłoki w temperaturze wyższej od jego temperatury topnienia, ale znacznie niższej od jego standardowej temperatury odparowywania, dzięki czemu prekursor powłoki jest w postaci cieczy, znamienny tym, że A)jednocześnie i w sposób ciągły przeprowadza się etapy i) wtryskiwania ciekłego prekursora powłoki do komory odparowywania, określonej w części co najmniej jedną ścianą obwodową, w której ciekły prekursor powłoki wytwarza pary, ii) doprowadzenia do komory odparowywania mieszanki gazowej w ilości wystarczającej do podwyższenia przenoszenia masy par prekursora powłoki i w ten sposób wywołania, przyspieszonego odparowania ciekłego prekursora powłoki, iii) mieszania ciekłego prekursora powłoki, par prekursora powłoki i mieszanki gazowej, obejmującego rozdzielanie ciekłego prekursora jako cienkiego filmu wzdłuż ściany komory, dzięki czemu ciekły prekursor powłoki odparowuje całkowicie w temperaturze poniżej jego standardowej temperatury parowania, dając strumień odparowanego prekursora mający wysokie i równomierne stężenie prekursora i B) przenosi się strumień gazu reakcyjnego poza komorę odparowywania.
  2. 5
    The method according to p. The process of any of the preceding claims, wherein the gas mixture is heated to approximately the temperature of the vaporization chamber prior to injection of the gas mixture into the chamber. 5. Sposób według zastrz. 1, albo 2, albo 3, albo 4, znamienny tym, że mieszankę gazową ogrzewa się w przybliżeniu do temperatury komory odparowywania przed wtryśnięciem tej mieszanki do komory.
  3. 8
    A method of producing vaporized reactants which comprises providing the coating precursor at a temperature above its melting point but significantly below its standard evaporation temperature whereby the coating precursor is in the form of a liquid, characterized in that A) the steps of i) injecting are performed simultaneously and continuously. a liquid coating precursor to the vaporization chamber, where the liquid coating precursor produces steam, ii) supplying an amount of gaseous mixture to the vaporization chamber sufficient to increase the mass transfer of the coating precursor vapors, thereby causing accelerated evaporation of the liquid coating precursor;and evaporated at a temperature below its standard evaporating temperature, wherein a vaporized gaseous reactant stream having a high, uniform concentration of coating precursor is obtained, B) transferring the gaseous reactant stream out of the evaporation chamber and C) contacting the gaseous reactant stream with a liquid glass substrate maintained at a temperature of at least 399 ° C. 8. Sposób wytwarzania odparowywanych reagentów obejmujący dostarczenie prekursora powłoki w temperaturze wyższej od jego temperatury topniena, ale znacznie niższej od jego standardowej temperatury odparowywania, dzięki czemu prekursor powłoki jest w postaci cieczy, znamienny tym, że A)jednocześnie i w sposób ciągły przeprowadza się etapy i) wtryskiwania ciekłego prekursora powłoki do komory odparowywania, w której ciekły prekursor powłoki daje parę, ii) doprowadzania do komory odparowywania mieszanki gazowej w ilości odpowiedniej do zwiększenia przenoszenia masy par prekursora powłoki, powodując w ten sposób przyspieszone parowanie ciekłego prekursora powłoki i iii) mieszania ciekłego prekursora powłoki, par prekursora i mieszanki gazowej, na skutek czego ciekły prekursor powłoki zostaje całkowicie odparowany w temperaturze niższej od jego standardowej temperatury parowania, przy czym otrzymuje się strumień odparowanego reagenta gazowego mającego wysokie, jednorodne stężenie prekursora powłoki, B) przenosi się strumień gazowego reagenta poza komorę odparowywania i C) kontaktuje się strumień reagenta gazowego z podłożem z płynnego szkła utrzymywanym w temperaturze co najmniej 399°C. 167 110 167 110
  4. 10
    b the way according to ensiss. 9, an enormous and the fact that a body is applied in a blue-greening poeiome from a thin film. 10. bposób według ensiss. 9, ennmienny iym, że siosuje się komo^ wdpnzwpywnnin sinnowiącą poeiome odpnzowewncz cienkiego filmu.
  5. 11
    b the way according to ensise. 8, n or 9, n or 10, ennchangeable that a continuous secret tape is used as the substrate for the liquid secret. 11. bposób według ensise. 8, nlbo 9, nlbo 10, ennmienne iem, że jako podłoże e płynnego sekłn siosuje się ciągłą inśmę seklnną.
  6. 12
    b the way according to ensise. 11, ennmienne iym that the sengcntn gas stream is connected to the substrate, podcsws when inśmn jesi podiseymywann pseee bathing ee molten meinl and jesi in tempcsntussc enpnriej in the ene ranging from about 593 ° C to about 732 ° C. 12. bposób według ensise. 11, ennmienne iym, że sisumień gzowego sengcntn koninkiuje się e podłożem, podcsws gdy inśmn jesi podiseymywann pseee kąpiel ee stopionego meinlu i jesi w tempcsntussc enpnriej w en^esie od około 593°C do około 732°C.
  7. 13
    b the way according to ensise. 8, n or 9, n or 10, n or 12, ennormical and so that the sengenin g8eowcgw is connected to the substrate in the presence of ilene. 13. bposób według ensise. 8, nlbo 9, nlbo 10, nlbo 12, ennmienne iym, że sisumień sengenin g8eowcgw koninkiuje się e podłożem w obecności ilenu.
  8. 14
    b the way according to ens ^ e. 8, nbbo 9, nbbo 10, nbbo 12, ennmienne iym that the psekussos of the shell is cut out with a group consisting of diphtheria, diphthalmia, quadripolar ceteswchlwsek ieinnu, cetesoieopswpnnolnn ieinnu, tsójetelcumin, diethylaluminum chloride, aluminum trimethyl, aluminum nceteloacetoninn, aluminum acetate, diwsilnnnn, meteloisojcioksysilnn, nceielonceioninn cenku, pzopiwninnum cenku and their muscles. 14. bposób według ens^e. 8, nlbo 9, nlbo 10, nlbo 12, ennmienne iym, że siosuje się psekussos powłoki wybsany s grapy obejmującej dwucEjosek dwumeielocene, czterwetwksysilnn, dwu^losek dwueielocene, dwuocinn dwubuielocene, ceiesomeielocenę, izójchlwsek meiylocyny, cMosek isójeielocene, chlosek isójmeielwceny, ieinninn cetesobnielu, ceteswchlwsek ieinnu, cetesoieopswpnnolnn ieinnu, tsójetelwglin, chlosek dwuetyloglinu, trójmctyloglin, nceteloacetoninn glinu, octan glinu, dwueiylwdwuchlwswsilnn, meteloisójcioksysilnn, nceielonceioninn cenku, pzopiwninn cenku i ich miesenniny.
  9. 15
    b the way according to ensise. 14, ennmional iem that the shell pserussws apply to dimethyltin. 15. bposób według ensise. 14, ennmienne iem, że jnko pserussws powłoki siosuje się dwuchlosek dwumeiylocyne.
  10. 16
    b the way according to ensise. 14, ennmionny iym that 95% of the dimettelocin dichlide and 5% of the fresh mciyltin isocide is used in the shell. 16. bposób według ensise. 14, ennmionny iym, że jnko pzekussws powłoki siosuje się 95% wngowych dwu^losku dwumttelocyny i 5% wnaowych izójchlozku mciylocyny.
  11. 17
    b the way according to ensi ^. 8, energy, and the fact that helium, neoi, hydro, nsgon and their muscles are used. 17. bposób według ensi^. 8, ennmienny iym, że jnko m^enn^ gneową siosuje się hel, neoi, wodós, nsgon i ich miesenniny.
  12. 18
    b the way according to ensise. 8, in which the coating liquid is injected into the drainage chamber at a low temperature of about 21 ° C to about 277 ° C. 18. bposób według ensise. 8, ennoienny iym, że ciekły pzekuzsws powłoki wtryskuje się do komory odpni^owywnnin w iempesniusee enwasiej w znkzesie od około 21°C do około 277°C.
  13. 19
    b the way according to ensise. 8, ennmantial, that the liquid psekur'sws of the shell, the stripes of the crust of the shell, and the glandular mucosa of the lining of the shell from about 35 ° C to about 290 ° C. 19. bposób według ensise. 8, ennmienny iym, że ciekły psekur'sws powłoki, pasy pzckuzsozn powłoki i miesennkę gneową wgseewn się w komosee wdpnswwewnnin do iempczniury od około 35°C do około 290°C.
  14. 20
    bposób według ensise. 8, ennmienny iym, że ciekły psekussos powłoki wisyskuje się do komosy wdpnswwywnnin s seybkością od około 0,2268 kg do około 54,43 kg nn godeinę. twenty. b the way according to ensise. 8, that the liquid psekussos of the shell is suspended in the quinoa at a rate of from about 0.2268 kg to about 54.43 kg bn godeine.
  15. 21
    b the way according to ensise. 8, it is known that the head muscle is fed back to the moth at a pressure ranging from about 13.73 kPn to about 102.96 kPn. 21. bposób według ensise. 8, snnmicnny iym, że miesennkę gneową dwpsowndzn się do komose wdpnzowywnmn pod ciśnieniem od około 13,73 kPn do około 102,96 kPn.
  16. 22
    b the way according to ensi ^. 8, snnmicnny Iym, that the mics of the gnead dopswwnden up to the speed of the quota is from about 100 to about 400 standard lks nn a minute. 22. bposób według ensi^. 8, snnmicnny Iym, że micssnnkę gneową dopswwnden się do komose wdpnzowywnnin s seybkością od około 100 do około 400 standardowych lksów nn minuię.
  17. 23
    b the way by swsiss. 8, changeable and that the snippet of gingiva is applied to the wissymnnin of the nn shell with the sskle of the pssy growth rate of up to about 2200 A nn a second. 23. bposób według swsiss. 8, snnmienny iym, że sisumień odpnswwnncao zcngenin gzowego siosuje się do wissymnnin powłoki nn gosącym sskle pssy ssybkości wzrostu do około 2200 A nn sekundę.
Independent claims17