SE514055C2

Glazing pane for screening solar radiation and process for producing thereof

Abstract

This record has no abstract on file.

SE514055C2, drawing sheet 1
Sheet 1 of 1

Term

No projected expiry on record.

  1. Priority
  2. Filed
  3. Granted
  4. Today

18 claims: 9 independent, 9 dependent

  1. 1
    Patentkrav 1. Glasningspanel innefattande ett vitröst substrat uppbärande en tenn/antimonoxidbeläggning innehållande tenn och antimon i ett Sb/Sn-molförhållande från 0,01 till 0,5, kännetecknad av att nämnda beläggningsskikt har formats pyrolytiskt genom kemisk ångavsättning (CVD-teknik), varvid det så belagda substratet uppvisar en solfaktor (FS) av mindre än 70%.
  2. 2
    Glasningspanel enligt krav 1, kännetecknad av att Sh/Sn-molfÖrhållandet är åtminstone 0,03.
  3. 3
    Glasningspanel enligt krav 2, kännetecknad av att Sh/Sn-molfÖrhållandet är åtminstone 0,05.
  4. 4
    Glasningspanel enligt något av föregående krav, kännetecknad av att Sb/Sn-molförhållandet är mindre än 0,21.
  5. 5
    Glasningspanel enligt krav 1 eller 4, kännetecknad av att Sb/Sn-molförhållandet är mellan 0,01 och 0,12.
  6. 6
    Glasningspanel enligt krav 5, kännetecknad av att Sb/Sn-molförhållandet är mellan 0,03 och 0,07.
  7. 7
    Glasningspanel enligt något av föregående krav 1, kännetecknad av att ett mellanliggande difiusionsreducerande beläggningsskikt placeras mellan substratet och tenn/antimonoxidbeläggningsskiktet.
  8. 8
    Glasningspanel enligt krav 7, kännetecknad av att nämnda difiusionsreducerande beläggningsskikt innefattar kiseloxid.
  9. 9
    Glasningspanel enligt något av föregående krav, kännetecknad av att solfaktom är mindre än 60%. 514 055
  10. 10
    Glasningspanel enligt krav 9, kännetecknad av att solfaktom är mindre än 50%.
  11. 11
    Glasningspanel enligt något av föregående krav, kännetecknad av att 5 ljustransmittansen (TL) är mellan 40 och 65%.
  12. 12
    Glasningspanel enligt något av föregående krav, kännetecknad av att nämnda tenn/antimonoxidbeläggning uppvisar en tjocklek av från 100 till 500 nm. 10
  13. 13
    Glasningspanel enligt krav 12, kännetecknad av att tenn/antimonoxidbeläggningen uppvisar en tjocklek av från 250 till 450 nm.
  14. 14
    Glasningspanel enligt något av föregående krav, kännetecknad av att tenn/antimonoxidbeläggmngsskiktet utgör ett exponerat beläggningsskikt.
  15. 15
    Glasningspanel enligt något av föregående krav, kännetecknad av att panelen innefattar enbart nämnda tenn/antimonoxidbeläggningsskikt.
  16. 16
    Förfarande för formning av en glasningspanel innefattande kemisk ångavsättning 20 (CVD) av ett tenn/antimonoxidskikt från en reaktionsblandning på ett vitröst substrati kännetecknat av att reaktionsblandningen innefattar en tennkälla och en antimonkälla, att molförhållandet antimon till tenn i nämnda blandning är från 0,01 till 0,5, varvid det så belagda substratet uppvisar en solfaktor (FS) av mindre än 70%. 25
  17. 17
    Förfarande enligt krav 16, kännetecknat av att nämnda tennkälla är vald bland SnChj, monobutyltriklorotenn och blandningar därav.
  18. 18
    Förfarande enligt krav 16 eller 17, kännetecknat av att antimonkällan är vald hland antimonklorider, organiska antimonföreningar och blandningar därav.
Independent claims18