PL191071B1

Transparent substrate coated with at least one thin layer based on silico nitride or oxynitride and method of obtaining same

Abstract

A transparent glass substrate (1) is coated with a silicon nitride-based or oxynitride-based thin film (2) which contains 30-60 (preferably 40-50) at.% Si, 10-56 (preferably 20-56) at.% N, 1-40 (preferably 5-30) at.% O and 1-40 (preferably 5-30) at.% C. Also claimed is a process for depositing the above thin film (2) by CVD from a silicon precursor (preferably a silane and/or silazane) and a nitrogen precursor, the nitrogen precursor being in the form of an amine, preferably a 1-6C alkyl prim., sec. or tert. amine, especially ethylamine, methylamine, dimethylamine, butylamine or propylamine.

Term

Term ended

Expired 3 February 2018, 8.6 years ago.

  1. Priority
  2. Filed
  3. Granted
  4. Expired
  5. Today

24 claims: 9 independent, 15 dependent

  1. 1
    A transparent substrate of the glass substrate type covered with at least one thin layer based on silicon nitride or silicon oxynitride, characterized in that the thin layer (2) is embedded in the tempe12 1. Podłoże przezroczyste typu podłoża szklanego, pokryte co najmniej jedną cienką warstwą opartą na azotku lub tlenoazotku krzemu, znamienne tym, że cienka warstwa (2) osadzona w tempe12 In nature between 550 ° C and 760 ° C, preferably between 660 ° C and 760 ° C, it has a geometric thickness of between 5 nanometers and 5 micrometers, in particular between 20 and 1000 nanometers and contains the elements Si, O, N, C in the following amounts in atomic percentages:PL 191 071 B1 raturze pomiędzy 550°C i 760°C, korzystnie pomiędzy 660°C i 760°C ma geometryczną grubość między 5 nanometrów i 5 mikrometrów, w szczególności między 20 i 1000 nanometrów i zawiera pierwiastki Si, O, N, C w następujących ilościach w procentach atomowych: - Si: 30 to 60%, in particular 40 to 50%, - Si: od 30 do 60%, w szczególności od 40 do 50%, - N: from 10 to 56%, in particular from 20 to 56%, - N: od 10 do 56%, w szczególności od 20 do 56%, - O: from 1 to 40%, in particular from 5 to 30%, - O: od 1 do 40%, w szczególności od 5 do 30%, - C: from 1 to 40%, in particular from 5 to 30%. - C: od 1 do 40%, w szczególności od 5 do 30%.
  2. 5
    The substrate according to principles of 1 or 2, characterized in that the jvarswa rating has a refractive index greater than 1.6, in particular between 1.8 and 2.0, preferably 1.85. 5. Podłoże według zas^z. 1 albo 2, znam lenne tym, że ocenka jwarrswa ma wspóóczynnik załamania światła większy niż 1,6, w szczególności między 1,8 i 2,0, korzystnie 1,85.
  3. 6
    The substrate according to the principles of 1 or 2, characterized in that the suction layer of thin layers of which at least one layer is a functional layer having thermal properties, in particular filtering, sun protection or low emissivity, and / or photocatalytic properties, such as a layer having a mirror function, consisting of is made of a doped metal oxide, a metal nitride / oxynitride, or a metal such as aluminum or silicon, or is part of a stack of anti-reflective layers. 6. Podłoże według zas^z. 1 albo 2, znamjenne tym, że cćenka warsswa ssanowi ssosu cienkich warstw, z których co najmniej jedna warstwa jest warstwą funkcyjną posiadającą właściwości termiczne, w szczególności filtrujące, przeciwsłoneczne lub niską emisyjność, i/lub właściwości fotokatalityczne, takie jak warstwa posiadająca funkcję zwierciadła, składająca się z domieszkowanego tlenku metalu, z azotku/tlenoazotku metalu lub metalu w rodzaju glinu lub krzemu, lub stanowi część stosu warstw przeciwodblaskowych.
  4. 12
    Substrate according to zassrz. 1 or 2, characterized by the fact that the suction layer bottom of the glass / TiN and / or ZrN type / thin layer (2) / SiOC and / or SiO is a strong interface between TiN and / or ZrN and SiOC and / or SiO, and the anti-oxidation layer after depositing the applied top layer of SiOC and / or SiO on and / or off the production line. 12. Podłoże według zassrz. 1 albo 2, znamienne t^r^, że denka warsswa ssanowi ssosu w rodzaju szkło/TiN i/lub ZrN/cienka warstwa (2)/SiOC i/lub SiO, i stanowi mocną powierzchnię rozdziału między TiN i/lub ZrN i SiOC i/lub SiO,, oraz warstwę zabezpieczającą przed utlenianiem po osadzeniu nałożonej górnej warstwy z SiOC i/lub SiO, na linii produkcyjnej i/lub poza nią.
  5. 14
    A method for producing a glass substrate coated with at least one thin layer based on silicon nitride or oxynitride by a gas phase pyrolysis technique using at least two precursors, including at least one silicon precursor and at least one nitrogen precursor, characterized by that at least one amine nitrogen precursor is used and that the thin layer is deposited at a temperature between 550 ° C and 760 ° C, preferably between 660 ° C and 760 ° C. 14. Sposób wytwarzania podłoża przezroczyssego typu podłoża szklanego, pokrytego co najmniej jedną cienką warstwą opartą na azotku lub tlenoazotku krzemu za pomocą techniki pirolizy w fazie gazowej z użyciem co najmniej dwóch prekursorów, włączając co najmniej jeden prekursor krzemu i co najmniej jeden prekursor azotu, znamienny tym, że stosuje się co najmniej jeden prekursor azotu w postaci aminy oraz cienką warstwę osadza się w temperaturze pomiędzy 550°C i 760°C, korzystnie pomiędzy 660°C i 760°C. PL 191 071 B1 PL 191 071 B1
  6. 17
    The method according to p. 16, characterized by. that the amine used is ethylamine C.2H.5NH2, methylamine CH3NH2, dimethylamine (CH3) 2NH, butylamine C4H9NH2 or propylamine C3H7NH2. 17. Sposób według zastrz. 16, znamiennytym. że j ako aminę stosujesię etyloaminęC2H5NH2, metyloaminę CH3NH2, dwumetyloaminę (CH3)2NH, butyloaminę C4H9NH2 lub propyloaminę C3H7NH2.
  7. 19
    The method according to the rules. 14 or 15. that the dopant precursor is independent of silicon precursors and nitrogen precursors, and is, in particular, a fluorinated gas of the CF4 type when doped with fluorine F, and an organic phosphate carrier gas such as PO (OCH3) 3, or a gas such as triethylphosphite, trimethylphosphite , trimethylborate, PCh or PF5, PBr3 or PCl3 when doping is phosphorus P or boron B. 19. Sposób wedłu g zas^z. 14albo 15. znamiennytym. że prekursordomieszki niezależny od prekursorów krzemu i prekursorów azotu, i jest nim, w szczególności, fluorowany gaz w rodzaju CF4, kiedy domieszką jest fluor F, i gaz organiczny stanowiący nośnik fosforanu taki jak PO(OCH3)3, lub gaz w rodzaju trójetylofosforynu, trójmetylofosforynu, trójmetyloboranu, PCh lub PF5, PBr3 lub PCl3, kiedy domieszką jest fosfor P lub bor B.
  8. 21
    The use of the substrate defined in 1 for the production of window units provided with thin layers for sun protection of the filtering or low emissivity type and / or scratch-resistant and / or having a mirror or anti-glare function and / or a dirt-resistant function on the "front and rear" surfaces flat screen type emission screens, such as plasma screens. 21. Zassosowanie podłożaokreślonego w zas^z. 1 do wytwarzania zespotówokiennych zaopatrzonych w cienkie warstwy do zabezpieczenia przeciwsłonecznego typu filtrującego lub o niskiej emisyjności, i/lub odpornych na zarysowania, i/lub mających funkcję zwierciadła lub przeciwodblaskową, i/lub mających funkcję odporności na zabrudzenie, na „przednich i tylnych” powierzchniach ekranów emisyjnych typu płaskiego ekranu, takich jak ekrany plazmowe.
  9. 24
    The use of a substrate as defined in claim 1 1 for processing the inner and / or outer surface of containers, such as glass bottles or flasks. 24. Zastosowanie podłoża określonego w zastrz. 1 do obróbki wewnętrznej i/lub zewnętrznej powierzchni pojemników, typu szklane butelki, lub kolb.