EP0857700A1

Transparent substrate with at least one thin silicon nitride or oxynitride based layer and process for obtaining the same

Abstract

A transparent glass substrate (1) is coated with a silicon nitride-based or oxynitride-based thin film (2) which contains 30-60 (preferably 40-50) at.% Si, 10-56 (preferably 20-56) at.% N, 1-40 (preferably 5-30) at.% O and 1-40 (preferably 5-30) at.% C. Also claimed is a process for depositing the above thin film (2) by CVD from a silicon precursor (preferably a silane and/or silazane) and a nitrogen precursor, the nitrogen precursor being in the form of an amine, preferably a 1-6C alkyl prim., sec. or tert. amine, especially ethylamine, methylamine, dimethylamine, butylamine or propylamine.

EP0857700A1, drawing sheet 1
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26 claims: 7 independent, 19 dependent

  1. 1
    Substrat transparent (1) du type substrat verrier recouvert d'au moins une couche mince (2) à base de nitrure ou d'oxynitrure de silicium, caractérisé en ce que ladite couche mince (2) comprend les éléments Si, O, N, C dans les pourcentages atomiques suivants:- Si: de 30 à 60 %, notamment de 40 à 50 %,- N : de 10 à 56 %, notamment de 20 à 56 %,- O : de 1 à 40 %, notamment de 5 à 30 %,- C : de 1 à 40 %, notamment de 5 à 30 %. transparent substrate (1) of the glass substrate types covered with at least one layer thin (2) based on silicon nitride or silicon oxynitride, characterized in that said thin layer (2) comprises the elements Si, O, N, C in atomic percentages following:Si: 30 to 60%, especially 40 to 50%,N: from 10 to 56%, in particular 20 to 56%,O: 1 to 40%, especially 5 to 30%,C: from 1 to 40%, especially 5 to 30%.
  2. 3
    Substrat selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que ladite couche mince est homogène ou à gradient de composition dans son épaisseur. Substrate according to one of the preceding claims, characterized in that said thin film is homogeneous or composition gradient in its thickness.
  3. 4
    Substrat selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que ladite couche mince présente un coefficient d'absorption lumineuse AL inférieur à 2% pour 100 manomètres d'épaisseur géométrique. Substrate according to one of the preceding claims, characterized in that said thin film has a light absorption coefficient AL less than 2% per 100 a geometrical thickness gauges.
  4. 5
    Substrat selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que ladite couche mince présente une épaisseur géométrique comprise entre 5nm et 5µm, notamment entre 20 et 1000 nanomètres. Substrate according to one of the preceding claims, characterized in that said thin layer has a geometrical thickness of between 5 nm and 5 .mu.m, in particular between 20 and 1000 nanometers.
  5. 6
    Substrat selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que ladite couche mince présente un indice de réfraction supérieur à 1,6, notamment compris entre 1,8 et 2,0, de préférence 1,85. Substrate according to one of the preceding claims, characterized in that said thin film has a refractive index greater than 1.6, in particular between 1.8 and 2.0, preferably 1.85.
  6. 7
    Substrat selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que ladite couche mince fait partie d'un empilement de couches minces, dont au moins une est une couche fonctionnelle à propriétés thermiques, notamment filtrantes de protection solaire ou à bas-émissivité et/ou à propriétés électriques et/ou à propriétés optiques et/ou à propriétés photocatalytiques telles qu'une couche à fonction miroir, du type oxyde métallique dopé, nitrure/oxynitrure métallique ou métal du type aluminium ou silicium, ou fait partie d'un empilement de couches anti-reflets. Substrate according to one of the preceding claims, characterized in that said thin layer is part of a stack of thin layers, at least one is a functional layer thermal properties, including filter or sun protection low-emissivity and / or electrical and / or optical properties and / or properties photocatalytic function such as a mirror layer, doped metal oxide, nitride / metallic oxynitride or metal of aluminum or silicon type, or is part of a stack of antireflection layers.
  7. 15
    A method of depositing the thin layer (2) according to one of Claims preceding effected by a pyrolysis technique by gaseous phase from at least two precursors of which at least one silicon precursor and at least one precursor nitrogen characterized in that at least one nitrogen precursor is in the form of a amine. Procédé de dépôt de la couche mince (2) selon l'une des revendications précédentes effectué par une technique de pyrolyse en phase gazeuse à partir d'au moins deux précurseurs dont au moins un précurseur de silicium et au moins un précurseur d'azote caractérisé en ce qu' au moins un précurseur d'azote est sous la forme d'une amine.