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JP2006521470A

Titania coatings

Abstract

Photocatalytic titania coatings deposited by CVD treatment with organic titanium compounds and oxygen-containing organic compounds exhibit improved properties. These coatings are smoother and more durable than existing coatings and are less prone to scratches. A suitable organic titanium compound is titanium isopropoxide, and a suitable oxygen-containing organic compound is ethyl acetate.

JP2006521470A, drawing sheet 1
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23 claims: 5 independent, 18 dependent

  1. 1
    酸化チタンを含む光触媒活性被膜を基板表面上に堆積するための化学蒸着処理において、 チタンテトラエトキシド又はチタンテトライソプロポキシドと、カルボン酸エステルとを含む蒸気を、酸化チタン被膜を形成させるのに充分高い温度の前記基板表面に接触させる工程を有することを特徴とする化学蒸着処理。
  2. 2
    請求項1に記載の化学蒸着処理において、 前記カルボン酸エステルは、以下の一般式を有する化合物であって、 R-C(O)-O-C(XX 1 )-C(YY 1 )-R 1 式中、R及びR 1 は、1~10個の炭素原子を有するアルキル基又は水素原子を表しており、これらR及びR 1 は互いに異なるものでも同じものでもよく、また、X、X 1 、Y及びY 1 は、1~4個の炭素原子を有するアルキル基又は水素原子を表しているが、これらY及びY 1 の少なくとも一方は水素原子とするもので、これらX、X 1 、Y及びY 1 は互いに異なるものでも同じものでもよい当該化合物であることを特徴とする化学蒸着処理。
  3. 3
    請求項2に記載の化学蒸着処理において、 前記カルボン酸エステルは、Rを、1~4個の炭素原子を有するアルキル基とするエステルであることを特徴とする化学蒸着処理。
  4. 4
    請求項3に記載の化学蒸着処理において、 前記アルキル基は、エチル基であることを特徴とする化学蒸着処理。
  5. 5
    請求項3に記載の化学蒸着処理において、 前記カルボン酸エステルは、蟻酸エチル、酢酸エチル、プロピオン酸エチル、酪酸エチル、n-プロピルホルマート、n-プロピルアセテート、n-プロピルプロピオネート、n-プロピルブチラート、イソプロピルホルマート、イソプロピルアセテート、イソプロピルプロピオネート、イソプロピルブチラート、n-ブチルホルマート、n-ブチルアセテート、sec-ブチルアセテート及びt-ブチルアセテートからなる群から選択したものであることを特徴とする化学蒸着処理。
  6. 6
    請求項5に記載の化学蒸着処理において、 前記カルボン酸エステルは、酢酸エチルであることを特徴とする化学蒸着処理。
  7. 7
    請求項1~6のいずれか一項に記載の化学蒸着処理において、 前記基板は、400°C~800°Cの範囲内の温度にあることを特徴とする化学蒸着処理。
  8. 8
    請求項1~7のいずれか一項に記載の化学蒸着処理において、 前記基板は、610°C~720°Cの範囲内の温度にあることを特徴とする化学蒸着処理。
  9. 9
    請求項1~8のいずれか一項に記載の化学蒸着処理において、 前記基板は、フロートガラス製造処理において製造されるガラスリボンであることを特徴とする化学蒸着処理。
  10. 10
    請求項9に記載の化学蒸着処理において、 堆積処理をフロート槽で行うことを特徴とする化学蒸着処理。
  11. 11
    少なくとも1個の表面上に酸化チタンの被膜を有する光触媒活性基板において、 この光触媒活性基板の被覆された表面は、少なくとも50%の光触媒活性(UVA照射を強度0.76W/m 2 で30分間行うことにより生じる、ステアリン酸薄膜に対応する積分吸収ピークの減少率として示す)を呈し、且つ75°Cにした1モルの水酸化ナトリウム溶液中に少なくとも6時間浸漬させても影響されないことを特徴とする光触媒活性基板。
  12. 12
    少なくとも1個の表面上に二酸化チタンの被膜を有する光触媒活性基板において、 この光触媒活性基板の被覆された表面は、2nmより小さいRa値を有し、且つ少なくとも50%の光触媒活性を有する(UVA照射を強度32W/m 2 で30分間行うことにより生じる、ステアリン酸薄膜に対応する積分吸収ピークの減少率として示す)ことを特徴とする光触媒活性基板。
  13. 13
    少なくとも1個の表面上に二酸化チタンの被膜を有する光触媒活性基板において、 前記被膜は、結晶質であり、且つ2nmより小さいRa値を有することを特徴とする光触媒活性基板。
  14. 14
    少なくとも1個の表面上に二酸化チタンの被膜を有する光触媒活性ガラス基板において、 この基板の被覆された表面は、少なくとも80%の光触媒活性(UVA照射を強度0.76W/m 2 で30分間行うことにより生じる、ステアリン酸薄膜に対応する積分吸収ピークの減少率として示す)を呈し、且つ20%以下の可視光反射率を有することを特徴とする光触媒活性ガラス基板。
  15. 15
    請求項14に記載の光触媒活性ガラス基板において、 この光触媒活性ガラス基板は、12%より小さい可視光反射率を有することを特徴とする光触媒活性ガラス基板。
  16. 16
    請求項11~14のいずれか一項に記載の光触媒活性基板において、 前記二酸化チタン被膜の厚さは、10nm~40nmであることを特徴とする光触媒活性基板。
  17. 17
    請求項16に記載の光触媒活性基板において、 前記二酸化チタン被膜の厚さは、10nm~20nmであることを特徴とする光触媒活性基板。
  18. 18
    請求項11~17のいずれか一項に記載の光触媒活性基板において、 この光触媒活性基板は、ガラスと二酸化チタン被膜との間にアルカリ金属遮蔽層を有することを特徴とする光触媒活性基板。
  19. 19
    請求項18に記載の光触媒活性基板において、 前記アルカリ金属遮蔽層の厚さは、10nm~20nmであることを特徴とする光触媒活性基板。
  20. 20
    請求項11~19のいずれか一項に記載の光触媒活性基板において、 この光触媒活性基板は、200サイクルの湿度サイクル試験後も光触媒活性を維持することを特徴とする光触媒活性基板。
  21. 21
    請求項11~20のいずれか一項に記載の光触媒活性基板において、 この光触媒活性基板は、75°Cにした1Mの水酸化ナトリウム中に6時間浸漬させても影響されないことを特徴とする光触媒活性基板。
  22. 22
    請求項11~21のいずれか一項に記載の光触媒活性基板において、 この光触媒活性基板は、3Nmの負荷を加えたピンアンドディスク試験において、被覆した表面上に連続的な引っ掻き傷を生じない耐擦傷性を有することを特徴とする光触媒活性基板。
  23. 23
    請求項11~22のいずれか一項に記載の光触媒活性基板において、 前記被膜の炭素含量が10%より少ないことを特徴とする光触媒活性基板。
Independent claims23