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JP2016530202A

Heat treatable coated glass pane

Abstract

A method of manufacturing a coated glass plate, in order of the following steps: a) the step of providing a glass substrate, and b) chemical vapor deposition (CVD) using titanium tetraisopropoxide (TTIP) as a precursor. A method comprising depositing at least one CVD coating on the surface of a glass substrate and c) depositing at least one PVD coating on the at least one CVD coating by physical vapor deposition (PVD). .. [Selection diagram] None

JP2016530202A, drawing sheet 1
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Term

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Projected expiry 13 August 2034, counted from filing; an application has no term until it is granted.

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25 claims: 7 independent, 18 dependent

  1. 1
    被覆ガラス板を製造する方法であって、順に以下のステップ、a)ガラス基板を提供するステップと、b)前駆物質としてチタンテトライソプロポキシド(TTIP)を使用して、化学蒸着(CVD)により、前記ガラス基板の表面上に少なくとも1つのCVD被覆を堆積するステップと、c)物理蒸着(PVD)により、前記少なくとも1つのCVD被覆上に少なくとも1つのPVD被覆を堆積するステップと、を含む、前記方法。
  2. 2
    前記CVD被覆が、酸化チタン(TiO x )系の少なくとも1つの層(ドープまたはアンドープ)を含む、請求項1に記載の前記方法。
  3. 3
    前記酸化チタン系の少なくとも1つの層が、少なくとも5nmだが最大でも60nmの厚さを有する、請求項2に記載の前記方法。
  4. 4
    前記酸化チタン系の少なくとも1つの層が、前駆物質としてTTIPを使用して堆積される、請求項2または3に記載の前記方法。
  5. 5
    前駆物質としてTTIPを使用して堆積される前記酸化チタン系の少なくとも1つの層が、前記PVD被覆と直接接触して位置する、請求項4に記載の前記方法。
  6. 6
    前記CVD被覆が、酸化ケイ素(例えば、オキシ炭化ケイ素、オキシ窒化シリカまたはケイ素)、酸化スズ(ドープまたはアンドープ)、酸化亜鉛(ドープまたはアンドープ)、またはこれらの材料のうちのいずれかの混合物系の少なくとも1つの層をさらに含む、請求項1~5のいずれかに記載の前記方法。
  7. 7
    前記CVD被覆が、少なくとも1つの層を含み、前記少なくとも1つの層のそれぞれが、酸化チタン(TiO x )系の層である、請求項1~5のいずれかに記載の前記方法。
  8. 8
    前記ガラス基板から最も遠い前記CVD被覆の主表面が、最大でも3nm、好ましくは最大でも1nmの表面算術平均高さ値(Sa)を有する、請求項1~7のいずれかに記載の前記方法。
  9. 9
    前記CVD被覆が、前記ガラス基板が450°C~800°Cの範囲、好ましくは550°C~700°Cの範囲の温度であるとき、前記ガラス基板上に堆積される、請求項1~8のいずれかに記載の前記方法。
  10. 10
    前記PVD被覆がスパッタ堆積によって堆積される、請求項1~9のいずれかに記載の前記方法。
  11. 11
    前記PVD被覆が、反射金属系の少なくとも1つの機能層を含み、好ましくは前記機能層が銀系機能層である、請求項1~10のいずれかに記載の前記方法。
  12. 12
    前記被覆板が、前記ガラス基板と前記少なくとも1つの機能層との間に位置する下位反射防止層をさらに含み、前記PVD被覆が、前記機能層の上に位置する上位反射防止層をさらに含む、請求項11に記載の前記方法。
  13. 13
    前記PVD被覆が、前記CVD被覆と前記少なくとも1つの機能層との間に堆積される誘電材料系の少なくとも1つの層をさらに含む、請求項11または請求項12に記載の前記方法。
  14. 14
    前記PVD被覆が、ドープまたはアンドープNiCr、Ti、Zn、Zr、Sn、Nb、ITO、TiO x 、Zn x Sn y O z 、ZnO、SnO x 、Zn x Al x O z 、AlN x 、SiN x 、Si x Al y N z 、またはそれらの混合物系の少なくとも1つの層をさらに含む、請求項11~13のいずれかに記載の前記方法。
  15. 15
    少なくとも1つの機能層を含む被覆の前記下位反射防止層が、以下の層、酸化チタン、酸化ケイ素(例えば、オキシ炭化ケイ素、オキシ窒化シリカまたはケイ素)、酸化スズ(ドープまたはアンドープ)、酸化亜鉛(ドープまたはアンドープ)、またはこれらの材料のうちのいずれかの混合物系の基層と、ZnとSnとの酸化物及び/またはSnの酸化物等の、金属酸化物系の層と、金属酸化物ならびに/またはSiの(酸)窒化物及び/もしくはAlの(酸)窒化物ならびに/またはそれらの合金系の分離層と、Znの酸化物系の最上層と、のうちの1つ以上の少なくとも1つの組み合わせを含む、請求項12に記載、またはそれらが請求項12に直接的であれ間接的であれ従属するときは、請求項13及び14のいずれかに記載の前記方法。
  16. 16
    前記上位反射防止層が、以下の層、NiCrの酸化物系の層と、Znの酸化物及び/またはTiの酸化物系の層と、Siの(酸)窒化物、及び/もしくはAl(酸)窒化物、ならびに/またはそれらの合金、ならびに/またはAl、Si、Ti、及び/もしくはZrの酸化物系の層と、ZnとSnとの酸化物及び/またはSnの酸化物等の、金属酸化物系の層と、のうちの1つ以上の少なくとも1つの組み合わせを含む、請求項12もしくは15に記載、またはそれらが請求項12に直接的であれ間接的であれ従属するときは、請求項13及び14のいずれかに記載の前記方法。
  17. 17
    請求項1~16のいずれかに記載の前記方法によって製造される、被覆ガラス板。
  18. 18
    被覆ガラス板であって、a)ガラス基板と、b)前記ガラス基板の表面上の少なくとも1つの被覆であって、前記被覆が、酸化チタン系の少なくとも1つの結晶層を含み、前記ガラス基板から最も遠い前記少なくとも1つの結晶層の主表面が、最大でも3nmの表面算術平均高さ値(Sa)を有する、前記被覆と、c)前記少なくとも1つの被覆上の少なくとも1つのさらなる被覆であって、前記少なくとも1つのさらなる被覆が、反射金属系の少なくとも1つの機能層を含む、さらなる被覆と、を含む、前記被覆ガラス板。
  19. 19
    前記少なくとも1つの被覆が、CVDを使用して堆積され(すなわち、前記被覆がCVD被覆である)、前記酸化チタン系の少なくとも1つの層が、前駆物質としてチタンテトライソプロポキシド(TTIP)を使用して堆積された、請求項18に記載の前記板。
  20. 20
    前記少なくとも1つのさらなる被覆が、PVDを使用して堆積された(すなわち、前記さらなる被覆がPVD被覆である)、請求項18または請求項19に記載の前記板。
  21. 21
    前記酸化チタン系の少なくとも1つの層が、前記少なくとも1つのさらなる被覆と直接接触して位置する、請求項18~20のいずれかに記載の前記板。
  22. 22
    前記ガラス基板から最も遠い前記少なくとも1つの結晶層の前記主表面が、最大でも1nm、好ましくは最大でも0.7nmの表面算術平均高さ値(Sa)を有する、請求項18~21のいずれかに記載の前記板。
  23. 23
    前記少なくとも1つのさらなる被覆が、前記ガラス基板の表面上の前記少なくとも1つの被覆と前記少なくとも1つの機能層との間に堆積される少なくとも1つの誘電材料系の層をさらに含む、請求項18~22のいずれかに記載の前記板。
  24. 24
    請求項1~16のいずれかに記載の前記方法によって得られる被覆ガラス板または請求項17~23のいずれかに記載の被覆ガラス板を組み込む、複層ガラス窓。
  25. 25
    前記少なくとも1つのCVD被覆上の少なくとも1つのPVD被覆の前記物理蒸着(PVD)に先立つ、ガラス基板の表面上の少なくとも1つのCVD被覆の前記化学蒸着(CVD)における、前駆物質としてのチタンテトライソプロポキシド(TTIP)の使用。
Independent claims25