WO2011030049A2

Material and glazing comprising said material

Abstract

The invention relates to a material comprising a glass substrate coated on at least one of its faces by a stack of thin layers comprising, from the substrate outwards, at least one lower dielectric layer, at least one functional layer of metal or metallic nitride, at least one upper dielectric layer, and at least one titanium oxide layer at least partially crystallised in an anatase form, said metal or metallic nitride being based on Nb, NbN, W, WN, Ta, TaN or any one of their alloys or solid solutions thereof.

WO2011030049A2, drawing sheet 1
Sheet 1 of 14

Term

No projected expiry on record.

  1. Priority
  2. Filed
  3. Published
  4. Today

15 claims: 14 independent, 1 dependent

  1. 1
    CLAIMS 1. Material comprising a glass substrate coated on at least one of its faces with a stack of thin layers comprising from said substrate at least one lower dielectric layer, at least one functional layer of metal or metallic nitride, at least one upper dielectric layer, at least one layer of titanium oxide at least partially crystallized in anatase form, said metal or metallic nitride being based on Nb, NbN, W, WN, Ta, TaN or any of their alloys or solid solutions. REVENDICATIONS 1. Matériau comprenant un substrat en verre revêtu sur au moins une de ses faces d'un empilement de couches minces comprenant depuis ledit substrat au moins une couche diélectrique inférieure, au moins une couche fonctionnelle en métal ou nitrure métallique, au moins une couche diélectrique supérieure, au moins une couche d'oxyde de titane au moins partiellement cristallisé sous forme anatase, ledit métal ou nitrure métallique étant à base de Nb, NbN, W, WN, Ta, TaN ou de l'un quelconque de leurs alliages ou solutions solides.
  2. 3
    Material according to one of the preceding claims, such that the thickness of the functional layer of metal or metal nitride varies between 3 and 50 nm, in particular between 5 and 30 nm. 3. Matériau selon l'une des revendications précédentes, tel que l'épaisseur de la couche fonctionnelle en métal ou nitrure métallique varie entre 3 et 50 nm, notamment entre 5 et 30 nm.
  3. 4
    Material according to one of the preceding claims, such that the at least one lower dielectric layer and / or the at least one upper dielectric layer is chosen from oxide, nitride or oxynitride of silicon or aluminum, tin oxide or the mixed oxide of tin and zinc. 4. Matériau selon l'une des revendications précédentes, tel que la au moins une couche diélectrique inférieure et/ou la au moins une couche diélectrique supérieure est choisie parmi l'oxyde, le nitrure ou l'oxynitrure de silicium ou d'aluminium, l'oxyde d' étain ou l'oxyde mixte d' étain et de zinc.
  4. 5
    Material according to one of the preceding claims, in which the functional layer is metallic, and a blocker layer is interposed between the functional layer and the upper dielectric layer closest to the functional layer, or even also between the functional layer and the layer. lower dielectric closest to the functional layer. 5. Matériau selon l'une des revendications précédentes, dans lequel la couche fonctionnelle est métallique, et une couche de bloqueur est interposée entre la couche fonctionnelle et la couche diélectrique supérieure la plus proche de la couche fonctionnelle, voire également entre la couche fonctionnelle et la couche diélectrique inférieure la plus proche de la couche fonctionnelle .
  5. 6
    Material according to the preceding claim, such that the blocker layer is made of a metal chosen from titanium or chromium or an alloy of nickel and chromium. 6. Matériau selon la revendication précédente, tel que la couche de bloqueur est en un métal choisi parmi le titane ou le chrome ou en un alliage de nickel et de chrome .
  6. 7
    Material according to one of the preceding claims, such that at least one layer of silica is interposed between the at least one upper dielectric layer and the at least one layer of titanium oxide 7. Matériau selon l'une des revendications précédentes, tel qu'au moins une couche de silice est interposée entre la au moins une couche diélectrique supérieure et la au moins une couche d' oxyde de titane
  7. 8
    Material according to one of the preceding claims, such that at least one layer of silica is interposed between the substrate and the lower dielectric layer closest to the substrate. 8. Matériau selon l'une des revendications précédentes, tel qu'au moins une couche de silice est interposée entre le substrat et la couche diélectrique inférieure la plus proche du substrat.
  8. 9
    Material according to one of the preceding claims, such that the stack is chosen from the following stacks:9. Matériau selon l'une des revendications précédentes, tel que l'empilement est choisi parmi les empilements suivants : - Glass / Si3NOT4 / NbN / Si3NOT4 / Ti02 - Glass / Si3NOT4 / NbN / Si3NOT4 / Si02 / Ti02 - Glass / Si02 / Yes3NOT4 / NbN / Si3NOT4 / Ti02 - Glass / Si02 / Yes3NOT4 / NbN / Si3NOT4 / Si02 / Ti02 - Glass / Si3NOT4 / WN / Si3NOT4 / Ti02 - Glass / Si3NOT4 / WN / Si3NOT4 / Si02 / Ti02 - Glass / Si02 / Yes3NOT4 / WN / Si3NOT4 / Ti02 - Glass / Si02 / Yes3NOT4 / WN / Si3NOT4 / Si02 / Ti02 - Glass / Si3NOT4 / Ti / Nb / Ti / Si3NOT4 / Ti02 - Glass / Si3NOT4 / Ti / Nb / Ti / Si3NOT4 / Si02 / Ti02 - Glass / Si02 / Yes3NOT4 / Ti / Nb / Ti / Si3NOT4 / Ti02 - Glass / Si02 / Yes3NOT4 / Ti / Nb / Ti / Si3NOT4 / Si02 / Ti02 - Verre / Si3N4 / NbN / Si3N4 / Ti02 - Verre / Si3N4 / NbN / Si3N4 / Si02 / Ti02 - Verre / Si02 / Si3N4 / NbN / Si3N4 / Ti02 - Verre / Si02 / Si3N4 / NbN / Si3N4 / Si02 / Ti02 - Verre / Si3N4 / WN / Si3N4 / Ti02 - Verre / Si3N4 / WN / Si3N4 / Si02 / Ti02 - Verre / Si02 / Si3N4 / WN / Si3N4 / Ti02 - Verre / Si02 / Si3N4 / WN / Si3N4 / Si02 / Ti02 - Verre / Si3N4 / Ti / Nb / Ti / Si3N4 / Ti02 - Verre / Si3N4 / Ti / Nb / Ti / Si3N4 / Si02 / Ti02 - Verre / Si02 / Si3N4 / Ti / Nb / Ti / Si3N4 / Ti02 - Verre / Si02 / Si3N4 / Ti / Nb / Ti / Si3N4 / Si02 / Ti02
  9. 10
    Material according to one of the preceding claims, such that the thickness of the titanium oxide layer is between 5 and 50 nm, in particular between 5 and 20 nm. 10. Matériau selon l'une des revendications précédentes, tel que l'épaisseur de la couche d'oxyde de titane est comprise entre 5 et 50 nm, notamment entre 5 et 20 nm.
  10. 11
    Method for obtaining a material according to one of the preceding claims, in which the layers of the stack are deposited by magnetron sputtering or chemical vapor deposition. 11. Procédé d'obtention d'un matériau selon l'une des revendications précédentes, dans lequel on dépose les couches de l'empilement par pulvérisation cathodique magnétron ou dépôt chimique en phase vapeur.
  11. 12
    Method according to the preceding claim, in which the deposition step is followed by a heat treatment, in particular of the quenching, bending, annealing type, or a rapid treatment using laser radiation or a flame. . 12. Procédé selon la revendication précédente, dans lequel l'étape de dépôt est suivie d'un traitement thermique, notamment du type trempe, bombage, recuit, ou d'un traitement rapide à l'aide d'un rayonnement laser ou d'une flamme.
  12. 13
    Glazing comprising at least one material according to one of the preceding material claims. 13. Vitrage comprenant au moins un matériau selon l'une des revendications de matériau précédentes.
  13. 14
    Use of glazing according to the preceding claim as solar control glazing for the building or vehicles. 14. Utilisation d'un vitrage selon la revendication précédente en tant que vitrage de contrôle solaire pour le bâtiment ou les véhicules.
  14. 15
    Use according to the preceding claim, in which the stack is placed outside the building or the vehicle. 15. Utilisation selon la revendication précédente, dans laquelle l'empilement est placé à l'extérieur du bâtiment ou du véhicule.
Independent claims14