EA020943B1

Material and glazing comprising said material

Abstract

The invention relates to a material comprising a glass substrate coated on at least one of its faces by a stack of thin layers comprising, from the substrate outwards, at least one lower dielectric layer, at least one functional layer of metal or metallic nitride, at least one upper dielectric layer, and at least one titanium oxide layer at least partially crystallised in an anatase form, said metal or metallic nitride being based on Nb, NbN, W, WN, Ta, TaN or any one of their alloys or solid solutions thereof.

EA020943B1, drawing sheet 1
Sheet 1 of 8

Term

No projected expiry on record.

  1. Priority
  2. Filed
  3. Granted
  4. Today

15 claims: 13 independent, 2 dependent

  1. 1
    CLAIM ФОРМУЛА ИЗОБРЕТЕНИЯ 1. Материал, содержащий стеклянную основу, покрытую по меньшей мере на одной из своих сторон укладкой тонких слоев, содержащей в направлении от указанной основы по меньшей мере один нижний диэлектрический слой, по меньшей мере один функциональный слой из металла или нитрида металла, по меньшей мере один верхний диэлектрический слой, по меньшей мере один слой оксида титана, по меньшей мере, частично кристаллизованный в форме анатаза, причем указанный металл или нитрид металла имеет в основе N6, Ν6Ν. V. νΝ, Та, ΤαΝ или любой из их сплавов или твердых растворов. one. A material containing a glass base coated on at least one of its sides by laying thin layers containing at least one lower dielectric layer, at least one functional layer of metal or metal nitride, at least one upper layer in the direction from said base a dielectric layer, at least one layer of titanium oxide, at least partially crystallized in the form of anatase, wherein said metal or metal nitride is based on N6, Ν6Ν. V. νΝ, Ta, ΤαΝ or any of their alloys or solid solutions.
  2. 3
    The material according to one of the preceding paragraphs, where the thickness of the functional layer of metal or metal nitride varies from 3 to 50 nm, in particular from 5 to 30 nm. 3. Материал по одному из предыдущих пунктов, где толщина функционального слоя из металла или нитрида металла варьируется от 3 до 50 нм, в частности от 5 до 30 нм.
  3. 4
    Материал по одному из предыдущих пунктов, где по меньшей мере один нижний диэлектрический слой и/или по меньшей мере один верхний диэлектрический слой выбран из оксида, нитрида или оксинитрида кремния или алюминия, оксида олова или смешанного оксида олова и цинка. four. A material according to one of the preceding claims, wherein at least one lower dielectric layer and / or at least one upper dielectric layer is selected from silicon, aluminum, nitride or oxynitride oxide, tin oxide or mixed tin and zinc oxide.
  4. 5
    The material according to one of the preceding claims, in which the functional layer is metallic and an additionally contained blocking layer is located between the functional layer and the upper dielectric layer closest to the functional layer, or even between the functional layer and the lower dielectric layer closest to the functional layer. 5. Материал по одному из предыдущих пунктов, в котором функциональный слой является металлическим и дополнительно содержащийся блокирующий слой находится между функциональным слоем и верхним диэлектрическим слоем, ближайшим к функциональному слою, или даже между функциональным слоем и нижним диэлектрическим слоем, ближайшим к функциональному слою.
  5. 6
    The material according to the preceding paragraph, where the blocking layer is made of a metal selected from titanium or chromium or from an alloy of nickel and chromium. 6. Материал по предыдущему пункту, где блокирующий слой выполнен из металла, выбранного из титана или хрома или из сплава никеля и хрома.
  6. 7
    The material according to one of the preceding paragraphs, where between at least one upper dielectric layer and at least one layer of titanium oxide further comprises at least one layer of silicon oxide. 7. Материал по одному из предыдущих пунктов, где между по меньшей мере одним верхним диэлектрическим слоем и по меньшей мере одним слоем оксида титана дополнительно содержится по меньшей мере один слой оксида кремния.
  7. 8
    The material according to one of the preceding paragraphs, where between the base and the lower dielectric layer closest to the base, at least one layer of silicon oxide is additionally introduced. 8. Материал по одному из предыдущих пунктов, где между основой и нижним диэлектрическим слоем, ближайшим к основе, дополнительно введен по меньшей мере один слой оксида кремния.
  8. 9
    Material according to one of the preceding paragraphs, where the laying of layers is selected from the following laying:9. Материал по одному из предыдущих пунктов, где укладка слоев выбрана из следующих укладок: - 10 020943 - 10 020943 - Glass / 31 ЗЫ4 / МЫЫ / £ 1зМ4 / Т102 - Стекло/31зЫ4/МЬЫ/£1зМ4/Т102 - Glass / 3.g2.M4 / MY / 31zK4/310g/ T102 - Стекло/3.г2.М4/МЬЫ/31зК4/310г/Т102 - Glass / Zyug / Ztz ^ / Lyts / Ztszsh / Tyug - Стекло/ЗЮг/Зтз^/ЫЬЦ/ЗтзЩ/ТЮг - Glass / Zyug / Zkz ^ / MYY / Zkz ^ / Zyug / Tyug - Стекло/ЗЮг/Зхз^/МЬЫ/Зхз^/ЗЮг/ТЮг - Glass / 31zI4 / ™ / 313M4 / T10g - Стекло/31зИ4/™/313М4/Т10г - Glass / ЗУЗТи / ИЫ / ЗхзМз / ЗтОг / Тз-Ог - Стекло/ЗУзТи/ИЫ/ЗхзМз/ЗтОг/Тз-Ог - 0τθκπο / 3ίΟ2/ 3ί3Ν4 / ΗΝ / 3ί3Ν4 / Τί02 - 0τθκπο/3ίΟ2/3ί3Ν4/ΗΝ/3ί3Ν4/Τί02 - Οτβκπο / 31θ2 / 5Ϊ3Ν „/ ΜΝ / 3ΐ3Ν4 / 3ίθ2 / Τΐθ2 - Οτβκπο/31θ2/5Ϊ3Ν„/ΜΝ/3ΐ3Ν4/3ίθ2/Τΐθ2 - Се: <ло / 51з [® / Т1 / ЛЬ / Т1 / 51зН4/ T102 - Сте:<ло/51з[®/Т1/ЫЬ/Т1/51зН4/Т102 - € τβ ^ ο / 3ί3Ν4/ Τί / Νϊ> / Τί / 8ί3Ν4/ 3ίθ2 / Τίθ2 - €τβ^ο/3ί3Ν4/Τί/Νϊ>/Τί/8ί3Ν4/3ίθ2/Τίθ2 - Glass / ZYug / Zlz ^ / 'P / b / Tz. / ЗХзЩ / ТУг - Стекло/ЗЮг/Злз^/'П/ЫЬ/Тз./ЗХзЩ/ТЮг - Glass / 3ίΟ2/ 3ί3Ν4 / Τί / ΝΕ / Τί / 8ί3Ν4 / 3ίΟ2/ Τΐθ2 - Стекло/3ίΟ2/3ί3Ν4/Τί/ΝΕ/Τί/8ί3Ν4/3ίΟ2/Τΐθ2
  9. 10
    The material according to one of the preceding paragraphs, and the thickness of the layer of titanium oxide is from 5 to 50 nm, in particular from 5 to 20 nm. 10. Материал по одному из предыдущих пунктов, причем толщина слоя оксида титана составляет от 5 до 50 нм, в частности от 5 до 20 нм.
  10. 11
    Способ получения материала по одному из предыдущих пунктов, в котором слои укладки осаждают способом катодного распыления в магнетронном режиме или способом химического осаждения из паровой фазы. eleven. The method of obtaining material according to one of the preceding paragraphs, in which the laying layers are deposited by the cathode method of sputtering in the magnetron mode or by chemical vapor deposition method.
  11. 12
    The method according to the preceding paragraph, in which the deposition step is followed by heat treatment, in particular, the type of hardening, bending, annealing or rapid processing using laser radiation or flame. 12. Способ по предыдущему пункту, в котором за этапом осаждения следует термообработка, в частности, типа закалки, моллирования, отжига или быстрой обработки с помощью лазерного излучения или пламени.
  12. 14
    Применение остекления по предыдущему пункту в качестве солнцезащитного оконного стекла для зданий или транспортных средств. fourteen. The use of glazing according to the preceding paragraph as a sun-protection window glass for buildings or vehicles.
  13. 15
    Применение по предыдущему пункту, в котором укладка слоев располагается снаружи здания или транспортного средства. fifteen. The application of the preceding paragraph, in which the laying of layers is located outside the building or vehicle.
Independent claims13