KR20140020249A

Processes for preparing isoquinolinones and solid forms of isoquinolinones

Abstract

The present invention relates to polymorphs of chemical compounds comprising modulating kinase activity, including PI3 kinase activity, and to compounds, pharmaceutical compositions, and methods of treating diseases and conditions associated with kinase activity, including P13 kinase activity. . Also provided are methods of making the compounds and polymorphs thereof.

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68 claims: 17 independent, 51 dependent

  1. 1
    다형체 형태 B, 형태 C, 형태 D, 형태 E, 형태 F, 형태 G, 형태 H, 형태 I 또는 형태 J인 하기 화학식 I의 화합물 또는, 화학식 I의 화합물의 비정질 형태, 또는 이의 염, 용매화물 또는 수화물, 또는 이들의 2개 이상의 혼합물:[화학식 I] .
  2. 2
    2개 이상의 하기 화학식 I의 화합물의 혼합물로서, 상기 화학식 I의 화합물이 i) 다형체 형태 C, 또는 이의 염, 용매화물 또는 수화물; 및 ii) 다형체 형태 A, 형태 B, 형태 D, 형태 E, 형태 F, 형태 G, 형태 H, 형태 I, 형태 J, 또는 화학식 I의 화합물의 비정질 형태로부터 선택된 하나 이상의 비-형태 C 다형체, 또는 이의 염, 용매화물 또는 수화물 로부터 선택되는, 혼합물:[화학식 I] .
  3. 3
    2개 이상의 하기 화학식 I의 화합물의 혼합물로서, 상기 화학식 I의 화합물이 i) 다형체 형태 A, 또는 이의 염, 용매화물 또는 수화물; 및 ii) 다형체 형태 B, 형태 C, 형태 D, 형태 E, 형태 F, 형태 G, 형태 H, 형태 I, 형태 J, 또는 화학식 I의 화합물의 비정질 형태로부터 선택된 하나 이상의 비-형태 A 다형체, 또는 이의 염, 용매화물 또는 수화물 로부터 선택되는, 혼합물:[화학식 I] .
  4. 4
    제 2 항에 있어서, 상기 혼합물이 다형체 형태 C, 또는 이의 염, 용매화물 또는 수화물을 50 중량% 이상 포함하는, 혼합물.
  5. 5
    하기 화학식 I의 화합물의 다형체 형태 C:[화학식 I] .
  6. 6
    제 5 항에 있어서, 2θ = 10.4°(±0.2°), 13.3°(±0.2°), 및 24.3°(±0.2°)의 특정 X선 분말 회절(XRPD) 피크를 갖는, 다형체 형태 C.
  7. 7
    제 6 항에 있어서, 2θ = 6.6°(±0.2°) 및 12.5°(±0.2°)로부터 선택된 하나 이상의 특정 XRPD 피크를 추가로 포함하는, 다형체 형태 C.
  8. 8
    제 5 항에 있어서, 2θ = 8.8°(±0.2°), 9.9°(±0.2°), 13.4°(±0.2°), 15.5°(±0.2°), 16.9°(±0.2°), 19.8°(±0.2°), 21.3°(±0.2°), 23.6°(±0.2°), 25.3°(±0.2°), 및 27.9°(±0.2°)로부터 선택된 하나 이상의 XRPD 피크와 조합된 2θ = 6.6°(±0.2°), 10.4°(±0.2°), 12.5°(±0.2°), 13.3°(±0.2°), 및 24.3°(±0.2°)의 특정 XRPD 피크를 갖는, 다형체 형태 C.
  9. 9
    제 5 항에 있어서, 도 3에 도시된 XRPD 패턴에서의 피크를 실질적으로 모두 갖는, 다형체 형태 C.
  10. 10
    하기 화학식 I의 화합물의 다형체 형태 B:[화학식 I] .
  11. 11
    제 10 항에 있어서, 2θ = 7.9°(±0.2°), 13.4°(±0.2°), 및 23.4°(±0.2°)의 특정 XRPD 피크를 갖는, 다형체 형태 B.
  12. 12
    제 11 항에 있어서, 2θ = 14.0°(±0.2°) 및 15.0°(±0.2°)로부터 선택된 하나 이상의 특정 XRPD 피크를 추가로 포함하는, 다형체 형태 B.
  13. 13
    제 10 항에 있어서, 2θ = 9.5°(±0.2°), 12.7°(±0.2°), 13.6°(±0.2°), 14.2°(±0.2°), 15.7°(±0.2°), 19.0°(±0.2°), 22.3°(±0.2°), 24.2°(±0.2°), 24.8°(±0.2°), 및 26.9°(±0.2°)로부터 선택된 하나 이상의 XRPD 피크와 조합된 2θ = 7.9°(±0.2°), 13.4°(±0.2°), 14.0°(±0.2°), 15.0°(±0.2°), 및 23.4°(±0.2°)의 특정 XRPD 피크를 갖는, 다형체 형태 B.
  14. 14
    제 10 항에 있어서, 도 2에 도시된 XRPD 패턴에서의 피크를 실질적으로 모두 갖는, 다형체 형태 B.
  15. 15
    하기 화학식 I의 화합물의 다형체 형태 D:[화학식 I] .
  16. 16
    제 15 항에 있어서, 2θ = 11.4°(±0.2°), 17.4°(±0.2°), 및 22.9°(±0.2°)의 특정 XRPD 피크를 갖는, 다형체 형태 D.
  17. 17
    제 16 항에 있어서, 2θ = 9.2°(±0.2°) 및 18.3°(±0.2°)로부터 선택된 하나 이상의 특정 XRPD 피크를 추가로 포함하는, 다형체 형태 D.
  18. 18
    제 15 항에 있어서, 2θ = 9.8°(±0.2°), 12.2°(±0.2°), 15.8°(±0.2°), 16.2°(±0.2°), 16.8°(±0.2°), 18.9°(±0.2°), 19.9°(±0.2°), 20.0°(±0.2°), 24.9°(±0.2°), 및 29.3°(±0.2°)로부터 선택된 하나 이상의 XRPD 피크와 조합된 2θ = 9.2°(±0.2°), 11.4°(±0.2°), 17.4°(±0.2°), 18.3°(±0.2°), 및 22.9°(±0.2°)의 특정 XRPD 피크를 갖는, 다형체 형태 D.
  19. 19
    제 15 항에 있어서, 도 4에 도시된 XRPD 패턴에서의 피크를 실질적으로 모두 갖는, 다형체 형태 D.
  20. 20
    하기 화학식 I의 화합물의 다형체 형태 E:[화학식 I] .
  21. 21
    제 20 항에 있어서, 2θ = 6.7°(±0.2°), 9.3°(±0.2°), 및 24.4°(±0.2°)의 특정 XRPD 피크를 갖는, 다형체 형태 E.
  22. 22
    제 21 항에 있어서, 2θ = 12.7°(±0.2°) 및 13.9°(±0.2°)로부터 선택된 하나 이상의 특정 XRPD 피크를 추가로 포함하는, 다형체 형태 E.
  23. 23
    제 20 항에 있어서, 2θ = 12.4°(±0.2°), 13.3°(±0.2°), 14.3°(±0.2°), 15.5°(±0.2°), 17.4°(±0.2°), 18.5°(±0.2°), 22.0°(±0.2°), 23.9°(±0.2°), 24.1°(±0.2°), 및 26.4°(±0.2°)로부터 선택된 하나 이상의 XRPD 피크와 조합된 2θ = 6.7°(±0.2°), 9.3°(±0.2°), 12.7°(±0.2°), 13.9°(±0.2°), 및 24.4°(±0.2°)의 특정 XRPD 피크를 갖는, 다형체 형태 E.
  24. 24
    제 20 항에 있어서, 도 5에 도시된 XRPD 패턴에서의 피크를 실질적으로 모두 갖는, 다형체 형태 E.
  25. 25
    하기 화학식 I의 화합물의 다형체 형태 F:[화학식 I] .
  26. 26
    제 25 항에 있어서, 2θ = 9.6°(±0.2°), 17.3°(±0.2°), 및 24.6°(±0.2°)의 특정 XRPD 피크를 갖는, 다형체 형태 F.
  27. 27
    제 26 항에 있어서, 2θ = 14.0°(±0.2°) 및 19.2°(±0.2°)로부터 선택된 하나 이상의 특정 XRPD 피크를 추가로 포함하는, 다형체 형태 F.
  28. 28
    제 25 항에 있어서, 2θ = 12.4°(±0.2°), 16.1°(±0.2°), 16.6°(±0.2°), 17.1°(±0.2°), 20.8°(±0.2°), 21.5°(±0.2°), 22.0°(±0.2°), 24.3°(±0.2°), 25.2°(±0.2°), 및 25.4°(±0.2°)로부터 선택된 하나 이상의 XRPD 피크와 조합된 2θ = 9.6°(±0.2°), 14.0°(±0.2°), 17.3°(±0.2°), 19.2°(±0.2°), 및 24.6°(±0.2°)의 특정 XRPD 피크를 갖는, 다형체 형태 F.
  29. 29
    제 25 항에 있어서, 도 6에 도시된 XRPD 패턴에서의 피크를 실질적으로 모두 갖는, 다형체 형태 F.
  30. 30
    하기 화학식 I의 화합물의 다형체 형태 G:[화학식 I] .
  31. 31
    제 30 항에 있어서, 2θ = 6.7°(±0.2°), 9.5°(±0.2°), 및 19.0°(±0.2°)의 특정 XRPD 피크를 갖는, 다형체 형태 G.
  32. 32
    제 31 항에 있어서, 2θ = 10.6°(±0.2°) 및 19.6°(±0.2°)로부터 선택된 하나 이상의 특정 XRPD 피크를 추가로 포함하는, 다형체 형태 G.
  33. 33
    제 30 항에 있어서, 2θ = 13.4°(±0.2°), 15.0°(±0.2°), 15.8°(±0.2°), 17.8°(±0.2°), 20.7°(±0.2°), 21.2°(±0.2°), 22.8°(±0.2°), 23.8°(±0.2°), 24.3°(±0.2°), 및 25.6°(±0.2°)로부터 선택된 하나 이상의 XRPD 피크와 조합된 2θ = 6.7°(±0.2°), 9.5°(±0.2°), 10.6°(±0.2°), 19.0°(±0.2°), 및 19.6°(±0.2°)의 특정 XRPD 피크를 갖는, 다형체 형태 G.
  34. 34
    제 30 항에 있어서, 도 7에 도시된 XRPD 패턴에서의 피크를 실질적으로 모두 갖는, 다형체 형태 G.
  35. 35
    하기 화학식 I의 화합물의 다형체 형태 H:[화학식 I] .
  36. 36
    제 35 항에 있어서, 2θ = 8.9°(±0.2°), 9.2°(±0.2°), 및 14.1°(±0.2°)의 특정 XRPD 피크를 갖는, 다형체 형태 H.
  37. 37
    제 36 항에 있어서, 2θ = 17.3°(±0.2°) 및 18.53°(±0.2°)로부터 선택된 하나 이상의 특정 XRPD 피크를 추가로 포함하는, 다형체 형태 H.
  38. 38
    제 35 항에 있어서, 2θ = 7.1°(±0.2°), 10.6°(±0.2°), 11.3°(±0.2°), 11.6°(±0.2°), 16.2°(±0.2°), 18.3°(±0.2°), 18.8°(±0.2°), 20.3°(±0.2°), 21.7°(±0.2°), 및 24.7°(±0.2°)로부터 선택된 하나 이상의 XRPD 피크와 조합된 2θ = 8.9°(±0.2°), 9.2°(±0.2°), 14.1°(±0.2°), 17.3°(±0.2°), 및 18.5°(±0.2°)의 특정 XRPD 피크를 갖는, 다형체 형태 H.
  39. 39
    제 35 항에 있어서, 도 8에 도시된 XRPD 패턴에서의 피크를 실질적으로 모두 갖는, 다형체 형태 H.
  40. 40
    하기 화학식 I의 화합물의 다형체 형태 I:[화학식 I] .
  41. 41
    제 40 항에 있어서, 2θ = 9.7°(±0.2°), 19.3°(±0.2°), 및 24.5°(±0.2°)의 특정 XRPD 피크를 갖는, 다형체 형태 I.
  42. 42
    제 41 항에 있어서, 2θ = 11.4°(±0.2°) 및 14.2°(±0.2°)로부터 선택된 하나 이상의 XRPD 피크를 추가로 포함하는, 다형체 형태 I.
  43. 43
    제 40 항에 있어서, 2θ = 9.2°(±0.2°), 14.7°(±0.2°), 15.5°(±0.2°), 16.7°(±0.2°), 17.3°(±0.2°), 18.4°(±0.2°), 21.4°(±0.2°), 22.9°(±0.2°), 29.1°(±0.2°), 및 34.1°(±0.2°)로부터 선택된 하나 이상의 XRPD 피크와 조합된 2θ = 9.7°(±0.2°), 11.4°(±0.2°), 14.2°(±0.2°), 19.3°(±0.2°), 및 24.5°(±0.2°)의 특정 XRPD 피크를 갖는, 다형체 형태 I.
  44. 44
    제 40 항에 있어서, 도 9에 도시된 XRPD 패턴에서의 피크를 실질적으로 모두 갖는, 다형체 형태 I.
  45. 45
    하기 화학식 I의 화합물의 다형체 형태 J:[화학식 I] .
  46. 46
    제 45 항에 있어서, 2θ = 9.1°(±0.2°), 17.3°(±0.2°), 및 18.3°(±0.2°)의 특정 XRPD 피크를 갖는, 다형체 형태 J.
  47. 47
    제 46 항에 있어서, 2θ = 16.4°(±0.2°) 및 17.9°(±0.2°)로부터 선택된 하나 이상의 특정 XRPD 피크를 추가로 포함하는, 다형체 형태 J.
  48. 48
    제 45 항에 있어서, 2θ = 9.4°(±0.2°), 10.1°(±0.2°), 10.7°(±0.2°), 14.0°(±0.2°), 14.3°(±0.2°), 15.5°(±0.2°), 16.9°(±0.2°), 19.9°(±0.2°), 24.0°(±0.2°), 및 24.7°(±0.2°)로부터 선택된 하나 이상의 XRPD 피크와 조합된 2θ = 9.1°(±0.2°), 16.4°(±0.2°), 17.3°(±0.2°), 17.9°(±0.2°), 및 18.3°(±0.2°)의 특정 XRPD 피크를 갖는, 다형체 형태 J.
  49. 49
    제 45 항에 있어서, 도 10에 도시된 XRPD 패턴에서의 피크를 실질적으로 모두 갖는, 다형체 형태 J.
  50. 50
    하기 화학식 I의 실질적으로 비정질인 화합물:[화학식 I] .
  51. 51
    (i) 화학식 I의 화합물의 비-형태 C 다형체의 총량의 약 50% 이상을 형태 C로 전환시키기에 충분한 시간 동안 화학식 I의 화합물의 하나 이상의 비-형태 C 다형체, 또는 이의 염, 용매화물 또는 수화물을 포함한 조성물을 비-무수 조건 하에 노출시키는 단계; 및 (ii) 다형체 형태 C를 회수하는 단계 를 포함하는, 하기 화학식 I의 다형체 형태 C의 제조 방법:[화학식 I] .
  52. 52
    제 51 항에 있어서, 상기 비-무수 조건이 액체 수를 포함하는, 방법.
  53. 53
    제 52 항에 있어서, 상기 비-무수 조건이 물-혼화성 용매 및 액체 수 용매계를 포함하는, 방법.
  54. 54
    제 53 항에 있어서, 상기 액체 수가 용매계의 약 1 부피%, 약 5 부피%, 약 10 부피%, 약 15 부피%, 약 20 부피%, 약 25 부피%, 약 30 부피%, 약 35 부피%, 약 40 부피%, 약 45 부피%, 약 50 부피%, 약 55 부피%, 약 60 부피%, 약 65 부피%, 약 70 부피%, 약 75 부피%, 약 80 부피%, 약 85 부피%, 약 90 부피%, 약 95 부피%, 및 약 100 부피%로부터 선택된 양으로 존재하는, 방법.
  55. 55
    제 54 항에 있어서, 상기 액체 수가 용매계의 약 85 내지 약 95 부피%의 양으로 존재하는, 방법.
  56. 56
    제 51 항에 있어서, 하나 이상의 비-형태 C 다형체가 형태 A, 형태 B, 형태 D, 형태 E, 형태 F, 형태 G, 형태 H, 형태 I, 형태 J, 비정질 형태, 또는 이들의 염, 용매화물, 수화물, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는, 방법.
  57. 57
    제 56 항에 있어서, 하나 이상의 비-형태 C 다형체가 다형체 형태 A를 약 50 중량% 이상 포함하는, 방법.
  58. 58
    i) 하기 화학식 Ia의 화합물을 하나 이상의 시약과 조합해 보호기 PG 2 를 제거하여 화학식 I의 화합물을 형성하는 단계; 및 ii) 화학식 I의 화합물의 다형체 형태 C를 회수하는 단계 를 포함하되, 상기 단계 i) 및 ii) 중 하나 이상은 비-무수 조건에서 일어나는, 하기 화학식 I의 화합물의 다형체 형태 C의 제조 방법:[화학식 Ia] [화학식 I] 상기 식에서, PG 2 는 메틸설폰일, 치환된 메틸설폰일, 벤젠설폰일, 치환된 벤젠설폰일, 벤질옥시카본일, 치환된 벤질옥시카본일, 2,2,2-트라이클로로에톡시카본일, 2-트라이메틸실일에톡시카본일, t-부톡시카본일, 1-아다만틸옥시카본일, 2-아다만틸옥시카본일, 알킬, 치환된 알킬, t-부틸다이메틸실일, 트라이이소프로필실일, 알릴, 벤질, 치환된 벤질, 하이드록시메틸, 메톡시메틸, 다이에톡시메틸, (2-클로로에톡시)메틸, t-부톡시메틸, t-부틸다이메틸실옥시메틸, 피발로일옥시메틸, 벤질옥시메틸, 다이메틸아미노메틸, 2-테트라하이드로피란일, 치환된 알콕시메틸 및 치환된 아릴옥시메틸로부터 선택된 보호기이고, 이때, 치환체는 알킬, 헤테로알킬, 알켄일, 알킨일, 사이클로알킬, 헤테로사이클일, 아릴, 아릴알킬, 헤테로아릴, 헤테로아릴알킬, 알콕시, 사이클로알콕시, 헤테로사이클일옥시, 아릴옥시, 헤테로아릴옥시, 아마이도, 아미노, 아실, 아실옥시, 알콕시카본일, 에스터, 에터, 티오, 설핀일, 설폰일, 설폰아마이도, 할로, 시아노, 하이드록실, 니트로, 포스페이트, 우레아, 카바메이트 및 카본에이트로부터 선택된다.
  59. 59
    제 58 항에 있어서, 보호기 PG 2 를 제거하기 위한 하나 이상의 시약이 HCl, HBr, TFA, Na 2 CO 3 및 K 2 CO 3 , NaOH, KOH, 메틸 리튬, 에틸 리튬, 프로필 리튬, n-부틸 리튬, n-펜틸 리튬, n-헥실 리튬, 세륨 암모늄 니트레이트, 사이클로헥사다이엔/Pd 블랙, H 2 /Pd/C, TBAF, 및 BF 3 ㆍEt 2 O로부터 선택된, 방법.
  60. 60
    (i) 다이클로로메탄 중의 다형태 C의 제 1 슬러리를 제조하는 단계; (ii) 제 1 슬러리 중의 고체를 여과함으로써 회수하는 단계; (iii) 물 중의 단계 ii)에서 회수된 고체의 제 2 슬러리를 제조하는 단계; 및 (iv) 제 2 슬러리 중의 고체를 여과함으로써 회수하여 다형체 형태 C를 수득하는 단계 를 포함하는, 하기 화학식 I의 화합물의 다형체 형태 C의 제조 방법:[화학식 I] .
  61. 61
    i) 제 1 항 또는 제 50 항에 따른 화합물, ii) 제 2 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 따른 혼합물, 또는 iii) 제 5 항 내지 제 49 항 중 어느 한 항에 따른 다형체 및 하나 이상의 약학적으로 허용가능한 부형제를 포함하는 약학 조성물.
  62. 62
    치료 효과량의 하기 화학식 I의 화합물의 다형체 형태 C, 또는 이의 약학적으로 허용가능한 염, 용매화물 또는 수화물, 및 하나 이상의 약학적으로 허용가능한 부형제를 포함하는 약학 조성물:[화학식 I] .
  63. 63
    제 62 항에 있어서, 화학식 I의 화합물의 다형체 형태 A, 형태 B, 형태 D, 형태 E, 형태 F, 형태 G, 형태 H, 형태 I, 형태 J, 또는 비정질 형태로부터 선택된 하나 이상의 비-형태 C 다형체, 또는 이의 염, 용매화물 또는 수화물을 추가로 포함하는, 약학 조성물.
  64. 64
    제 63 항에 있어서, 약 9:1 초과의 형태 C:형태 A 비율로 다형체 형태 C 및 다형체 형태 A를 포함하는, 약학 조성물.
  65. 65
    제 62 항에 있어서, 규화된 미정질 셀룰로스, 락토스, 만니톨, 전분, 소르비톨, 수크로스, 인산 이칼슘, 미정질 셀룰로스, 크로스포비돈, 크로스카멜로스 나트륨, 및 나트륨 전분 글리콜레이트, 이산화규소, 규산 마그네슘, 활석, 마그네슘 스테아레이트, 나트륨 스테아릴 푸마레이트, 스테아르산, 나트륨 라우릴 설페이트, 나트륨 도데실 설페이트, 트윈 ®80, 및 루트롤(Lutrol) ®로부터 선택된 하나 이상의 약학적으로 허용가능한 부형제를 포함하는, 약학 조성물.
  66. 66
    개체에게 하기를 치료 효과량 투여하는 것을 포함하는 PI3K 매개된 질환의 치료 방법:i) 제 1 항 또는 제 50 항에 따른 화합물, ii) 제 2 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 따른 혼합물, iii) 제 5 항 내지 제 49 항 중 어느 한 항에 따른 다형체, 또는 iv) 제 61 항 내지 제 65 항 중 어느 한 항에 따른 약학 조성물.
  67. 67
    제 66 항에 있어서, 상기 질환이 암, 염증성 질환 또는 자가-면역 질환인, 방법.
  68. 68
    개체에서 PI3K 매개된 질환의 치료용 약제의 제조를 위한 하기의 용도:i) 제 1 항 또는 제 50 항에 따른 화합물, ii) 제 2 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 따른 혼합물, iii) 제 5 항 내지 제 49 항 중 어느 한 항에 따른 다형체, 또는 iv) 제 61 항 내지 제 65 항 중 어느 한 항에 따른 약학 조성물.
Independent claims68