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KR100417543B1

High speed input buffer

Abstract

Describes a data bus having an integrated circuit coupled thereto, such as a memory circuit. The integrated circuit includes an input buffer circuit adapted to receive and latch high-speed data transfers. The input buffer circuit equalizes the sense circuit, samples the input data, senses the sampled input data, and latches the sensed data during different phases of the input clock cycle. An input buffer circuit having two receiver circuits for receiving data transmission with high-speed data transmission is described.

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Expired 28 April 2019, 7.4 years ago.

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21 claims: 7 independent, 14 dependent

  1. 1
    고속 데이터 버스에 결합되는 입력 버퍼 회로에 있어서, 데이터 입력 노드 및 데이터 버스 단자전압에 선택적으로 결합된 차동 감지 증폭기 회로;등화신호에 응답하여 상기 차동 감지 증폭기 회로를 상기 데이터 버스 단자전압에 등화시키기 위해, 상기 차동 감지 증폭기 회로 및 상기 데이터 버스 단자 전압에 결합된 등화회로;샘플신호에 응답하여 상기 데이터 입력 노드 및 상기 데이터 버스 단자전압을 상기 차동 감지 증폭기 회로에 선택적으로 결합하는 결합회로;감지신호에 응답하여 상기 차동 감지 증폭기 회로를 활성화시키는 감지 증폭기 활성화 회로;및 상기 차동 감지 증폭기 회로에 결합되며, 래치신호에 응답하여 상기 차동 감지 증폭기 회로의 데이터의 상태를 래치하는 래치회로를 포함하는, 입력 버퍼 회로.
  2. 2
    제1항에 있어서, 상기 등화회로는 트랜지스터를 포함하고, 상기 트랜지스터는 상기 등화신호에 결합된 게이트, 상기 감지 증폭기의 제1 감지 노드에 접속된 소스, 상기 감지 증폭기의 제2 감지노드에 접속된 게이트를 갖는, 입력 버퍼 회로.
  3. 3
    고속 데이터 버스에 결합되는 입력 버퍼를 포함하는 집적회로에 있어서, 상기 입력 버퍼 회로는, 제1 및 제2 수신기 회로들로서, 각각의 수신기 회로는, 데이터 입력 노드 및 데이터 버스 단자전압에 선택적으로 결합되는 차동 감지 증폭기 회로, 등화신호에 응답하여 상기 차동 감지 증폭기 회로를 상기 데이터 버스 단자전압에 등화시키기 위해, 상기 차동 감지 증폭기 회로 및 상기 데이터 버스 단자전압에 결합된 등화회로, 샘플신호에 응답하여 상기 데이터 입력 노드 및 상기 데이터 버스 단자전압을 상기 차동 감지 증폭기 회로에 선택적으로 결합하는 결합회로, 감지신호에 응답하여 상기 차동 감지 증폭기 회로를 활성화시키는 감지 증폭기 활성화 회로를 포함하는, 상기 제1 및 제2 수신기 회로들;상기 제1 수신기 회로의 차동 감지 증폭기 회로에 결합되어 있으며, 래치신호에 응답하여 상기 제1 수신기 회로의 데이터 상태를 래치하는 제1 래치회로;및 상기 제2 수신기 회로의 차동 감지 증폭기 회로에 결합되어 있으며, 래치신호에 응답하여 상기 제2 수신기 회로의 데이터를 상태를 래치하는 제2 래치회로를 포함하는, 집적회로.
  4. 4
    제3항에 있어서, 외부에서 제공된 클록신호를 수신하는 클록 입력 노드;상기 클록 입력 노드에 접속되며, 상기 제1 및 제2 수신기 회로들에 결합된 등화신호, 샘플신호, 감지신호 및 래치신호를 생성하는 위상 발생회로를 더 포함하는, 집적회로.
  5. 5
    제4항에 있어서, 상기 집적회로는 다이나믹 랜덤 액세스 메모리(DRAM)인, 집적회로.
  6. 6
    제3항에 있어서, 상기 고속 데이터 버스에 결합된 출력 구동기 회로를 더 포함하며;상기 출력 구동기 회로는, 데이터 출력노드에 접속되며, 풀업신호에 응답하여 활성화되는 풀업 트랜지스터, 상기 출력노드에 접속되며, 풀다운 신호에 응답하여 활성화되는 풀다운 트랜지스터, 상기 풀업 트랜지스터와 상위 전압 레벨 노드간에 접속된 풀업 구동 조정 회로, 및 상기 풀다운 트랜지스터와 하위 전압 레벨 노드간에 접속된 풀다운 구동 조정 회로를 포함하는, 집적회로.
  7. 7
    제6항에 있어서, 상기 풀업 및 풀다운 트랜지스터들의 활성화를 제어하는 슬루 레이트(slew rate) 제어회로를 더 포함하는, 집적회로.
  8. 8
    제3항에 있어서, 상기 단자전압은 상위 공급전압(Vdd)과 하위 공급전압(Vss)간의 차의 반인, 집적회로.
  9. 9
    고속 데이터 버스에 결합되는 메모리 장치에 있어서, 외부에서 공급되는 클록신호를 수신하는 클록 입력 노드;데이터 입력 노드 및 데이터 버스 단자전압에 선택적으로 결합된 차동 감지 증폭기 회로, 상기 차동 감지 증폭기 회로 및 상기 데이터 버스 단자전압에 결합되며, 제1 등화신호에 응답하여 상기 차동 감지 증폭기 회로를 상기 데이터 버스 단자전압에 등화시키는 등화회로, 제1 샘플신호에 응답하여 상기 데이터 입력 노드 및 상기 데이터 버스 단자전압을 상기 차동 감지 증폭기 회로에 선택적으로 결합하는 결합회로, 및 제1 감지신호에 응답하여 상기 차동 감지 증폭기 회로를 활성화시키는 감지 증폭기 활성화 회로를 포함하는 제1 수신기 회로;상기 제1 수신기 회로의 상기 차동 감지 증폭기 회로에 결합되며, 제1 래치신호에 응답하여 상기 제1 수신기 회로의 데이터 상태를 래치하는 제1 래치회로;및 상기 클록 입력 노드에 접속되며, 상기 제1 등화신호, 상기 제1 샘플신호, 상기 제1 감지신호 및 상기 제1 래치신호를 생성하는 위상 발생회로를 포함하는, 메모리 장치.
  10. 10
    제9항에 있어서, 출력 구동기 회로를 더 포함하며;상기 출력 구동기 회로는, 데이터 출력노드에 접속되며, 풀업신호에 응답하여 활성화되는 풀업 트랜지스터;상기 출력노드에 접속되며, 풀다운 신호에 응답하여 활성화되는 풀다운 트랜지스터;상기 풀업 트랜지스터와 상위 전압 레벨 노드간에 접속된 풀업 구동 조정 회로;및 상기 풀다운 트랜지스터와 하위 전압 레벨 노드간에 접속된 풀다운 구동 조정 회로를 포함하는, 메모리 장치.
  11. 11
    제9항에 있어서, 데이터 입력 노드 및 데이터 버스 단자전압에 선택적으로 결합되는 차동 감지 증폭기 회로, 상기 차동 감지 증폭기 회로 및 상기 데이터 버스 단자전압에 결합되며, 제2 등화신호에 응답하여 상기 차동 감지 증폭기 회로를 상기 데이터 버스 단자전압에 등화시키는 등화회로, 제2 샘플신호에 응답하여 상기 데이터 입력 노드 및 상기 데이터 버스 단자전압을 상기 차동 감지 증폭기 회로에 선택적으로 결합하는 결합회로, 및 제2 감지신호에 응답하여 상기 차동 감지 증폭기 회로를 활성화시키는 감지 증폭기 활성화 회로를 포함하는, 제2 수신기 회로;상기 제2 수신기 회로의 상기 차동 감지 증폭기 회로에 결합되며, 제2 래치신호에 응답하여 상기 제2 수신기 회로의 데이터를 상태를 래치하는 제2 래치회로;및 상기 제2 등화신호, 상기 제2 샘플신호, 상기 제2 감지신호 및 상기 제2 래치신호를 또한 생성하는 상기 위상 발생회로를 더 포함하는, 메모리 장치.
  12. 12
    제9항에 있어서, 상기 메모리 장치는 다이나믹 랜덤 액세스 메모리(DRAM)인, 메모리 장치.
  13. 13
    데이터 통신 시스템에 있어서, 단자회로 및 단자전압으로 종단되는 복수의 통신라인들을 갖는 버스;상기 통신라인들에 접속된 제어회로;및 상기 통신라인들에 접속된 복수의 메모리 장치들로서, 상기 메모리 장치들은, 상기 통신라인들 중 하나에 제공된 데이터 신호들을 수신하도록 접속된 데이터 통신 입력을 가지며, 상기 데이터 통신 입력 및 상기 단자전압에 선택적으로 결합된 차동 감지 증폭기 회로, 상기 차동 감지 증폭기 회로 및 상기 단자전압에 접속되며, 등화신호에 응답하여 상기 차동 감지 증폭기 회로를 상기 단자전압에 등화시키는 등화회로, 샘플신호에 응답하여 상기 통신 입력 및 상기 단자전압을 상기 차동 감지 증폭기 회로에 선택적으로 결합하는 결합회로, 감지신호에 응답하여 상기 차동 감지 증폭기 회로를 활성화시키는 감지 증폭기 활성화 회로, 및 상기 차동 감지 증폭기 회로에 결합되며, 래치신호에 응답하여 상기 차동 감지 증폭기 회로의 데이터를 상태를 래치하는 래치회로를 포함하는, 상기 복수의 메모리 장치를 포함하는, 데이터 통신 시스템.
  14. 14
    제13항에 있어서, 상기 단자회로는 저항기이고 상기 단자 전압은 상위 공급전압(Vdd)과 하위 공급전압(Vss)간 차의 반인, 데이터 통신 시스템.
  15. 15
    제13항에 있어서, 상기 복수의 메모리 장치들은 다이나믹 랜덤 액세스 메모리들(DRAMs)인, 데이터 통신 시스템.
  16. 16
    메모리 장치에 있어서, 데이터 신호들을 수신하는 입력노드;상기 입력노드에 선택적으로 결합된 수신기 회로;및 상기 감지 증폭기 회로의 상기 제2 감지노드에 접속되어 있으며, 래치신호에 응답하여 상기 제2 감지노드 상에 제공된 전압을 래치하는 래치를 포함하며;상기 수신기 회로는, 제1 및 제2 p형 트랜지스터들을 갖는 차동 감지 증폭기로서, 상기 제1 p형 트랜지스터는 감지신호를 수신하도록 접속된 드레인, 상기 감지 증폭기의 제1 감지노드에 접속된 소스 및 상기 제2 p형 트랜지스터의 소스에 접속된 게이트를 가지며, 상기 제2 p형 트랜지스터는 상기 감지신호를 수신하도록 접속된 드레인, 상기 감지 증폭기의 제2 감지노드에 접속된 소스 및 상기 제1 p형 트랜지스터의 소스에 접속된 게이트를 가지며, 상기 차동 감지 증폭기는 제1 및 제2 n형 트랜지스터들을 더 가지며, 상기 제1 n형 트랜지스터는 감지회로에 접속된 드레인, 상기 감지 증폭기의 제1 감지노드에 접속된 소스 및 상기 제2 n형 트랜지스터의 소스에 접속된 게이트를 가지며, 상기 제2 n형 트랜지스터는 상기 감지회로에 접속된 드레인, 상기 감지 증폭기의 제2 감지노드에 접속된 소스 및 상기 제1 n형 트랜지스터의 소스에 접속된 게이트를 가지는, 상기 차동 감지 증폭기;상기 차동 감지증폭기의 제1 및 제2 감지노드에 접속되며, 상기 차동 감지 증폭기의 제1 감지노드에 접속된 소스, 상기 차동 감지 증폭기의 제2 감지노드에 접속된 드레인 및 등화신호를 수신하도록 접속된 게이트를 갖는 트랜지스터를 포함하며, 상기 제1 및 제2 감지노드들과 데이터 버스 단자전압간에 접속된 제1 및 제2 트랜지스터들을 더 포함하며, 상기 제1 및 제2 트랜지스터들은 상기 제1 및 제2 감지 노드들을 상기 단자전압에 선택적으로 접속하도록 상기 등화신호에 결합된 게이트를 갖는, 등화 회로;감지신호에 응답하여 상기 단자전압이나 접지전위에 상기 등화 트랜지스터들을 선택적으로 결합하는 제1 및 제2 감지 트랜지스터들을 포함하는 감지회로;상기 입력노드와 상기 제1 감지노드 사이에 접속되며, 샘플신호에 응답하여 상기 데이터 신호를 상기 제1 감지노드에 선택적으로 결합하는 제1 결합회로;및 상기 단자전압과 상기 제2 감지 노드 사이에 접속되며, 상기 샘플신호에 응답하여 상기 단자전압을 상기 제2 감지노드에 선택적으로 결합하는 제2 결합회로를 포함하는, 메모리 장치.
  17. 17
    제16항에 있어서, 출력 구동기 회로를 더 포함하며;상기 출력 구동기 회로는, 데이터 출력노드에 접속되며, 풀업신호에 응답하여 활성화되는 풀업 트랜지스터;상기 출력노드에 접속되며, 풀다운 신호에 응답하여 활성화되는 풀다운 트랜지스터;상기 풀업 트랜지스터와 상위 전압 레벨 노드간에 접속된 풀업 구동 조정 회로;및 상기 풀다운 트랜지스터와 하위 전압 레벨 노드간에 접속된 풀다운 구동 조정 회로를 포함하는, 메모리 장치.
  18. 18
    제16항에 있어서, 상기 데이터 버스 단자전압은 상위 공급전압(Vdd)과 하위 공급전압(Vss)간 차의 반인, 메모리 장치.
  19. 19
    제16항에 있어서, 상기 메모리 장치는 다이나믹 랜덤 액세스 메모리(DRAM)인, 메모리 장치.
  20. 20
    단자전압에 결합된 데이터 버스에 접속된 집적회로에서 데이터를 수신하는 방법에 있어서, 클록신호를 수신하고, 등화신호, 샘플신호, 감지신호 및 래치신호를 발생시키는 단계;상기 등화신호를 사용하여 제1 및 제2 감지노드들을 갖는 차동 감지 증폭기를 상기 단자전압에 등화시키는 단계;상기 샘플신호에 응답하여 상기 데이터 버스에 접속된 데이터 입력에 상기 제1 감지노드를 결합하는 단계;상기 데이터 입력의 상태를 검출 및 증폭하도록 상기 감지신호로 상기 차동 감지 증폭기를 활성화시키는 단계;및 상기 래치신호에 응답하여 상기 증폭된 데이터 입력을 래치하는 단계를 포함하는, 데이터 수신 방법.
  21. 21
    단자전압에 결합된 데이터 버스에 접속된 집적회로에서 데이터를 수신하는 방법에 있어서, 클록신호를 수신하고, 제1 등화신호, 제1 샘플신호, 제1 감지신호 및 제1 래치신호를 발생시키는 단계;상기 제1 등화신호를 사용하여 제1 및 제2 감지노드들을 갖는 제1 차동 감지 증폭기를 상기 단자전압에 등화시키는 단계;상기 제1 샘플신호에 응답하여 상기 데이터 버스에 접속된 데이터 입력에 상기 제1 감지 증폭기의 제1 감지노드를 결합하는 단계;상기 데이터 입력의 상태를 검출 및 증폭하도록 상기 제1 감지신호로 상기 제1 차동 감지 증폭기를 활성화시키는 단계;상기 제1 래치신호에 응답하여 상기 제1 래치회로에서 상기 증폭된 데이터 입력을 래치하는 단계;제2 등화신호, 제2 샘플신호, 제2 감지신호 및 제2 래치신호를 발생시키는 단계;상기 제2 등화신호를 사용하여 제1 및 제2 감지노드들을 갖는 제2 차동 감지 증폭기를 상기 단자전압에 등화시키는 단계;상기 제2 샘플신호에 응답하여 상기 데이터 버스에 접속된 데이터 입력에 상기 제2 감지 증폭기의 상기 제1 감지노드를 결합하는 단계;상기 데이터 입력의 상태를 검출 및 증폭하도록 상기 제2 감지신호로 상기 제2 차동 감지 증폭기를 활성화시키는 단계;및 상기 제2 래치신호에 응답하여 제2 래치회로에서 상기 증폭된 데이터 입력을 래치하는 단계를 포함하는, 데이터 수신 방법.
Independent claims21