Nova Patents
JP4472011B2

Patterning substrates employing multiple chucks

Abstract

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JP4472011B2, drawing sheet 1
Sheet 1 of 34

Term

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Expires 20 January 2027.

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21 claims: 5 independent, 16 dependent

  1. 1
    ナノインプリント・リソグラフィ・システムにおいて第1と第2の基板をパターニングする方法であって、 空洞と、ナノインプリント・モールド・アセンブリに向かって配置される前記第1の基板の第1側面と、第1の基板チャックに向かって配置される前記第1の基板の第2側面を有する前記第1の基板チャック上に前記第1の基板を配置するステップと、 前記第1の基板の前記第1側面上にナノインプリント材料を配置するステップと、 前記第1の基板とナノインプリント・モールド・アセンブリ間の空間関係を取得して、第2の基板チャック上に前記第2の基板を配置するのと同時に、前記ナノインプリント・モールド・アセンブリを用いて、前記第1の基板の前記第1の側面上の前記ナノインプリント材料内にパターンをインプリントするステップと、 前記ナノインプリント・モールド・アセンブリを前記第1の基板上の前記ナノインプリント材料から分離するステップと、 前記第2の基板上にナノインプリント材料を配置するステップと、 前記第2の基板と前記ナノインプリント・モールド・アセンブリ間の空間関係を取得するのと同時に、前記第1の基板を前記第1の基板チャックから取り外し、かつ前記ナノインプリント・モールド・アセンブリを用いて前記第2の基板上の前記ナノインプリント材料内にパターンをインプリントするステップと、 前記ナノインプリント・モールド・アセンブリを前記第2の基板上の前記ナノインプリント材料から分離するステップであって、前記第1と第2の基板は、実質的に同じ処理条件を受ける、ステップと、から構成され、 前記前記第1の基板を前記第1の基板チャックから取り外すステップは、前記ナノインプリント・モールド・アセンブリに対して前記第1の基板を180度フリッピングするステップをさらに含み、前記第1の基板上のナノインプリント材料が前記第1の基板チャックの前記空洞内に配置されるようにすることを特徴とする方法。
  2. 2
    前記第2の基板チャックから前記第2の基板を取り外すステップをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
  3. 3
    前記第2の基板を取り外す前記ステップは、前記ナノインプリント・モールド・アセンブリに対して前記第2の基板を180度フリッピングするステップをさらに含むことを特徴とする請求項2に記載の方法。
  4. 4
    前記第1の基板を配置する前記ステップは、第3の基板と前記ナノインプリント・モールド・アセンブリ間の空間関係を取得し、かつ前記第2の基板チャック上に配置された前記第3の基板上のナノインプリント材料にパターンを形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
  5. 5
    前記第1の基板と前記ナノインプリント・モールド・アセンブリとの間の空間関係を取得する前記ステップは、同時に第3の基板を前記第2の基板チャックから取り外すステップをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
  6. 6
    前記第1の基板を前記第1の基板チャックから取り外す前記ステップは、同時に第3の基板を前記第1の基板チャック上に配置するステップをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
  7. 7
    前記第1と第2の基板に平行な軸の周りで前記第1と第2の基板チャックを並進させるステップをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
  8. 8
    前記第1と第2の基板に垂直な軸の周りで前記第1と第2の基板チャックを回転させるステップをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
  9. 9
    ナノインプリント・リソグラフィ・システムにおける第1と第2の基板を処理する方法であって、 空洞を有する第1の基板チャックとナノインプリント・モールド・アセンブリ間の第1の空間関係、および前記第1の空間関係とは異なる、第2の基板チャックと前記ナノインプリント・モールド・アセンブリ間の第2の空間関係を取得して、前記第2の基板と前記第2の基板チャックと間に所望の空間関係を取得する間に、前記ナノインプリント・モールド・アセンブリを用いて、パターンが前記第1の基板チャック上に配置された前記第1の基板上のナノインプリント材料にインプリントされるようにするステップと、 前記第1の基板上の前記ナノプリント材料から前記ナノインプリント・モールド・アセンブリを分離するステップと、 前記ナノインプリント・モールド・アセンブリに対して、前記第1の基板を180度フリッピングして、前記第1の基板が前記第1の基板チャックの前記空洞内に配置されるようにするステップと、から構成されることを特徴とする方法。
  10. 10
    前記第1と第2の基板は、実質的に同じ処理条件を受けることを特徴とする請求項9に記載の方法。
  11. 11
    前記第2の基板と前記第2の基板チャックとの間に所望の空間関係を取得する前記ステップは、前記第2の基板を前記第2の基板チャック上に配置するステップをさらに含むことを特徴とする請求項9に記載の方法。
  12. 12
    前記第2の基板と前記第2の基板チャックとの間に所望の空間関係を取得する前記ステップは、前記第2の基板を前記第2の基板チャック上に配置されることから取り外すステップをさらに含むことを特徴とする請求項9に記載の方法。
  13. 13
    前記第2の基板を取り外す前記ステップは、前記ナノインプリント・モールド・アセンブリに対して前記第2の基板を180度フリッピングするステップをさらに含むことを特徴とする請求項12に記載の方法。
  14. 14
    前記第1の基板を前記第1の基板チャック上に配置するステップをさらに含むことを特徴とする請求項9に記載の方法。
  15. 15
    前記第1の基板上に前記ナノインプリント材料を配置するステップをさらに含むことを特徴とする請求項9に記載の方法。
  16. 16
    第1と第2の基板をパターニングする方法であって、 空洞と、モールド・アセンブリに向かって配置される前記第1の基板の第1側面と、前記第1の基板チャックに向かって配置された前記第1の基板の第2側面を有する第1の基板チャック上に前記第1の基板を配置するステップと、 前記第1の基板上に材料を配置するステップと、 前記第1の基板と前記モールド・アセンブリとの間の空間関係を取得し、第2の基板チャック上に前記第2の基板を配置するのと同時に、前記モールド・アセンブリを用いて、前記第1の基板上の前記材料内にパターンを形成するステップと、 前記モールド・アセンブリを前記第1の基板上の前記材料から分離するステップと、 前記第2の基板上に材料を配置するステップと、 前記第2の基板と前記モールド・アセンブリとの間の空間関係を取得するのと同時に、前記第1の基板を前記第1の基板チャックから取り外し、前記モールド・アセンブリを用いて、前記第2の基板上の前記材料内にパターンを形成するステップであって、前記第1の基板を取り外すステップは、前記プリント・モールド・アセンブリに対して前記第1の基板を180度フリッピングして、前記第1の基板上の材料が前記第1の基板チャックの前記空洞内に配置されるようにするステップと、 前記モールド・アセンブリを、前記第2の基板上の前記材料から分離するステップと、を含み、 前記第1と第2の基板は実質的に同じ処理条件を受けることを特徴とする方法。
  17. 17
    前記第2の基板を前記第2の基板チャックから取り外すステップをさらに含むことを特徴とする請求項16に記載の方法。
  18. 18
    前記第2の基板を取り外す前記ステップは、前記モールド・アセンブリに対して前記第2の基板を180度フリッピングするステップをさらに含むことを特徴とする請求項17に記載の方法。
  19. 19
    前記第1の基板を配置する前記ステップは、第3の基板と前記モールド・アセンブリ間の空間関係を取得し、前記第2の基板チャック上に配置された前記第3の基板上の材料内にパターンを形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項16に記載の方法。
  20. 20
    前記第1の基板と前記モールド・アセンブリ間の空間関係を取得する前記ステップは、同時に第3の基板を前記第2の基板チャックから取り外すステップをさらに含むことを特徴とする請求項16に記載の方法。
  21. 21
    前記第1の基板を前記第1の基板チャックから取り外す前記ステップは、同時に第3の基板を前記第1の基板チャック上に配置するステップをさらに含むことを特徴とする請求項16に記載の方法。
Independent claims21