JP3232102B2

Method and apparatus for positioning a magnetoresistive head

Abstract

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JP3232102B2, drawing sheet 1
Sheet 1 of 38

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Expired 13 December 2016, 9.8 years ago.

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45 claims: 7 independent, 38 dependent

  1. 1
    【特許請求の範囲】 【請求項1】磁気抵抗(MR)ヘッドと、 前記MRヘッドとの相対運動が可能になるように取り付けられ、前記MRヘッドに熱応答を誘導するように設けられたサーボ情報を含む記憶媒体と、 前記MRヘッドでの前記熱応答を使用して前記MRヘッドと前記記憶媒体との相対運動を制御するように設けられた制御装置と を含むことを特徴とする記憶装置。
  2. 2
    【請求項2】前記記憶媒体が磁気ディスクを含むことを特徴とする、請求項1に記載の記憶装置。
  3. 3
    【請求項3】前記サーボ情報が前記磁気ディスクの表面プロファイルの変化を含むことを特徴とする、請求項2に記載の記憶装置。
  4. 4
    【請求項4】前記ディスクが、前記表面プロファイルの変化によって分離されたトラックを含むことを特徴とする、請求項3に記載の記憶装置。
  5. 5
    【請求項5】前記制御装置が、読戻し信号から前記熱応答を抽出するように構成された復調器を含むことを特徴とする、請求項1に記載の記憶装置。
  6. 6
    【請求項6】前記復調器が、前記熱応答の周波数成分を抽出するように構成されたヘテロダイン回路を含むことを特徴とする、請求項5に記載の記憶装置。
  7. 7
    【請求項7】磁気抵抗(MR)ヘッドを有する記憶装置で使用するためのディスクにおいて、 複数のトラックを含み、各トラックが内径(ID)エッジと外径(OD)エッジとを有し、前記トラックのそれぞれの前記IDエッジと前記ODエッジが前記MRヘッドによって熱的に区別されることを特徴とするディスク。
  8. 8
    【請求項8】前記IDおよびODエッジが前記ディスクの半径方向に振幅を有するセレーションを備え、前記セレーションは第1の周波数と第2の周波数の特徴を備え、前記第1の周波数が前記第2の周波数とは異なることを特徴とする、請求項7に記載のディスク。
  9. 9
    【請求項9】前記トラックの1つのIDエッジのセレーションと隣接トラックのODエッジのセレーションとが同一の周波数の特徴を備えていることを特徴とする、請求項8に記載のディスク。
  10. 10
    【請求項10】前記第1の周波数が前記第2の周波数の2倍であることを特徴とする、請求項8に記載のディスク。
  11. 11
    【請求項11】前記セレーションが方形波形を備えていることを特徴とする、請求項8に記載のディスク。
  12. 12
    【請求項12】前記セレーションが正弦波形を備えていることを特徴とする、請求項8に記載のディスク。
  13. 13
    【請求項13】前記トラックが表面プロファイルの変化によって分離されていることを特徴とする、請求項8に記載のディスク。
  14. 14
    【請求項14】前記表面プロファイルの変化がディスク高の変化を含むことを特徴とする、請求項13に記載のディスク。
  15. 15
    【請求項15】前記第1および第2の周波数が、2の累乗であるセレーション周波数を有することを特徴とする、請求項8に記載のディスク。
  16. 16
    【請求項16】前記セレーションが半径方向に位置合せされていることを特徴とする、請求項8に記載のディスク。
  17. 17
    【請求項17】ディスクの偏心度およびMRヘッドの軸方向オフセットを測定するために前記MRヘッドによって読取り可能なグレイ・コードのパターンを有する較正ゾーンをさらに含むことを特徴とする、請求項8に記載のディスク。
  18. 18
    【請求項18】前記グレイ・コードが前記ディスク内のくぼみを含むことを特徴とする、請求項17に記載のディスク。
  19. 19
    【請求項19】前記較正ゾーンが、前記MRヘッドの熱感度を測定するために前記MRヘッドによって読取り可能な2重周波数パターンを含むことを特徴とする、請求項17に記載のディスク。
  20. 20
    【請求項20】前記2重周波数パターンが、前記第1のセレーション周波数と同一の周波数を有する第1のパターンと、前記第2のセレーション周波数と同一の周波数を有する第2のパターンとを含むことを特徴とする、請求項19に記載のディスク。
  21. 21
    【請求項21】前記2重周波数パターンが半径方向の溝を含むことを特徴とする、請求項19に記載のディスク。
  22. 22
    【請求項22】前記較正ゾーンが、少なくともディスクの偏心度に最大ヘッド位置合せオフセットを加えたものと同じ大きさの幅を有することを特徴とする、請求項17に記載のディスク。
  23. 23
    【請求項23】記憶媒体に対して相対的に磁気抵抗(MR)ヘッドを位置決めする方法において、前記方法が、 前記記憶媒体によって前記MRヘッドに熱信号を生じさせるステップと、 前記熱信号に応答して前記MRヘッドを移動させるステップとを含むことを特徴とする方法。
  24. 24
    【請求項24】前記MRヘッドの読戻し信号から前記熱信号を抽出するステップをさらに含むことを特徴とする、請求項23に記載の方法。
  25. 25
    【請求項25】前記抽出ステップが、前記MRヘッドの前記熱信号を信号MRヘッドが読み取り動作中と書き込み動作中において異なる方法で復元するステップをさらに含むことを特徴とする、請求項24に記載の方法。
  26. 26
    【請求項26】前記復元のために適応逆フィルタを使用することを特徴とする、請求項25に記載の方法。
  27. 27
    【請求項27】前記移動ステップが、 前記熱信号の第1の周波数成分に応答して第1の出力を生成し、前記熱信号の第2の周波数成分に応答して第2の出力を生成するステップをさらに含み、前記移動が前記出力に対する応答として行われることを特徴とする、請求項23に記載の方法。
  28. 28
    【請求項28】前記移動ステップが、 前記第1および第2の比較器出力に応答して第1の値を供給するステップと、 MRヘッドの軸方向オフセットおよびディスクの心振れを表す第2の値を供給するステップと、 前記第1の値と前記第2の値を加算するステップと、 前記MRヘッドを位置決めするために前記加算の合計を制御装置に供給するステップとをさらに含むことを特徴とする、請求項27に記載の方法。
  29. 29
    【請求項29】前記生成ステップが、 第1の発振周波数と第2の発振周波数によって前記読戻し信号をヘテロダイン処理するステップと、 前記第1および第2の熱信号周波数成分を発生するためにヘテロダイン処理した前記読戻し信号をフィルタ処理するステップとをさらに含むことを特徴とする、請求項27に記載の方法。
  30. 30
    【請求項30】前記生成ステップが、 前記第1および第2の熱信号周波数成分を第1および第2の所定のしきい値と比較して、前記第1および第2の出力を生成するステップをさらに含むことを特徴とする、請求項29に記載の方法。
  31. 31
    【請求項31】前記生成ステップが、 前記読戻し信号を増幅するステップと、 前記増幅した読戻し信号に含まれる熱信号成分の振幅および位相のひずみを補償するステップと、 前記ヘテロダイン・ステップの前に前記補償された信号から前記読戻し信号を回復するステップとをさらに含むことを特徴とする、請求項30に記載の方法。
  32. 32
    【請求項32】前記増幅のためにアーム・エレクトロニクス(AE)モジュールを使用することを特徴とする、請求項31に記載の方法。
  33. 33
    【請求項33】前記補償のために逆IIRフィルタを使用することを特徴とする、請求項32に記載の方法。
  34. 34
    【請求項34】前記回復のために移動平均低域通過FIRフィルタを使用することを特徴とする、請求項33に記載の方法。
  35. 35
    【請求項35】前記移動ステップが、 前記MRヘッドの半径方向速度を推定するステップと、 前記MRヘッドの所望の半径方向速度を決定するステップと、 前記推定速度と前記所望の速度との差を決定するステップと、 前記差に応じてMRヘッドを移動させるステップとをさらに含むことを特徴とする、請求項23に記載の方法。
  36. 36
    【請求項36】前記推定ステップが、 前記ディスクの半径方向マーカ間の時間差を測定すること、および 前記ディスクのトラック・ピッチを前記時間差で割ることを含むことを特徴とする、請求項35に記載の方法。
  37. 37
    【請求項37】前記推定ステップが、 トラックの心振れに応じて前記推定半径方向速度を調整するステップをさらに含むことを特徴とする、請求項35に記載の方法。
  38. 38
    【請求項38】所望の速度を決定する前記ステップが、現行トラックと所望のトラックとの間のトラック数を計算するステップをさらに含むことを特徴とする、請求項35に記載の方法。
  39. 39
    【請求項39】前記MRヘッドを移動させる前に前記差を増幅するステップをさらに含むことを特徴とする、請求項35に記載の方法。
  40. 40
    【請求項40】少なくとも1つのディスクと少なくとも1つの磁気抵抗(MR)ヘッドとを有する記憶システムのMRヘッドを較正する方法において、前記方法が、 表面プロファイルの変化を有する較正ゾーンを前記ディスクに設けるステップと、 前記較正ゾーンまでMRヘッドを移動させるステップと、 前記表面プロファイルの変化によって前記MRヘッドに熱信号を生じさせるステップと、 前記熱信号を使用してMRヘッドおよびディスクの特性を測定するステップとを含むことを特徴とする方法。
  41. 41
    【請求項41】前記表面プロファイルの変化が第1の周波数パターンと第2の周波数パターンとを含み、前記較正方法が、 前記第1および第2の周波数パターンによって前記MRヘッドから熱周波数信号を獲得するステップと、 前記熱周波数信号を使用して前記MRヘッドの熱しきい値を決定するステップとをさらに含むことを特徴とする、請求項40に記載の方法。
  42. 42
    【請求項42】前記熱しきい値をランダム・アクセス・メモリに格納するステップをさらに含むことを特徴とする、請求項41に記載の方法。
  43. 43
    【請求項43】前記測定ステップが、MRヘッドの軸方向オフセットとディスクの偏心度を測定することを特徴とする、請求項42に記載の方法。
  44. 44
    【請求項44】前記記憶システム内の各MRヘッドごとに請求項40に記載のステップを繰り返すステップと、 前記記憶システムのシリンダ0用の物理トラック0に前記MRヘッドのうちの基準ヘッドを設定するステップと、 前記基準MRヘッドの軸方向オフセットに基づいて、前記基準MRヘッド以外の前記MRヘッドを物理トラックにマッピングするステップとをさらに含むことを特徴とする、請求項40に記載の方法。
  45. 45
    【請求項45】前記基準MRヘッドが、MRヘッドの軸方向オフセットが最大の前記MRヘッドを含むことを特徴とする、請求項44に記載の方法。
Independent claims45