TWI627397B

Method for wafer inspection, wafer inspection tool, and non-transitory computer-readable medium

Abstract

Methods and systems for dynamic design attributes for wafer inspection are provided. One method includes, at run time of a wafer inspection recipe, prompting a user of a wafer inspection tool on which the wafer inspection recipe is performed for information for a design based binning (DBB) process. The information includes one or more formulae for calculating design attributes from a design for a wafer. The design attributes are used to bin the defects in the DBB process. The method also includes performing inspection of a wafer according to an updated wafer inspection recipe. Performing the inspection includes binning defects detected on the wafer according to the DBB process in the updated wafer inspection recipe.

TWI627397B, drawing sheet 1
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Term

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33 claims: 3 independent, 30 dependent

  1. 1
    一種用於晶圓檢測之方法,其包括:在一晶圓檢測流程運行期間,將用於一依設計分類程序之資訊提示給於其上執行該晶圓檢測流程之一晶圓檢測工具的一使用者,其中該資訊包括用於計算來自於一晶圓之一設計之設計屬性之一或多個公式,其中該等經計算之設計屬性包括該設計之兩層或更多層中之多邊形之重疊比率,且其中該等設計屬性用於分類該依設計分類程序中之缺陷;接收來自於該使用者之該資訊;基於該所接收之資訊來更新該晶圓檢測流程;及根據該已更新的晶圓檢測流程執行該晶圓之檢測,其中該執行包括:使用該晶圓檢測工具掃描該晶圓,藉此產生回應於來自於該晶圓之光的輸出;基於該輸出來偵測該晶圓上之缺陷;及根據該已更新的晶圓檢測流程中之該依設計分類程序而分類在該晶圓上偵測之該等缺陷,其中該提示、接收、更新、執行、掃描、偵測及分類步驟係由該晶圓檢測工具執行。
  2. 2
    如請求項1之方法,其中該一或多個公式包括用於計算來自於在該晶圓上偵測到之該等缺陷的位置周圍之該設計之設計資料的該等設計屬性之一或多個公式。
  3. 3
    如請求項1之方法,其中該資訊包括該設計被用於計算該等設計屬性之該晶圓之一或多層。
  4. 4
    如請求項1之方法,其中該依設計分類程序之一或多個參數係基於多層設計規則。
  5. 5
    如請求項1之方法,其中該分類步驟藉由將設計規則檢查應用於在該晶圓上偵測到之該等缺陷之位置周圍之該晶圓之設計資料上而將該等缺陷分成針對圖案失效具有不同臨界條件之不同群組。
  6. 6
    如請求項1之方法,其中該分類步驟將該等缺陷中之干擾性缺陷分成一或多個第一群組且將該等缺陷中之所關注缺陷分成一或多個第二群組。
  7. 7
    如請求項1之方法,其中該分類步驟藉由將不同類型的所關注缺陷分成不同群組而塑形該等缺陷中所關注缺陷之一樣本。
  8. 8
    如請求項1之方法,其中該資訊進一步包括針對該等設計屬性之各者指示該等設計屬性係類型屬性或量測屬性之旗標。
  9. 9
    如請求項1之方法,其中該分類步驟基於在該晶圓上偵測到之該等缺陷之位置周圍之該晶圓之設計資料而分開該等缺陷,且其中該資訊進一步包括針對該等設計屬性之各者指示用於計算該等設計屬性之該設計資料之一程度之旗標。
  10. 10
    如請求項9之方法,其中該設計資料之該程度係該設計資料之一整體或該設計資料中之一所關注區域。
  11. 11
    如請求項1之方法,其中該資訊進一步包括用於該一或多個公式之一或多個層運算符,且其中該一或多個層運算符係應用於該設計中之兩層或更多層之多邊形之一或多個邏輯運算符。
  12. 12
    如請求項11之方法,其中該一或多個邏輯運算符包括邏輯AND、OR、XOR及NOT運算符之一或多者。
  13. 13
    如請求項11之方法,其中該資訊進一步包括用於執行於由該一或多個邏輯運算符產生之多邊形上之該一或多個公式之一或多個計算,且其中該一或多個計算之結果係該等經計算之設計屬性。
  14. 14
    如請求項13之方法,其中該一或多個計算包括以下之一或多者:計數由該一或多個邏輯運算符產生之該等多邊形之一數量;計數由該一或多個邏輯運算符產生之該等多邊形之各者中之頂點之一數量;加總由該一或多個邏輯運算符產生之該等多邊形之全部之一面積;判定由該一或多個邏輯運算符產生之該等多邊形之全部面積之一最小面積;且判定由該一或多個邏輯運算符產生之該等多邊形之全部面積之一最大面積。
  15. 15
    如請求項1之方法,其中該等經計算之設計屬性進一步包括該設計中之多邊形之圖案密度。
  16. 16
    如請求項1之方法,其中該晶圓檢測工具被組態為一寬頻道電漿工具。
  17. 17
    一種非暫態電腦可讀媒體,其儲存可在一晶圓檢測工具之一電腦系統上執行以用於執行晶圓檢測之一電腦實施方法之程式指令,其中該電腦實施方法包括:在一晶圓檢測流程運行期間,將用於一依設計分類程序之資訊提示給於其上執行該晶圓檢測流程之該晶圓檢測工具的一使用者,其中該資訊包括用於計算來自於該晶圓之一設計之設計屬性之一或多個公式,其中該等經計算之設計屬性包括該設計之兩層或更多層中之多邊形之重疊比率,且其中該等設計屬性用於分類該依設計分類程序中之缺陷;接收來自於該使用者之該資訊;基於該所接收之資訊更新該晶圓檢測流程;及根據該已更新的晶圓檢測流程執行該晶圓之檢測,其中該執行包括:使用該晶圓檢測工具掃描該晶圓,藉此產生回應於來自於該晶圓之光之輸出;基於該輸出偵測該晶圓上之缺陷;及根據該已更新的晶圓檢測流程中之該依設計分類程序來分類在該晶圓上偵測到之該等缺陷。
  18. 18
    一種晶圓檢測工具,其包括:一光學子系統,其經組態以掃描一晶圓,藉此產生回應於來自於該晶圓之光之輸出;及一電腦子系統,其經組態以用於:在一晶圓檢測流程運行期間,將用於一依設計分類程序之資訊提示給於其上執行該晶圓檢測流程之一晶圓檢測工具的一使用者,其中該資訊包括用於計算來自於該晶圓之一設計之設計屬性之一或多個公式,其中該等經計算之設計屬性包括該設計之兩層或更多層中之多邊形之重疊比率,且其中該等設計屬性用於分類該依設計分類程序中之該等缺陷;接收來自於該使用者之該資訊;基於該所接收之資訊更新該晶圓檢測流程;基於該輸出偵測該晶圓上之缺陷;及根據該已更新的晶圓檢測流程中之該依設計分類程序來分類在該晶圓上偵測之該等缺陷。
  19. 19
    如請求項18之晶圓檢測工具,其中該一或多個公式包括用於計算來自於在該晶圓上偵測到之該等缺陷的位置周圍之該設計之設計資料的該等設計屬性之一或多個公式。
  20. 20
    如請求項18之晶圓檢測工具,其中該資訊包括該設計被用於計算該等設計屬性之該晶圓之一或多層。
  21. 21
    如請求項18之晶圓檢測工具,其中該依設計分類程序之一或多個參數係基於多層設計規則。
  22. 22
    如請求項18之晶圓檢測工具,其中該分類步驟藉由將設計規則檢查應用於在該晶圓上偵測到之該等缺陷之位置周圍之該晶圓之設計資料上而將該等缺陷分成針對圖案失效具有不同臨界條件之不同群組。
  23. 23
    如請求項18之晶圓檢測工具,其中該分類步驟將該等缺陷中之干擾性缺陷分成一或多個第一群組且將該等缺陷中之所關注缺陷分成一或多個第二群組。
  24. 24
    如請求項18之晶圓檢測工具,其中該分類步驟藉由將不同類型的所關注缺陷分成不同群組而塑形該等缺陷中所關注缺陷之一樣本。
  25. 25
    如請求項18之晶圓檢測工具,其中該資訊進一步包括針對該等設計屬性之各者指示該等設計屬性係類型屬性或量測屬性之旗標。
  26. 26
    如請求項18之晶圓檢測工具,其中該分類步驟基於在該晶圓上偵測到之該等缺陷之位置周圍之該晶圓之設計資料而分開該等缺陷,且其中該資訊進一步包括針對該等設計屬性之各者指示用於計算該等設計屬性之該設計資料之一程度之旗標。
  27. 27
    如請求項26之晶圓檢測工具,其中該設計資料之該程度係該設計資料之一整體或該設計資料中之一所關注區域。
  28. 28
    如請求項18之晶圓檢測工具,其中該資訊進一步包括用於該一或多個公式之一或多個層運算符,且其中該一或多個層運算符係應用於該設計中之兩層或更多層之多邊形之一或多個邏輯運算符。
  29. 29
    如請求項28之晶圓檢測工具,其中該一或多個邏輯運算符包括邏輯AND、OR、XOR及NOT運算符之一或多者。
  30. 30
    如請求項28之晶圓檢測工具,其中該資訊進一步包括用於執行於由該一或多個邏輯運算符產生之多邊形上之該一或多個公式之一或多個計算,且其中該一或多個計算之結果係該等經計算之設計屬性。
  31. 31
    如請求項30之晶圓檢測工具,其中該一或多個計算包括以下之一或多者:計數由該一或多個邏輯運算符產生之該等多邊形之一數量;計數由該一或多個邏輯運算符產生之該等多邊形之各者中之頂點之一數量;加總由該一或多個邏輯運算符產生之該等多邊形之全部之一面積;判定由該一或多個邏輯運算符產生之該等多邊形之全部面積之一最小面積;且判定由該一或多個邏輯運算符產生之該等多邊形之全部面積之一最大面積。
  32. 32
    如請求項18之晶圓檢測工具,其中該等經計算之設計屬性進一步包括該設計中之多邊形之圖案密度。
  33. 33
    如請求項18之晶圓檢測工具,其中該晶圓檢測工具被組態為一寬頻道電漿工具。
Independent claims33