TWI445697B

Process for preparing atazanavir bisulfate and novel forms

Abstract

ABSTRACT OF THE DISCLOSURE A process is provided for preparing the HIV protease inhibitor atazanavir bisulfate wherein a solution of atazanavir free base is reacted with concentrated sulfuric acid in an amount to react with less than about 15% by weight of the free base, seeds of Form A crystals of atazanavir bisulfate are added to the reaction mixture, and as crystals of the bisulfate form, additional concentrated sulfuric acid is added in multiple stages at increasing rates according to a cubic equation, to effect formation of Form A crystals of atazanavir bisulfate. A process is also provided for preparing atazanavir bisulfate as Pattern C material. A novel form of atazanavir bisulfate is also provided which is Form E3 which is a highly crystalline triethanolate solvate of the bisulfate salt from ethanol.

TWI445697B, drawing sheet 1
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11 claims: 11 independent, 0 dependent

  1. 1
    一種製備塔適那偉(atazanavir)硫酸氫鹽A形式晶體的方法,其包括令塔適那偉(atazanavir)游離鹼於有機溶劑所形成的溶液(該有機溶劑是丙酮或丙酮與N-甲基吡咯烷酮的混合物,且塔適那偉(atazanavir)硫酸氫鹽於該溶劑中實質上係為不可溶的)與5至15重量%塔適那偉(atazanavir)游離鹼之量的第一部份濃硫酸反應,於該反應混合物中加入塔適那偉(atazanavir)硫酸氫鹽A形式晶體之晶種,當塔適那偉(atazanavir)硫酸氫鹽晶體形成時,於多重步驟中,以漸增的速度,加入額外濃硫酸以促使形成塔適那偉(atazanavir)硫酸氫鹽A形式晶體,及乾燥該塔適那偉(atazanavir)硫酸氫鹽A形式晶體。
  2. 2
    如申請專利範圍第1項之方法,其中,塔適那偉(atazanavir)游離鹼溶液係先與佔所用濃硫酸總量之8至12重量%的濃硫酸反應。
  3. 3
    如申請專利範圍第1項之方法,其中,塔適那偉(atazanavir)游離鹼與第一部份濃硫酸係於35至55℃之溫度範圍內進行反應。
  4. 4
    如申請專利範圍第1項之方法,其中,塔適那偉(atazanavir)游離鹼溶液在與硫酸反應之前先經加熱至35至55℃之溫度範圍。
  5. 5
    如申請專利範圍第1項之方法,其中,塔適那偉(atazanavir)游離鹼與硫酸之反應混合物係經植入0.1至80重量%(按塔適那偉游離鹼重量計算)A形式晶體的晶 種。
  6. 6
    如申請專利第1項之方法,其中,經植入晶種後之反應混合物係於35至55℃之溫度範圍內加熱。
  7. 7
    如申請專利範圍第1項之方法,其中,供塔適那偉游離鹼用之有機溶劑係為丙酮與N-甲基吡咯烷酮的混合物。
  8. 8
    一種製備C型(C Pattern)塔適那偉(atazanavir)硫酸氫鹽物質的方法,其包括使塔適那偉(atazanavir)硫酸氫鹽A形式晶體於至少95%RH的相當高濕度下至少24小時及接著乾燥。
  9. 9
    一種製備C型(C Pattern)塔適那偉(atazanavir)硫酸氫鹽物質的方法,其包括:(a)使塔適那偉(atazanavir)游離鹼於有機溶劑所形成的溶液(該有機溶劑是丙酮或丙酮與N-甲基吡咯烷酮的混合物,且塔適那偉(atazanavir)硫酸氫鹽於該溶劑中實質上係為不可溶的)與5至15重量%塔適那偉(atazanavir)游離鹼之量的第一部份濃硫酸反應,於該反應混合物中加入塔適那偉(atazanavir)硫酸氫鹽A形式晶體之晶種,當塔適那偉(atazanavir)硫酸氫鹽晶體形成時,於多重步驟中,以漸增的速度,加入額外濃硫酸以促使形成塔適那偉(atazanavir)硫酸氫鹽A形式晶體,及乾燥該塔適那偉(atazanavir)硫酸氫鹽A形式晶體;(b)使得自步驟(a)的塔適那偉(atazanavir)硫酸氫鹽A形式晶體懸浮於水中,及乾燥該懸浮液以形成C型(C Pattern)物質;或(c)使得自步驟(a)的塔適那偉(atazanavir)硫酸氫鹽A形式晶體置於高於95%RH的相當高濕度下至少24小時以形成C型(C Pattern)物質;或(d)混合得自步驟(a)的A形式晶體和一或多種調配賦形劑,及濕式粒化所得混合物以直接形成C型物質與賦形劑之混合物。
  10. 10
    如申請專利範圍第1項之方法,其中該硫酸係根據下列方程式,在漸增速度的情況下添加: 式中V time =一段時間內所加入之硫酸體積V total =代表饋入90%酸之總體積time=結晶經過時間time total =全部結晶時間或酸饋入之全部時間。
  11. 11
    如申請專利範圍第9項之方法,其中該硫酸係根據下列方程式,在漸增速度的情況下添加: 式中V time =一段時間內所加入之硫酸體積 V total =代表饋入90%酸之總體積time=結晶經過時間time total =全部結晶時間或酸饋入之全部時間。
Independent claims11