TW577164B

EMI shielding for semiconductor chip carriers

Abstract

Electronic packages incorporatiag EMI shielding, and particularly semiconductor devices which incorporate semiconductor chip-carrier structures having grounded bands embedded therein which are adapted to reduce outgoing and incident EMI emissions for high-speed switching electronic packages.

TW577164B, drawing sheet 1
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Term

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47 claims: 41 independent, 6 dependent

  1. 1
    一種結合抵抗電磁干擾(EMI)發射之屏蔽的電子封裝;包括:電路基板,具有相對面的第一與第二表面,該第一表面具有第一部分與第二部分;導電接地帶是內建在該基板內,並在該第一表面的第二部分以及該第二表面之間延伸;半導體晶片,是安置在該第一表面的第一部分上;複數個導電電路組件,位於該基板第一表面的第一部分上,每個導電電路組件都是以電氣方式被耦合到該半導體晶片;以及上蓋組件,包括導電材料,安置在面對該基板表面遠側的該半導體晶片表面上,藉此讓該接地帶電氣方式連接到安置在該基板之第二表面上的至少一個導電組件,該上蓋組件,以及位於該基板第一表面之第一部分上的至少一個導電電路組件,以便施加電磁屏蔽到該電子封裝上。
  2. 2
    如申請專利範圍第1項之電子封裝,其中導電硬化物是位於該基板第一表面的第二部分上,該硬化物是以電氣方式連接到該基板第一表面之第一部分上的至少一個導電電路組件,並經由導電接地帶,連接到該基板第二表面上的至少一個導電電路組件。
  3. 3
    如申請專利範圍第2項之電子封裝,其中該硬化物是電 氣連接到該上蓋組件。
  4. 4
    如申請專利範圍第2項之電子封裝,其中該基板包括介電有機材料。
  5. 5
    如申請專利範圍第4項之電子封裝,其中該接地帶是內建在該基板內,靠近該基板的周邊。
  6. 6
    如申請專利範圍第2項之電子封裝,其中導電黏接劑是安置在該硬化物與該接地帶之間,以及在該硬化物與上蓋組件之間,以便在該單元之間形成電氣連接。
  7. 7
    如申請專利範圍第2項之電子封裝,其中該硬化物是位於靠近該基板的周邊,以半導體晶片為中心的輻射延伸出去。
  8. 8
    如申請專利範圍第1項之電子封裝,其中該上蓋組件包括熱傳導頂蓋,是選取自由銅,鋁,錫,鉻,碳化矽,碳,鑽石,鈦,不繡鋼,鎳,具導電塗佈層的陶瓷,該材料之合金,以及該材料之複合物所構成的材料群組。
  9. 9
    如申請專利範圍第8項之電子封裝,其中該相容性熱傳導黏接劑是安置在該半導體晶片與該上蓋組件之間。
  10. 10
    如申請專利範圍第2項之電子封裝,其中該硬化物是由金屬組合物構成,該金屬組合物是選取自由銅,鋁,錫,鉻,碳化矽,碳,鑽石,鈦,不繡鋼,鎳,具導電塗佈層的陶瓷,該材料之合金,以及該材料之複合物所構成的材料群組。
  11. 11
    如申請專利範圍第1項之電子封裝,其中該基板第一表面之第一部分上的該導電組件包括焊球。
  12. 12
    如申請專利範圍第1項之電子封裝,其中該基板第二表面上的該導電電路組件包括球形格狀陣列(BGA)。
  13. 13
    如申請專利範圍第1項之電子封裝,其中該基板包括硬質介電陶瓷材料,該接地帶是經由插入導電墊片到位於該基板第一表面之第二部分與該上蓋組件之間,而電氣連接到該上蓋組件。
  14. 14
    如申請專利範圍第13項之電子封裝,其中該接地帶是內建在該基板內,靠近該基板的周邊。
  15. 15
    如申請專利範圍第13項之電子封裝,其中該上蓋組件包括熱傳導頂蓋,選取自由銅,鋁,錫,鉻,碳化矽,碳,鑽石,鈦,不繡鋼,鎳,具導電塗佈層的陶瓷,該材料之合金,以及該材料之複合物所構成的群組。
  16. 16
    如申請專利範圍第15項之電子封裝,其中相容性的熱傳導黏接劑是安置在該半導體晶片與該上蓋組件之間。
  17. 17
    如申請專利範圍第13項之電子封裝,其中該基板第一表面之第一部分上的該導電電路組件包括焊球。
  18. 18
    如申請專利範圍第13項之電子封裝,其中該基板第二表面上的該導電組件包括球形格狀陣列(BGA)。
  19. 19
    如申請專利範圍第1項之電子封裝,其中該基板包括硬質介電陶瓷材料,該上蓋組件具有套管凸緣,延伸到靠 近該基板第一表面上的接地環,經由插入導電黏接材料到位於該基板第一表面之第二部分與該上蓋組件之套管相依凸緣上的面對尾端表面之間,而將該接地帶電氣連接到該上蓋組件。
  20. 20
    如申請專利範圍第19項之電子封裝,其中該接地帶是內建在該基板內,靠近該基板的周邊。
  21. 21
    如申請專利範圍第19項之電子封裝,其中該上蓋組件包括熱傳導頂蓋,選取自由銅,鋁,錫,鉻,碳化矽,碳,鑽石,鈦,不繡鋼,鎳,具導電塗佈層的陶瓷,該材料之合金,以及該材料之複合物所構成的群組。
  22. 22
    如申請專利範圍第21項之電子封裝,其中相容性的熱傳導黏接劑是安置在該半導體晶片與該上蓋組件之間。
  23. 23
    如申請專利範圍第19項之電子封裝,其中該基板第一表面之第一部分上的該導電電路組件包括焊球。
  24. 24
    如申請專利範圍第19項之電子封裝,其中該基板第二表面上的該導電組件包括球形格狀陣列(BGA)。
  25. 25
    一種結合抵抗射出與入射電磁干擾(EMI)效應之屏蔽的電子封裝;包括:電路基板,具有相對面的第一與第二表面,該第一表面具有第一部分與第二部分;導電接地帶是內建在該基板內靠近周邊,並在該第一表面的第二部分以及該第二表面之間延伸; 半導體晶片,是安置在該第一表面的第一部分上;複數個導電電路組件,位於該基板第一表面的第一部分上,每個導電電路組件都是以電氣方式被耦合到該半導體晶片;以及上蓋組件,包括安置在面對該基板表面遠側的該半導體晶片表面上的導電材料,藉此讓該接地帶以電氣方式連接到被安置在該基板之第二表面上的至少一個導電組件與該上蓋組件,以及連接到位於該基板第一表面之第一部分上的至少一個導電電路組件,以便施加電磁屏蔽到該電子封裝上;該導電硬化物是位於基板第一表面的第二部分上,靠近該基板的周邊,該硬化物是電氣連接到該上蓋組件以及該基板第一表面之第一部分上至少一個該電氣傳電路組件,並且經由該導電接地帶,而電氣連接到該基板第二表面上的至少一個導電組件。
  26. 26
    如申請專利範圍第25項之電子封裝,其中該基板包括介電有機材料。
  27. 27
    如申請專利範圍第25項之電子封裝,其中導電黏接劑是安置在該硬化物與該接地帶之間,以及安置在該硬化物與上蓋組件之間,以便在該單元之間形成電氣連接。
  28. 28
    如申請專利範圍第25項之電子封裝,其中該上蓋組件與該硬化物都是選取自由銅,鋁,錫,鉻,碳化矽,碳,鑽石,鈦,不繡鋼,鎳,具導電塗佈層的陶瓷,該材料 之合金,以及該材料之複合物所構成的材料群組。
  29. 29
    如申請專利範圍第25項之電子封裝,其中該相容性熱傳導與介電黏接劑是安置在該半導體晶片與該上蓋組件之間。
  30. 30
    一種結合抵抗射出與入射電磁干擾(EMI)效應之屏蔽的電子封裝;包括:電路陶瓷基板,具有相對面的第一與第二表面,該第一表面具有第一部分與第二部分;導電接地帶是內建在該基板內靠近周邊,並在該第一表面的第二部分以及該第二表面之間延伸;半導體晶片,是安置在該第一表面的第一部分上;複數個導電電路組件,位於該基板第一表面的第一部分上,每個導電電路組件都是以電氣方式被耦合到該半導體晶片;以及上蓋組件,包括導電材料,安置在面對該基板表面遠側的該半導體晶片表面上,藉此讓該接地帶電氣方式連接到安置在該基板之第二表面上的至少一個導電組件,該上蓋組件,以及位於該基板第一表面之第一部分上的至少一個導電電路組件,以便施加電磁屏蔽到該電子封裝上;該導電硬化物是位於基板第一表面的第二部分上,靠近該基板的周邊,該硬化物是電氣連接到該上蓋組件以及該基板第一表面之第一部分上至少一個該電 氣傳電路組件,並且經由該導電接地帶,而電氣連接到該基板第二表面上至少一個導電組件。
  31. 31
    如申請專利範圍第30項之電子封裝,其中該上蓋組件包括熱傳導頂蓋,是選取自由銅,鋁,錫,鉻,碳化矽,碳,鑽石,鈦,不繡鋼,鎳,具導電塗佈層的陶瓷,該材料之合金,以及該材料之複合物所構成的材料群組。
  32. 32
    如申請專利範圍第30項之電子封裝,其中該接地帶是經由插入導電墊片到位於該基板第一表面之第二部分與該上蓋組件之間,而電氣連接到該上蓋組件。
  33. 33
    如申請專利範圍第30項之電子封裝,其中該上蓋組件具有套管凸緣,延伸到靠近該基板第一表面上的接地環,經由插入導電黏接材料到位於該基板第一表面之第二部分與該上蓋組件之套管相依凸緣上的面對尾端表面之間,而將該接地帶電氣連接到該上蓋組件。
  34. 34
    一種提供結合抵抗電磁干擾(EMI)之發射與入射屏蔽的電子封裝的方法;包括:提供電路陶瓷基板,具有相對面的第一與第二表面,該第一表面具有第一部分與第二部分;導電接地帶是內建在該基板內靠近周邊,並在該第一表面的第二部分以及該第二表面之間延伸;安置半導體晶片到該第一表面的第一部分上;安置複數個導電電路組件到該基板第一表面的第一部 分上,每個導電電路組件都是以電氣方式被耦合到該半導體晶片;以及安置包括導電材料的上蓋組件,到面對該基板表面遠側的該半導體晶片表面上,藉此讓該接地帶電氣方式連接到安置在該基板之第二表面上的至少一個導電組件,該上蓋組件,以及位於該基板第一表面之第一部分上的至少一個導電電路組件,以便施加電磁屏蔽到該電子封裝上。
  35. 35
    如申請專利範圍第34項之方法,其中該導電硬化物是位於基板第一表面的第二部分上,靠近該基板的周邊,該硬化物是電氣連接到該上蓋組件以及該基板第一表面之第一部分上至少一個該電氣傳電路組件,並且經由該導電接地帶,而電氣連接到該基板第二表面上至少一個導電組件
  36. 36
    如申請專利範圍第35項之方法,其中該硬化物是電氣連接到該上蓋組件上。
  37. 37
    如申請專利範圍第35項之方法,其中該基板包括介電有機材料。
  38. 38
    如申請專利範圍第37項之方法,其中該接地帶是內建在該基板內靠近該基板的周邊。
  39. 39
    如申請專利範圍第35項之方法,其中導電黏接劑是安置在硬化物與該接地帶之間,而且在該硬化物與該上蓋組 件之間,以便形成該單元之間的電氣連接。
  40. 40
    如申請專利範圍第35項之方法,其中該硬化物是位於靠近該基板的周邊,以該半導體晶片為中心的輻射延伸出去。
  41. 41
    如申請專利範圍第34項之方法,其中該上蓋組件包括熱傳導頂蓋,是選取自由銅,鋁,錫,鉻,碳化矽,碳,鑽石,鈦,不繡鋼,鎳,具導電塗佈層的陶瓷,該材料之合金,以及該材料之複合物所構成的材料群組。
  42. 42
    如申請專利範圍第41項之方法,其中相容性的熱傳導黏接劑是安置在該半導體晶片與該上蓋組件之間。
  43. 43
    如申請專利範圍第35項之方法,其中該硬化物是由選取自由銅,鋁,錫,鉻,碳化矽,碳,鑽石,鈦,不繡鋼,鎳,具導電塗佈層的陶瓷,該材料之合金,以及該材料之複合物所構成的材料群組中的材料構成。
  44. 44
    如申請專利範圍第34項之方法,其中該基板第一表面之第一部分上的該導電電路組件包括焊球。
  45. 45
    如申請專利範圍第34項之方法,其中該基板第二表面上的該導電組件包括球形格狀陣列(BGA)。
  46. 46
    如申請專利範圍第34項之方法,其中該基板包括硬質介電陶瓷材料,該接地帶是經由插入導電墊片到位於該基板第一表面之第二部分與該上蓋組件之間,而電氣連接到該上蓋組件。
  47. 47
    如申請專利範圍第34項之方法,其中該基板包括硬質介電陶瓷材料,該上蓋組件具有套管凸緣,延伸到靠近該基板第一表面上的接地環,經由插入導電黏接材料到位於該基板第一表面之第二部分與該上蓋組件之套管相依凸緣上的面對尾端表面之間,而將該接地帶電氣連接到該上蓋組件。
Independent claims47