TW554249B

Material and method for making an electroconductive pattern

Abstract

A material for making conductive patterns, the material comprising a support and an exposure distinguishable element, characterized in that the exposure distinguishable element comprises an outermost layer (which contains a polyanion and a substituted or unsubstituted thiophene polymer or Copolymer), and optionally the second layer adjacent to the outermost layer; and the outermost layer and / or the second layer optionally includes a photosensitive component, which can change the exposed portion of the outermost layer when exposed Removability with respect to the unexposed portion of the outermost layer; and a method for manufacturing a conductive pattern on a support using a material for manufacturing a conductive pattern. A material for making an electroconductive pattern, the material comprising a support and a light-exposure differentiable element, characterized in that the light-exposure differentiable element includes an outermost layer containing a polyanion and a polymer or copolymer of a substituted or unsubstituted thiophene, and optionally a second layer contiguous with the outmost layer; and if the outermost layer and / or the optional second layer contains a light-sensitivecomponent capable upon exposure of changing the removability of the exposedparts of the outermost layer relative to the unexposed parts of the outermost layer; and a method of making an electroconductive pattem on a support using thematerial for making an electroconductive pottern.

TW554249B, drawing sheet 1
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24 claims: 22 independent, 2 dependent

  1. 1
    六 申請專利範圍 JX }\ 10 2. 15 20 3. 1. ... ........ 專利申請案第90120042號 (Submitted on March ^ ? 2003) 種製迈導電圖紋之材料,該材料包含一支撐體及曝 區分元件,其特徵在於該曝光可區分元件包含-冲(其含有一—多陰離子物和一種經取代或未取 Z吩之聚合物或共聚物);且其中該最外層包含一 成刀,其當曝光時可改變該最外層之曝光部分 1對:該最外層之未曝光部分之可去除性。 ,製k導紋之材料,該材料包含—支撐體及曝光可 件’其特徵在於該曝光可區分元件包含—最外層 合物ϋ^錯離子物和—種練代絲取代喧吩之^ 二 ),及與該最外層相鄰之第二層;且其中該 取€及/或該第二層包含一種光敏成分,苴告曝光睹外層之曝光部分相對於該最外層之:二分: ΐΐ申請專利範圍第1或2項之材料,其中該經取代 5取代噻^之聚合物係對應於下式(π): R1—〇 ,一0 25 自:f獨立地代表氫或 代之CM烧基或-起代表一選擇性經取 I___ - 66 - 554249 申請專利範圍 A8 B8 C8 D8 4. 6. 10 15 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 8. 20 9· 代之烯基或一選擇性經取代之環烯基(較佳為乙 歸基)、一選擇性經烷基-取代之亞T基、一選擇性經 C1·12燒基-或笨基-取代之烯基、1,3-丙烯基或ι,2-環 己烯基。 根據申請專利範圍第1或2項之材料,其中該多陰離 子物為聚(苯乙烯磺酸酯)。 根據申請專利範圍第1或2項之材料,其中該最外層 具有低於1〇6Ω/平方之表面電阻率。 根據申請專利範圍第1或2項之材料,其中該曝光時 可改變該最外層曝光部分相對於該最外層未曝光部分 之可去除性之光敏成分為一種多偶氮鹽或一種包含 偶氮鹽之樹脂,其降低該最外層曝光部分之可去除 性。 ’、 根據申請專利範圍第丨項之材料,其中該曝光時可改 、變該最外層曝光部分相對於該最外層未曝光部分之可 去除性之光敏成分為雙(芳基偶氮磺酸)鹽、三(芳基偶 氮續酸)鹽或四(芳基偶氮磺酸)鹽,其降低該最外層曝 光部分之可去除性。 根據申請專利範圍第2項之材料,其中該曝光時可改變該 最外層曝光部分相對於該最外層未曝光部分之可去除性之 光敏成分為雙(芳基偶氮績酸)鹽、三(芳基偶氮續酸)鹽或 四(芳基偶氮磺酸)鹽,其降低該最外層曝光部分之可去除 性。 μ 根據申請專利範圍第1或2項之材料,其中該曝光時 -- 規格(210x297公釐) 裝 計 線 554249 as Β8 C8 _D8_ 六、申請專利範圍 可改變該最外層曝光部分相對於該最外層未曝光部分 之可去除性之光敏成分為一種根據式(I)之雙(芳基偶 氮磺酸)鹽,其降低該最外層曝光部分之可去除性: M03S-N=N-Ar-L-Ar-N=N-S03M (I) 5 其中Ar為經取代或未取代芳基,L為一二價聯結 基,且Μ為一陽離子。 10.根據申請專利範圍第7項之材料,其中該雙(芳基偶 氮磺酸)鹽為選自基團: 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210x297公釐) A8 B8 554249 申請專利範圍 A8 B8 C8 D8 ίο 15 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 20 把據申明專利範圍第i項之材料,其中該曝光時可改變該 ^卜滑曝光。丨4分相對於該最外增未曝光部分之可去除性之 光敏成分為芳基偶氮續酸鹽之聚合物或共聚物,其降低該 最外層曝光部分之可去除性。 ;^據申叫專利範圍第12項之材料,其中在該曝光可 區分7〇件中,該芳基偶氮磺酸鹽之聚合物或共聚物對 該經取代或未取代噻吩之聚合物或共聚物的重量比為 )1 於 10:200 及 4〇〇: 200 之間。 15根據巾請專概圍第13項之材料,其中在該曝光可區分 疋件中,該芳基偶氮磺酸鹽之聚合物或共聚物對該經取代 或未取代嗔吩之聚合物或共聚物的重量比為介於 10:200 及400:200之間。 16·根據申請專利範圍第丨或2項之材料,其中該曝光時 可改變該最外層曝光部分相對於該最外層未曝光部分 之可去除性之光敏成分為醌型偶氮化合物,其增加該 最外層曝光部分之可去除性。 17·根據申請專利範圍第丨或2項之材料,其中該支撐體 係經電暈放電或輝光放電處理。· 18· 一種製造導電圖紋於一支撐體上的方法,其包括下列 步驟: — -提供一種製造導電圖紋之材料,該材料包含一支撐 體及曝光可區分元件,其中該曝光可區分元件包含 一最外層(其含有一種多陰離子物和一種經取代或 未取代噻吩之聚合物或共聚物);且其中該最外層 -70 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(21G X297公爱) 計 線 554249 A8 B8 C8 計 線 裝 554249 六、申請專利範圍 5 10 15 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 20 U或孩理崎料以增加該最外層該未去除區域之導2〇.根據申請專利範圍第18或19項之方法, :?該未曝光區域具有—/平方21. 範圍第18或19項之方法,其中該最外 ^。〜未曝先區域具有低於平方之表面電阻 22. :種除步驟下製造導電圖紋於—支撑體上的方 法,其包括下列步驟: 提供-種製造導電圖紋之材料,該材料包含 體^ 一曝光可區分元件,其特徵在輯曝光可j =包含-,外層(其含有一種多陰離子物和—種 /、 amp;於10 Ω/平方之表面電阻率之經取代或 塞吩之聚合物或共聚物);且其中該最外二包 含一種根據式(I)之芳基偶氮磺酸鹽化合物: M03S-N=N_Ai*_L_Ar-N=N_S03M ⑴ 其中Ar為-種經取代或未取狀芳基,l為― ,基團,且Μ為一陽離子;其當曝光時,可::该最外層之曝光部分相對於該最外層之未曝八^ 可去除性;及 刀 lt;_利用或不利用-顯影劑描摹圖樣地曝露材料,藉此 獲得曝光區域相對於未曝光區域之導電性的降低 9 23· -種在無去除步驟下製造導電圖紋於—支律體上的方法。, -72 - 良紙張尺度適財國國家標準(CNSM4規格(训X 297公幻 554249 申請專利範圍 A8 B8 C8 D8 其包括下列步驟·· 5 10 15 24. 2供一,製造導電圖紋之材料,該材料包含一支撐體及 一f光可區分元件,其特徵在於該曝光可區分元件包含 1〇6^外層(其含有—種多陰離子物和—種具有低於 0 Ω/平方之表面電阻率之經取代或未取铺吩之聚合 物或、聚物)’及與最外層相鄰之第二層;其中該最 外層及/或該第二層包含一種根據式①之芳基偶氮橫酸 鹽化合物: 'M03S-N=N-.Ar-L-Ar.N=N-S03M (I) =Ar為-種經取代或未取代之芳基,l為_二價鍵結 且Μ為-陽離子;其當曝光時,可改變該最外声 之曝光部分麵_最外層之未曝光部分之可絲性 -利用或*彻—顯影劑描摹圖樣地曝露材料,藉此辦 得曝光區域相對於未曝光區域之導電性的降低^ ^ amp;22或23項之榻除步驟下製 艳導電圖紋於一支撐體上的方法,其中 氮續酸)鹽為選自基團·· 土 鬌 計 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 73 - 規格(210x297公爱) 554249 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 Η0 〇, Na 〇 OH Ν' 〇 HO ——S = 0 及 11 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210x297公釐)