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TW511169B

Substrate processing apparatus and substrate processing method

Abstract

On top of respective areas divided by partition plates,that is, a cassette station, a processing station, and aninterface section in a coating and developinq processing system,gas suppky sections for supplying an inert gas into therespective areas are provided. Exhaust pipes for exhaustingatmospheres in the respective areas are provided at the bottomof the respective areas. The atmospheres in the respectiveareas are maintained in a clean condition by supplying the inertgas not containing impurities such as oxygen and fine particlesfrom the respective gas supply sections into the respective areasand exhausting the atmospheres in the respective areas from theexhaust pipes.

Term

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61 claims: 47 independent, 14 dependent

  1. 1
    一種基板處理裝置，係具有：承載及下載部，係用以於前述基板處理裝置內搬入及搬出基板者；處理部，係至少具有一用以於基板上形成塗布膜之塗布處理裝置、一用以進行前述基板之顯像的顯像處理裝置、一用以進行前述基板之熱處理的熱處理裝置、及一用以對前述塗布處理裝置及顯像處理裝置與熱處理裝置進行搬入及搬出前述基板的第1搬送裝置者；界面部，係至少具有一第2搬送裝置，該第2搬送裝置係用以於前述處理部與進行前述基板之曝光處理之曝光處理裝置間的經由路徑搬送基板者；第1氣體供給裝置，係用以對前述界面部供給非活性氣體者；及第1排氣裝置，係用以排放前述界面部之環境氣體者。
  2. 2
    如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中更具有：第2氣體供給裝置，係用以對至少具有前述處理部內之前述熱處理裝置與前述第1搬送裝置的區域供給非活性氣體者；及第2排氣裝置，係用以至少排放前述區域之環境氣體者。
  3. 3
    如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中更具有：第3氣體供給裝置，係用以對前述承載及下載部供給非活性氣體者；及第3氣體排放裝置，係用以排放前述承載及下載部之環境氣體者。
  4. 4
    如申請專利範圍第2項之基板處理裝置，其中更具有：第1間隔板，係用以遮斷前述界面部與前述處理部之環境氣體，且具有一用以於前述處理部中之前述區域與界面部之間交接基板的第1通過口者；及第1開關，係用以令前述第1通過口自由開關者。
  5. 5
    如申請專利範圍第4項之基板處理裝置，其中更具有：第2間隔板，係用以遮斷前述處理部與承載及下載部之環境氣體，且具有一用以於前述處理部中之前述區域與承載及下載部之間交接基板的第2通過口者；及第2開關，係用以令前述第2通過口自由開關者。
  6. 6
    如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中更具有一清淨機構，該清淨機構係用以令由前述第1排氣裝置排放之至少一部分環境氣體清淨化，以再度作為前述非活性氣體而送至前述氣體供給裝置者。
  7. 7
    如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中更具有一用以調整前述非活性氣體之溫度的溫度調整機構。
  8. 8
    如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中更具有一可將前述界面部內之壓力設成較前述曝光處理裝置內之壓力低的第1壓力調整機構。
  9. 9
    如申請專利範圍第8項之基板處理裝置，其中更具有一可將前述界面部內之壓力設成較前述處理部中之前述區域內的壓力低的第2壓力調整機構。
  10. 10
    如申請專利範圍第9項之基板處理裝置，其中更具有一可將前述處理部之前述區域內的壓力設成較前述承載及下載部之壓力高的第3壓力調整機構。
  11. 11
    如申請專利範圍第9項之基板處理裝置，其中更具有一可將前述處理部之前述區域內的壓力設成較前述處理部中之前述塗布處理裝置及前述顯像處理裝置內的壓力低的第4壓力調整機構。
  12. 12
    如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中更具有一可將前述基板處理裝置內的壓力設成較前基板處理裝置外之壓力高的第5壓力調整機構。
  13. 13
    一種基板處理裝置，係用以進行基板之塗布顯像處理者，該基板處理裝置係具有：處理部，係至少具有一用以於基板上形成塗布膜之塗布處理裝置、一用以進行前述基板之顯像的顯像處理裝置、一用以進行前述基板之熱處理的熱處理裝置、及一用以對前述塗布處理裝置及顯像處理裝置與熱處理裝置進行搬入及搬出前述基板的主搬送裝置者；界面部，係用以於前述處理部與進行前述基板之曝光處理之曝光處理裝置間之經由路徑搬送基板，且，至少配置有一用以進行曝光前之基板熱處理的第1熱處理裝置、一用以進行搬送曝光前之基板搬送的第1搬送裝置、一用以進行曝光後之基板熱處理的第2熱處理裝置及一用以進行搬送曝光後之基板搬送的第2搬送裝置者；第1氣體供給部，係用以對具有前述界面部內之前述第1熱處理裝置與前述第2搬送裝置的曝光前區域供給非活性氣體者；第1排氣裝置，係用以排放前述曝光前區域之環境氣體者；第2氣體供給部，係用以對具有前述界面部內之前述第2熱處理裝置與前述第2搬送裝置的曝光後區域供給非活性氣體者；及第2排氣裝置，係用以排放前述曝光後區域之環境氣體者。
  14. 14
    如申請專利範圍第13項之基板處理裝置，其中前述第2氣體供給裝置係用以供給較藉由前述第1氣體供給裝置所供給之非活性氣體之溫度低的非活性氣體。
  15. 15
    如申請專利範圍第13項之基板處理裝置，其中前述第2氣體係用以供給氧氣濃度低之非活性氣體。
  16. 16
    如申請專利範圍第13項之基板處理裝置，其中更具有一用以遮斷前述曝光前區域與前述曝光後區域間之環境氣體的第1間隔板。
  17. 17
    如申請專利範圍第13項之基板處理裝置，其中更具有：第2間隔板，係用以遮斷前述處理部與前述界面部間之環境氣體，且具有一用以於前述處理部與前述曝光前區域之間交接基板的第1通過口、及一用以於前述處理部與前述曝光後區域之間交接基板的第2通口者；第1開關，係用以令前述第1通過口自由開關者；及第2開關，係用以令前述第2通過口自由開關者。
  18. 18
    如申請專利範圍第13項之基板處理裝置，其中更具有一用以調節前述非活性氣體溫度之溫度調節機構。
  19. 19
    如申請專利範圍第13項之基板處理裝置，其中更具有一用以將前述界面部內之壓力設成較前述曝光處理裝置內之壓力低的壓力調整機構。
  20. 20
    一種基板處理裝置，係具有：處理部，係用以進行基板之塗布顯像處理者；界面部，係用以至少於前述處理部與進行前述基板之曝光處理之曝光處理裝置間之經由路徑搬送基板者；第1氣體供給裝置，係用以對前述界面部供給非活性氣體者；及第1排氣裝置，係用以排放前述界面部之環境氣體者。
  21. 21
    一種基板處理裝置，係具有：處理部，係用以進行基板之塗布顯像處理者；界面部，係用以至少於前述處理部與進行前述基板之曝光處理之曝光處理裝置間之經由路徑搬送基板，且，劃分為一用以將前述處理部交接之基板搬送至曝光處理裝置的第1區域，與一用以將前述曝光處理裝置交接之基板搬送至前述處理部的第2區域者；第1氣體供給部，係用以對前述第1區域供給非活性氣體者；第1排氣裝置，係用以排放前述第1區域之環境氣體者；第2氣體供給部，係用以對前述第2區域供給非活性氣體者；及第2排氣裝置，係用以排放前述第2區域之環境氣體者。
  22. 22
    一種基板處理裝置，係具有：處理部，係用以進行基板之塗布顯像處理者；界面部，係用以至少於前述處理部與進行前述基板之曝光處理之曝光處理裝置間之經由路徑搬送基板者；處理室，係配置於前述界面部內，用以暫時保持從前述處理部交接而搬送至前述曝光處理裝置之基板者；及環境氣體控制器，係用以控制前述處理室內的環境氣體者。
  23. 23
    如申請專利範圍第22項之基板處理裝置，其中前述環境氣體控制器係用以將前述處理室內減壓。
  24. 24
    如申請專利範圍第22項之基板處理裝置，其中前述環境氣體控制器係用以對前述處理室內供給非活性氣體。
  25. 25
    如申請專利範圍第22項之基板處理裝置，其中前述環境氣體控制器係用以對前述處理室內供給乾燥空氣。
  26. 26
    如申請專利範圍第22項之基板處理裝置，其中前述處理室更具有：清潔室，係用以暫時保持導入前述處理室內之基板並予以清潔者；緩衝室，係用以保持基板者；及搬送裝置，係用以於前述清潔室與前述緩衝室之間搬送基板者。
  27. 27
    如申請專利範圍第26項之基板處理裝置，其中前述緩衝室更具有一用以對前述曝光處理裝置將基板直接搬出的通過口。
  28. 28
    一種基板處理裝置，係至少具有：塗布處理裝置，係用以於基板上形成塗布膜者；顯像處理裝置，係用以進行前述基板之顯像者；熱處理裝置，係用以進行前述基板之熱處理者；搬送裝置，係用以對前述塗布處理裝置、顯像處理裝置及熱處理裝置進行前述基板之搬入及搬出者；及送風裝置，係用以對藉由前述搬送裝置所搬送之基板吹送非活性氣體者。
  29. 29
    如申請專利範圍第28項之基板處理裝置，其中前述搬送裝置更具有一用以保持基板的銷組；前述送風裝置更具有一用以由前述銷組上方吹送非活性氣體之送風口的上面覆蓋構件。
  30. 30
    如申請專利範圍第29項之基板處理裝置，其中前述送風口係對應前述銷組之形狀而多數設置。
  31. 31
    如申請專利範圍第29項之基板處理裝置，其中前述送風口係對應前述基板之形狀而多數設置。
  32. 32
    如申請專利範圍第28項之基板處理裝置，其中前述送風裝置更具有一用以控制非活性氣體之溫度的溫度控制機構。
  33. 33
    如申請專利範圍第28項之基板處理裝置，其中前述送風裝置更具有一用以控制非活性氣體之濕度的濕度控制機構。
  34. 34
    如申請專利範圍第28項之基板處理裝置，其中前述送風裝置係用以於前述搬送裝置由前述塗布裝置將基板搬送至前述熱處理裝置時吹送非活性氣體。
  35. 35
    一種基板處理裝置，係具有：反應抑制部，係用以對塗布光阻而曝光之基板施予抑制光阻之解像反應進行之處理者；加熱部，係用以將於前述反應抑制部中經處理之基板予以加熱而進行光阻之解像反應者；冷卻部，係用以冷卻前述加熱部所加熱之基板而抑制光阻進行解像反應者；及顯像處理部，係用以對前述冷卻部所冷卻之基板進行顯像液之塗布處理者。
  36. 36
    一種基板處理裝置，係具有：卡閘站，係包含有一用以載置裝納有多數基板之基板卡閘的載置部、及一用以對載置於此載置部之基板卡閘進行基板交接的交接構件者；處理站，係連接於前述卡閘站，用以對前述交接構件所搬送之基板進行處理者；及界面站，係用以於前述處理站與對基板進行曝光處理之曝光裝置間交接基板者；前述界面站更包含有一用以對經塗布光阻而曝光之基板施予抑制光阻進行解像反應之處理的反應抑制部，前述處理站更包含有一用以對經前述反應抑制部冷卻之基板加熱而促使光阻之解像反應進行的加熱部、一用以對經前述加熱部加熱之基板冷卻而抑制光阻之解像反應進行的冷卻部、及一用以對前述基板進行顯像液之塗布處理的顯像處理部。
  37. 37
    如申請專利範圍第36項之基板處理裝置，其中前述反應抑制部係設置於曝光裝置之附近。
  38. 38
    如申請專利範圍第35項之基板處理裝置，其中前述反應抑制部係藉由將經塗布光阻且曝光之基板冷卻至不發生結露，而可抑制光阻進行解像反應。
  39. 39
    如申請專利範圍第35項之基板處理裝置，其中前述反應抑制部係藉由將附著於經塗布光阻且曝光之基板的水分量設成較搬送至反應抑制部時附著於基板之水分量少，而可抑制光阻進行解像反應。
  40. 40
    如申請專利範圍第39項之基板處理裝置，其中前述反應抑制部係藉由對基板供給較設有此反應抑制部之環境氣體之空氣的濕度低的氣體，而將附著於基板的水分量設成較搬送至反應抑制部時附著於基板之水分量少。
  41. 41
    如申請專利範圍第35項之基板處理裝置，其中前述光阻係化學放大型光阻，該化學放大型光阻係使藉由曝光所產生之酸進行光阻之解像反應者。
  42. 42
    如申請專利範圍第35項之基板處理裝置，其中前述反應抑制部係因應塗布前述光阻並曝光之基板的領域而控制抑制光阻進行解像反應之程度。
  43. 43
    一種基板處理方法，係具有以下步驟，即：對經塗布光阻並曝光之基板施予抑制光阻進行解像處理的步驟；將經前述抑制進行光阻之解像反應的基板予以加熱而進行光阻之解像反應的步驟；冷卻前述經加熱之基板而抑制進行光阻之解像反應的步驟；及於前述經冷卻之基板進行塗布顯像液處理的步驟。
  44. 44
    如申請專利範圍第43項之基板處理方法，其中前述反應抑制步驟係藉由將經塗布光阻並曝光之基板冷卻至不發生結露，而可抑制進行光阻之解像反應。
  45. 45
    如申請專利範圍第43項之基板處理方法，其中前述反應抑制步驟係藉由將附著於塗布光阻且曝光之基板的水分量設成較搬送至該反應抑制步驟內時附著於基板的水分量少，而可抑制進行光阻之解像反應。
  46. 46
    如申請專利範圍第43項之基板處理方法，其中前述反應抑制步驟係藉由對基板供給較此反應抑制步驟內之環境氣體之空氣的濕度低的氣體，而將附著於基板的水分量設成較搬送至前述反應抑制步驟內時附著於基板之水分量少。
  47. 47
    如申請專利範圍第43項之基板處理方法，其中前述光阻係化學放大型光阻，該化學放大型光阻係使藉由曝光所產生之酸進行光阻之解像反應者。
  48. 48
    一種基板處理方法，係具有以下步驟，即：於基板上塗布光阻的步驟；一邊抑制前述經塗布光阻並曝光之基板之光阻的解像反應，一邊將之搬送至加熱部的步驟；於加熱部加熱前述經搬送之基板，以進行光阻之解像反應的步驟；冷卻經進行前述解像反應之基板，以抑制光阻進行解像反應的步驟；及對於經抑制進行前述解像反應之基板進行顯像液之塗布處理的步驟。
  49. 49
    如申請專利範圍第48項之基板處理方法，其中前述搬送步驟係藉由將前述經曝光之基板冷卻至不結露狀態，以一邊抑制光阻進行解像反應一邊將之搬送至加熱部。
  50. 50
    如申請專利範圍第48項之基板處理方法，其中前述搬送步驟係藉由將附著於搬送至前述加熱部之基板的水分量設成較附著於經曝光後之基板的水分量少，而可一邊抑制進行光阻之解像反應一邊將之搬送至加熱部。
  51. 51
    如申請專利範圍第50項之基板處理方法，其中前述搬送步驟係藉由一邊對前述經曝光之基板供給濕度較空氣低的氣體而一邊將之搬送至加熱部，以將搬送至加熱部時附著於基板上之水分量設成較曝光後附著於基板之水分量少。
  52. 52
    如申請專利範圍第48項之基板處理方法，其中前述光阻係化學放大型光阻，該化學放大型光阻係使藉由曝光所產生之酸進行光阻之解像反應者。
  53. 53
    一種基板處理裝置，係具有：加熱部，係用以將對前述經塗布光阻之基板施予曝光之曝光部所曝光之基板進行加熱，以進行光阻之解像反應者；搬送部，係用以至少將前述經曝光之基板以抑制進行光阻解像反應之狀態而搬送至前述加熱部者；冷卻部，係用以將前述經加熱之基板冷卻而抑制進光阻解像反應者；及顯像處理部，係用以對前述經冷卻之基板進行顯像液之塗布處理者。
  54. 54
    如申請專利範圍第53項之基板處理裝置，其中前述冷卻部係用以將前述曝光部與加熱部間之基板的搬送區域，冷卻至基板不結露的狀態以抑制光阻之解像反應。
  55. 55
    如申請專利範圍第53項之基板處理裝置，其中更具有一氣體供給部，該氣體供給部係用以將前述曝光部與加熱部間之基板的搬送區域設成搬送至加熱部時附著於基板之水分量較附著於曝光後之基板的水分量少，而供給較空氣之濕度低的氣體者。
  56. 56
    一種基板處理裝置，係具有：卡閘站，係包含有一用以載置裝納有多數基板之基板卡閘的載置部、及一用以對載置於此載置部之基板卡閘進行基板交接的交接構件者；處理站，係連接於前述卡閘站，用以對前述交接構件所搬送之基板進行處理者；及界面站，係用以於前述處理站與對基板進行曝光處理之曝光裝置之間交接基板者；前述處理站並包含有一用以加熱前述經曝光之基板而進行光阻之解像反應的加熱部、一用以冷卻經前述加熱部所加熱之基板而抑制光阻進行解像反應的冷卻部、及一用以對前述基板進行塗布顯像液處理的顯像處理部；前述界面站係用以將基板冷卻至不結露的狀態以抑制光阻進行解像反應。
  57. 57
    一種基板處理裝置，係具有：卡閘站，係包含有一用以載置裝納有多數基板之基板卡閘的載置部、及一用以對載置於此載置部之基板卡閘進行基板交接的交接構件者；處理站，係連接於前述卡閘站，用以對前述交接構件所搬送之基板進行處理者；及界面站，係用以於前述處理站與對基板進行曝光處理之曝光裝置之間交接基板者；前述界面站並包含有一用以加熱前述經曝光之基板而進行光阻之解像反應的加熱部；前述處理站並包含有一用以冷卻經前述加熱部所加熱之基板而抑制光阻進行解像反應的冷卻部、及一用以對前述基板進行塗布顯像液處理的顯像處理部；前述界面站係用以將基板冷卻至不結露的狀態以抑制光阻進行解像反應。
  58. 58
    如申請專利範圍第56項之基板處理裝置，其中更具有一氣體供給部，其係用以將搬送至加熱部時附著於基板之水分量設成較附著於曝光後之基板的水分量少，而供給較空氣之濕度低的氣體至前述界面站者。
  59. 59
    如申請專利範圍第53項之基板處理裝置，其中更具有一氣體供給部，該氣體供給部係用以於基板藉著前述搬送部而由前述曝光裝置搬送至前述加熱部之間，對前述基板之被處理面供給經調整溫度及/或濕度之氣體者。
  60. 60
    如申請專利範圍第59項之基板處理裝置，其中更具有一調溫部，該調溫部係用以對由前述氣體供給部供給至基板之被處理面的氣體，調整溫度及濕度中之至少其一，以抑制進行光阻之解像反應者。
  61. 61
    如申請專利範圍第53項之基板處理裝置，其中前述光阻係化學放大型光阻，該化學放大型光阻係使藉由曝光所產生之酸進行光阻之解像反應者。
Independent claims61