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TW459232B

Nonvolatile memory device

Abstract

A nonvolatile memory device includes two float-ing-gate-type memory acraysl e,g.0 flash uemory ( L1)intended to be used as a relatively pernlanent programnemov and an E2pROH (13) lntended tobeused asanorefreqtjently updated data metnory.A single set of addressllnes(Ai) and a single setoe data lines (Di) are usedfor bobh read and write operations for both memory ar-rays. Address.decoding means for accessing an addressedlocation of a selected memory array lncludes separatecolum decoders (31/33) and data latches (23,3g) foreach arrayf but also includes a shared row decoder coltunonto both arrays . Row address latching circuitv ( 24 )associated with at least the data memory holds a decodedrotfaddress for that memov array during a write opera-tion so as to free the shared row decoder for use on oneormoreconcurrent read operations for the other nemovarrayi e . 9 . the progran memory.Data I/O buffer cir-cuitv (1g) and sense amplifiers (L7) are also shared bybotlh arrays . Control Logit ( 2 L),responsive to inputcontrol signals selectlng one of the meuor arrays fF【,F【I and selecting a read (6E) or write (FE) operationrcontrols (Ct, Vpp) the various elements of the devicefincluding address t25,27,29I and data latchesand se-lect/driver circuitry (32( 34i 35( 37) f to carv out thedesired operations.

Term

No projected expiry on record.

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16 claims: 16 independent, 0 dependent

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    一種非揮發性記憶裝置,冥臣臣 : 一第一非揮發性記價體陣列 : 一串:非揮發啤記憶閨哇申I : 一堂篩的位址結,其至少有一gE用為誼頑記憶體陣列『去吊:位i j L距磕與遭擇裝置,遠程a?諂位址燕j1ia苣挂胜位址訊號,j:L涯存垃諒兩訖億體陣田中所被選定之一記憶陣子」a之記憶:壬置t語1t址韜瑪與選擇裝置目含有一共享的列距碼器t其係為記雨記憶體陣列所共用'以長存問話強選定之記憶體陣列內之一對應門語位址訊號打字元搞 : 位址閂鏜裝置1目篩合F:t詔第一記憶體陣列且與葡位址與醒裝置趕潢,以供在該第一記憶,體陣列出一寫入提作造捏凸保持任一推解碼主位址,藉此l該位址轉碼典選擇裝置可間空出以僅存取箕它的記情體位置出進行話第二記憶晴引白勺同時譆gS連作:一輩結的話擄掠,為雨記憶篇陣列所共用 :- 」輩組a:I盛:別放 : 大器, / 萬兩記憶龍陣列所主。荏 ) 且a藉白話1t址gg馮鞋選擇茉薑而與註探選定a記憶體挂5」之位址日軍『封 l 唔的泣工探出差:g。詐瑛:gI22大器特許f:g芝宇Z仕玉持洼導至託散張f帛j: I L供註悲選E主記憶體!琿夕: t E)諄弓e!辜tE::垚 -( 亞崇:慰積閂裝表養、可藉白亞出址萌葩塹窪擇裘置市洼洼至詐堇拍的穀搞掉j:L亞瘴瑋至詒票一間 ' 歪二訐情,龍萬司t迫5:i泣士極、L、j住在談i茁選定之記憶 ’ 寵!革引et譆斑轄作過窄中保宰住從語數據結甲第Lje約數據:Y(及空手!案置,可回應於輸入控告!訊號p豐g兩記憶體陣列吐的其中一:固、並為茁鞭選定之記憶體陣列選擇一讀間或寫入援1Er
  2. 2
    如丰諱專利範圍第i項之記憶裝置,其中,該第一記憶體陣列係為一a :PE0fl,f掉引t
  3. 3
    ai申請專利蔗園祟f項之記憶裝置f其中'諒第二記:億體陣列係為一哄E。g記憶 ' 體陣列'
  4. 4
    如申請專列肆置完l項之記憶裝置'芙中 ' 詒:立址轄瑪與選擇裝置5合一分開拍行肄碼請及一分開的行搓揮雷賂用於串惆記憶麗陣列【
  5. 5
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  6. 6
    Ei牢請蕈5:」鞋圄第i項之記憶裝置,其冀白莊 : g第二址比閂銈裝置,芸聯合5,t該第二記億體陣f:r ,jI共存記第二記憶陣引g)一篇L操作進程中保持住一)g轄瑪,的:)扎 :
  7. 7
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  8. 8
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  9. 9
    一種非揮發l背記焉裝置,其包括:一差-」非揮肆,I串訌 l 憶體陣列:一第二非揮發性記憶體陣列:一組社址綜、用於挂j!2I代表位址 ' E『2)訊g :g ' 其f旨g一特定g5汪置於註記l看體陣列中j詔注址掠目台子」社址掠注行位址結,位址線中辛少有一部份為該兩記憶體陣列所共用:第一及第二行距碼典選擇電醅,兩者皆可與該行位址蹄作訊號連通,」:i從其挂收位址位元,詔差一行角莘碼賄選擇冑路存取對應5:t諒第一記憶體陣列中土諸位址位元曲被選定位元線t詔第二行距磁鞋選擇雷鉻存乾對痛a l t諒票二記憶:饋陣列中之語位址j I t元的花選定位元綜一共享的列距瑪器t其與詒列位汁掠tE記號淳遠!L:&其挂胜位扎位元,該fI特碼罡存求芸弓應門註囂一間第二記:囂蓋掉引中列選定其中之一一記憶體陣子: I ! 午之詐1土iL拄元5)f)2逵玉宇三掠:一干!I9址閂摧電距、娣合於記素一記憶鑒p巨E(月與該共事e)弓!!韜瑪罡遑遑,j:L住手第一、訐寢韓陣中的一萬入捏作:長硅中吊捏住詩字元篩逵擇:垚止、詩壬亨E :l i5」軻嫣罪丰校壬』 t 以使存改革己的字元黯』五詒第一元 : 曹:請遵列i)焉 I 7」操作退空中進行詒荳:記憶璧E孽E(的同持謹申掉作:一招致張持t祟法案頭記境璧陣列所幸埋一旺冒》韁閂進罡,E3l3各傾記虎麗陣列,且與合於某位元掠,註數據閂據器可藉由該辜第一芭第二行距碼串進揮雷務市逞挂於該穀捷縮,tL供一寫入操作至訝雨記憶驛陣弓I」.中所選定E)一侶:一組崩混 I 放大器,由兩訖積體陣列日共享,諒感剖放大器可藉白該享第一及第二行殼瑪與蒲擇電罷市:辜遠於.一談滘定之記憶體渾i)茫2)ft元掠、以 ' 共該)g選定記憶體陣列的讀取攪作,諒感奘!放大器的轉出席逞接於該組歎搪線 : j:)互控制裝置,可耳膜於輸入控制訊號而控制至少詒第一支舀二行轉碼與選擇電路j:L及該列位址閂領電韃的搜作,L:l在一貼趕走記憶體陣列中執行一造:走的謹車或寫入藩I.E,
  10. 10
    如申請專利議圍第9項之裝置,其中,詛第一氈結記:篙:龍陣弓」蔻一E :PR0M陣列
  11. 11
    如申請專引範圍琵1I項之垚置、芸t 1語E :PR0jlj掉干」兼具::旨單一位元ag寫 l :﹑」:(垚巨程式寫i、Etggh :
  12. 12
    址申請享m籃置差9考之裝置t其中 ' 詐票二記憶璧埋列為一 : 抉閃記憶體陣列v
  13. 13
    如甲譁車門墊萱崇q項之裝置,其中,該第二記憶豐陣列止註第一記情韻哇:i!臬有較七折記虎自量,亞案二記博舉陣歹」票辜所有的位址裱fj佳存垃第二訌信龍渾 i L! ' 註第一:E信,謹揮:i)5需垚亦:目D)fi北綜中e)一部茁.L:L估李亞差-:31自體悻a1t
  14. 14
    如申請辜t t j鞋圄第9項z裝置,其d,該第一及第二行距萌萄選擇堇筷色自有方向琵空電路,」)L特辦造主位元綜遑洼王註感推! t 放大葡、i」供一讀茁捂作,tL垚持詩話據綜潢挂王諒被選定位元綜所對應主動據閂結蓋、L:1供一寫入捏」 t l5【
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    ai申請專利範置第9項之裝置,其中,亞引出址閂鎧電呂呂在諒第一記憶體陣列之一讀田捏f宇B5追奘『對於語共享的申!韜酲器及語字元掠居易讀取的。
  16. 16
    扣字語專利範圍第9項之裝置,其中、話韓L空宗!訊號包含有一第一組訊號,其徨選擇一個記憶驛陣列,L:L亞一等:距訊號,冥僮選擇一讀取或寫入渠f宇供話萌造主的記憶蟹!璋6)。
Independent claims16