TW336325B

Copper wire and process for making copper wire

Abstract

Abstract of the Disclosure This invention relates to copper wire having a substantially uniform unoriented grain structure that is essentially columnar grain free. This invention also relates to a process for making copper wire comprising: cutting copper foil to form at least one strand of copper wire, said copper foil being an annealable electrodeposited copper foil having a substantially uniform unoriented grain structure that is essentially columnar grain free, said foil being characterized by a fatigue ductility of at least about 25% after being annealed at 177℃ for 15 minutes; and shaping said strand of wire to provide said strand with desired cross-sectional shape and size. This invention also relates to a process for making copper wire comprising: flowing an aqueous electrolyte solution between an anode and a cathode and applying an effective amount of voltage across the anode and the cathode to deposit copper foil on the cathode, said electrolyte solution being characterized by a chloride ion concentration of up to about 5 ppm and an organic additive concentration of up to about 0.2 ppm; cutting said foil to form at least one strand of wire; and shaping said strand of wire to provide said strand with desired cross-sectional shape and size.

Term

No projected expiry on record.

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  4. Today

41 claims: 27 independent, 14 dependent

  1. 1
    一種銅線,其具有幾乎不含柱狀晶粒的實質均勻不定向晶粒構造,該銅的平均晶粒尺寸高達8微米,在23℃的最終抗張強度為60,000至95,000psi,在23℃的伸長率為8%至18%。
  2. 2
    如申請專利範圍第1項之線,其中該線具有幾乎不含孿晶間界且實質地無孔性之晶粒構造。
  3. 3
    如申請專利範圍第1項之線,其中該線在180℃具有於22,000至32,000 psi範圍內的最終抗張強度及在180℃下於24%至45%範圍內的伸長率。
  4. 4
    如申請專利範圍第1項之線,其中該線具有圓形橫截面形狀。
  5. 5
    如申請專利範圍第1項之線,其中該線具有方形或長方形橫截面形狀。
  6. 6
    如申請專利範圍第1項之線,其中該線具有十字形,星形,半圓形,多邊形,競賽場形,卵形,扁平形或有肋骨狀突起的扁平形之橫截面形狀。
  7. 7
    一種製造銅線的方法,其包括:(A)將電解質水溶液流經陽極與陰極之間並在陽極與陰極之間施加一有效量的電壓以在陰極上沈積具有幾乎不含柱狀晶粒的實值均勻不定向晶粒結構之銅箔,其中該電解質溶液的特徵在於含有最高達5ppm的氯離子濃度和最高達0.2ppm的有機添加劑濃度;(B)切割該箔以形成至少一線股;及(C)對該股線進行成型處理以使該線股具有所欲橫截面形狀和尺寸。
  8. 8
    如申請專利範圍第7項之方法,其更包括在步驟(C)之前清潔步驟(B)所得該線股。
  9. 9
    如申請專利範圍第7項之方法,其中該陰極係水平裝設者。
  10. 10
    如申請專利範圍第7項之方法,其中該陰極係垂直裝設者。
  11. 11
    如申請專利範圍第7項之方法,其中該切割步驟(B)包括將在該陰極上的箔片劃線切割出以形成該線股及從陰極取下該線股。
  12. 12
    如申請專利範圍第11項之方法,其中在該步驟(B)之前,將該陰極從該電鑄電池中取出。
  13. 13
    如申請專利範圍第7項之方法,其中該電解質溶液具有最高達1ppm的氯離子濃度。
  14. 14
    如申請專利範圍第7項之方法,其中該電解質溶液具有零之自由氯離子濃度。
  15. 15
    如申請專利範圍第7項之方法,其中該電解質溶液不含有機添加劑。
  16. 16
    如申請專利範圍第7項之方法,其中沈積該銅所用的電流密度係在500至2000安培/平方呎範圍之內。
  17. 17
    如申請專利範圍第7項之方法,其更包括在步驟(B)之前將該箔退火處理之步驟。
  18. 18
    如申請專利範圍第7項之方法,其更包括對該線進行退火處理之步驟。
  19. 19
    如申請專利範圍第7項之方法,其中該線具有圓形橫截面形狀。
  20. 20
    如申請專利範圍第7項之方法,其中該線具有方形或長方形橫截面形狀。
  21. 21
    如申請專利範圍第7項之方法,其中該線具有十字形,星形,半圓形,多邊形,競賽場形,卵形,扁平形或有肋狀突起的扁平形之形式的橫截面形狀。
  22. 22
    一種製造銅線之方法,其包括:(A)將銅箔切割形成至少一股銅線,該銅箔為可退火的電沈積銅箔,其具有幾乎不含柱狀晶粒的實質均勻不定向晶粒構造,且該銅箔的特徵在於其在177℃退火處理15分鐘後具有至少25%的疲勞延性;及(B)對該線股進行成型以使該股具有所欲的橫截面形狀和尺寸。
  23. 23
    如申請專利範圍第22項之方法,其中該箔係經退火者且該箔的特徵為具有至少65%的疲勞延性。
  24. 24
    如申請專利範圍第22項之方法,其中該箔在23℃具有60,000至95,000psi範圍內的最終抗張強度。
  25. 25
    如申請專利範圍第22項之方法,其中該箔在23℃具有8%至18%範圍內的伸長率。
  26. 26
    如申請專利範圍第22項之方法,其中該箔在180℃具有22,000至32,000psi範圍內之最終抗張強度。
  27. 27
    如申請專利範圍第22項之方法,其中該箔在180℃具有23%至37%的伸長率。
  28. 28
    如申請專利範圍第22項之方法,其中該箔在經177℃退火處理15分鐘後具有23℃下於42,000至70,000psi範圍內之最終抗張強度。
  29. 29
    如申請專利範圍第22項之方法,其中該箔在177℃退火處理15分鐘後,具有23℃下於15%至31%範圍內的伸長率。
  30. 30
    如申請專利範圍第22項之方法,其中該箔在經177℃退火處理15分鐘後具有180℃下於22,000至32,000psi範圍內之最終抗張強度。
  31. 31
    如申請專利範圍第22項之方法,其中該箔在177℃退火處理15分鐘之後,具有180℃下於24%至38%範圍內的伸長率。
  32. 32
    如申請專利範圍第23項之方法,其中該箔在23℃下於36,000至48,000 psi範圍內之最終抗張強度。
  33. 33
    如申請專利範圍第23項之方法,其中該箔具有在23℃下於23%至36%範圍內之伸長率。
  34. 34
    如申請專利範圍第23項之方法,其中該箔在180℃下於22,000至32,000psi範圍內之最終抗張強度。
  35. 35
    如申請專利範圍第23項之方法,其中該箔在具有180℃下於25%至40%範圍內之伸長率。
  36. 36
    如申請專利範圍第22項之方法,其中該箔的平均晶粒尺寸為最高達3微米。
  37. 37
    如申請專利範圍第22項之方法,其中該箔在經177℃退火處理15分鐘後所具平均晶粒尺寸為高達5微米。
  38. 38
    如申請專利範圍第23項之方法,其中該箔的平均晶粒尺寸為最高達8微米。
  39. 39
    如申請專利範圍第22項之方法,其中該線具有圓形橫截面形狀。
  40. 40
    如申請專利範圍第22項之方法,其中該線具有方形或長方形橫截面形狀。
  41. 41
    如申請專利範圍第22項之方法,其中該線具有十字形,星形,半圓形,多邊形,競賽場形,卵形,扁平形或有肋骨狀突起的扁平形之形狀的橫截面形狀。
Independent claims41