TW200529284A

An intelligent full automation controlled flow for a semiconductor furnace tool

Abstract

The presented invention includes a process comprising the steps of: providing a first batch of semiconductor material, loading the first batch into a carrier which transports the first batch into a semiconductor manufacturing process, while the first batch undergoes the process, forming a second batch of semiconductor material, and pausing a second batch process operation until the first batch completes processing, to reduce the idle time of said process.

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No projected expiry on record.

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8 claims: 8 independent, 0 dependent

  1. 1
    一種製程,至少包含下列步驟:提供一第一批次半導體材料;將該第一批次半導體材料載入承載體,以運送該第一批次半導體材料供進行一半體製造程序;在該第一批次半導體材料進行該半導體製造程序時,提供一第二批次半導體材料;以及暫停對該第二批次半導體材料進行半導體製造程序,直到該第一批次半導體材料完成該半導體製造程序,以節省該製程處理兩批次的半導體材料所需的待機時間。
  2. 2
    一種製程,至少包含下列步驟:將一第一批次半導體材料載入一承載體上,並安置該第一批次半導體材料在製程反應室中,當該第一批次半導體材料位在該製程反應室中時,將一第二批次半導體材料載入該承載體上,在對該第一批次半導體材料進行檢測(inspection)時,暫停對該第二批次半導體材料進行下一步驟的半體製造程序。
  3. 3
    如申請專利範圍第2項所述之製程,更包含下列步驟:判定該檢測出來的結果是否滿足預設規格之要求。
  4. 4
    如申請專利範圍第2項所述之製程,更包含下列步驟:判定該檢測出來的結果是否不能滿足預設規格之要求。
  5. 5
    如申請專利範圍第2項所述之製程,更包含下列步驟:判定何時重新啟動對該第二批次半導體材料所進行的該半體製造程序。
  6. 6
    如申請專利範圍第2項所述之製程,更包含下列步驟:依據對於該第一批次半導體材料檢測的結果,判定何時重新啟動對該第二批次半導體材料所進行的該半體製造程序。
  7. 7
    一種製程,至少包含下列步驟:將一第二批次半導體材料載入一運送器,並且在第一批次半導體材料處理並冷卻完畢之前,將該第二半導體材料安裝在處理反應室中。
  8. 8
    一種用於加熱並冷卻底材(substrate)的半導體製造程序,至少包含下列步驟:形成第一批次半導體材料,將該第一批次半導體材料載入一承載體,運送該第一批次半導體材料進入一加熱機構,形成一第二批次半導體材料,當該加熱機構對該第一批次半導體材料進行加熱時,將該第二批次半導體材料載入該承載體;傳送該第一批次半導體材料到距離該加熱機構最近的位置和距離該可冷卻部件最近的位置之間,將位於一冷卻機構中,距離該第一批次半導體材料位置最近者加以冷卻;以及當該第一批次半導體材料完成該半導體製造程序時,將該第二批次半導體材料傳送到該加熱機構中,以降低該半導體製造程序處理兩批次的半導體材料所需的待機時間。
Independent claims8