PT76047B

Process for the preparation of alkaline polyphosphides having long phosphorus atoms chains as well as of pure phosphorus and of semiconductors fillers and films containing them and apparatus for its realization

Abstract

This record has no abstract on file.

PT76047B, drawing sheet 1
Sheet 1 of 26

Term

Term ended

Expired 29 December 1997, 28.7 years ago.

  1. Priority
  2. Filed
  3. Granted
  4. Expired
  5. Today

8 claims: 8 independent, 0 dependent

  1. 1
    1ϋ - Processo para a preparação de polifosforetos alcalinos com cadeias compridas de fósforo, da formula KP , na qual M é um ou mais átomos de metais e P é principalmente fósforo mas pode incluir também ur? ou mais outros elementos, do grupo do azoto e de fósforo mediante transporte de vapor, caracterizado pelo facto de compreender a utilização de duas fontes de fósforr 5 de um ou mais metais aquecidos e separadas e una zona de deposição separada que tem uma temperatura substanci^lmente constante ao longo de uma extensa área! 22 - Processo para a preparação de fósforo substancialmente puro de acordo com a reivindicação 1, caracterizado pelo facto de se depositar 0 fósforo mediante transporte de vapor sobre um substracto de um polifosforeto de metal, - Processo para « preparação de materiais à base de polifosforetos metálicos de. .acordo com a reivindicação 1, caracterizado pelo facto de compreender o aquecimento de um ou mais metais e de fósforo nitaa zona de temperatura controlada e a deposição de fosforeto metálico a partir do vapor fornecido por esta zona numa segunda zona de temperatura controlada que tem uma temperatura substancialmente constante ao longo de uma ext.-rasa área. 43 - Processo para a preparação de materiais à base de polifosforetos com elevado, teor de fósforo, con a fórmula MP , na qual M significa um ou mais átomos dc metais e P significa um átémo de fósforo, de acordo com a reivindicação 1, caracterizado pelo facto de compreender 0 aquecimento conjunto de M e 3? s, em seguida, 0 seu arrefecimento até à temperatura ambiente! 53 - Processo de ac.rdo com a reivindicação 159
  2. 2
    4, caracterizado pelo facto de o referidi material ccm· preendcr um único metal alcalino., 6± - Processo de acordo com a rei vindime, o 4, caracterizado pelo facto de o .referido material compreender pelo menos dois metais alcalinos diferentes. 7- - Processo de acordo coxa as reivindicações 4, 5 θ b, caracterizado pelo facto de o referido material posnuir pelo menos 7 átomos de,fósforo que estão ligados a outros átomos de fósforo, por cada átomo de metal existente no referidô material» 8^ - Processo de acordo com a reivindicação 7, caracterizado pelo facto de 15 átomos de fósforo estarem ligcxlos a outros átomos de fósforo, por cada átomo de metal existente no referido material! ga - Érocesso de acordo com a reivindicação 8, caracterizado pelo facto de, no referido material, existirem pelo menos 500 átomos de fósforo por cada át r '~ mo de metall 10- ~ ítzoqqsso de acordo com as reivindicações la 6, caracterizado pelo facto de o referido material. poder ser definido pela fórmula (MP,p a ^¾^ 3 eía que h:a representa a razão atómica de ;(Ρθ).para (ΜΡγ). 11a - Processo.de acordo com a reivindicação 10, caracterizado pelo facto de o referido polifosforeto ter a fórmula MP e χ ser suhstcncialmente igual a 15. •Λ. 12â - Processo de acordo 1 coê a reivindicação 11, caracterizado pelo facto de o referido polifosforeto ter a fórmula MP e x ser maior do que 14! 13- - Processo de acordo com a reivindicação 12, caracterizado pelo facto de x estar compreendido dentro do intervalo de 7 a 15. 14 a Processo de acordo com qualquer das reivindicações 1 a 15, caracterizado pelo facto de- o c- ferifio -’-etal ser li 15 a - Processo de acordo com qualquer das reivindicações 1 a 13, caracterizado pelo facto de o referido metal ser Há. 16£ - Processo de acordo com qualquer das reivindicações 3. a 13, caracterizado pelo facto âe o referido metal- ser ii? 17 a - Processo de acordo com qualquer das reivindicações 1 a 13, caracterizado pelo facto de o referido metal ser Hh’„ 182 - Processo de acordo...cora qualquer das reivindicações 1 a 13, caracterizado pelo facto de o referido metal ser Ca. 19 s - processo de acordo oom qualquer das reivindicações la), caracterizado pelo facto de, pelo meços, u/7 dos referidos átomos terem exclusivamente 3 ligações homatómicas. 202 - Processo àe acordo.com a reivindicação 19, caracterizado pelo facto de, pelo menos, 24/25 dc referidos átomos terem 3 ligações homatómicas. 212 - Processo de acordo com. a reivindicação 20, caracterizado pelo facto de a proporção de átomos da referida espécie que possuem ligações-homatómicas ser muito maior do que 14/15. 22- - Processo de acordo com.as reivindicações 4 a C, caracterizado pelo facto de o referido material possuir na sua ordem loc .1 uma .estrutura tubular do tipo de coluna. 23 a - Processo de acordo..com a, reivindicação 22, caracterizado pelo facto de as. referidas estruturas tubulares numa ordem local serem.tedas geralmente paralelas. - . 24^ - Processo de acordo com as r ei vindi ções 22 ou 23, caracterizado pelo facto de a maior parte dos átomos componentes do referido material serem átomos trivaientes. . ' 25- - Processo de acordo eom as reivindicações 22 a 24, caracterizado pelo facto de a referida estrutura colunar ter a forma do esral quando observada da extremidade. 26c - Processo de acordo.com aã reivindicações 22 a 25, caraeterizado pelo, facto de a estrutura colunar ser pentagonal quando observada da extremidade. 27a - Processo de acordo com as reivindixações 24 a 26, caracterizado pelo facto de os referidos átomos serem de um ou mais elementos âo.grupo do azoto e do fósforo. 28£ - Processo de acordo co3i as reivindic lções 22 a 27, caracterizado pelo facto de os referidos átomos serem predominantemente átomos, d.e fósforo'.' 29a - Processo de acordo com a reivindicação 1, caracterizado pelo facto de se obter_um material à bo-se de fósforo sólido, .em que os átomos de fósforo estão ligados por múltiplas ligaçges fósforo-fósforo covalente formando arranjostubulares substancialmen te pentagonais de átomos de fósforo ligados, sendo a ordem local ao longo do referido fósforo substancialmente definida pelos mencionados arranjos tubulares que em geral possuem todos os seus eixos predómonantemente paralelos entre si’. 30â - Processo de acordo com a reivindicação 29, caracterizado pelo facto âe se.obter.um material estável sólido, que tem a fórmula M? . em que Mó um :,u mais átomos de metais alcalinos eP ó principalmente -fósforo, mas pode incluir um ou mais : outros elementos do grupo do azoto e do fósforo, ex Ó maior que 15’, 31 a - xiocesso de acordo com as reivindic ções 29 e 30, caracterizado pelo facto de se obter ui material com elevado teor de fósforo, formado como produto de deposição de vapor de fósforo transportado a partir de fontes aquecidas separadas de vapor de fósforo e de vapor de ma ou pais metaiâ. * 32a - Processo dc acordo com as reivindicações 29 a 31, caracterisado pelo facto de se obter um material à base de polifosforetoc cristalinos com a forma de varões com a secção recta em forma de. estreia» 33“ - Processo para a preparação de polifosforctos com elevado teor de fósforo,_de acordo com as reivindicações 4 a 32, mediante a deposição química de vapores, caracterisado pelo facto de compreender a passagem de correntes gasosas separadas de fósforo vaporizado e de um metal alcalino vaporizado sobre um substracto em que se realizo, a condensação. 34 a - Processo para, a preparação de polif nforctos de acordo com as reivindicações 32 e 33, caracterizado pelo facto de a condensação a partir da fase de vapor se realizar a uma temperatura inferior a 300SC. 35“ - írooesso para a preparação de polifosforetos de acordo com a reivindicação 34, caracterizado polo facto de a condensação se realizar substancialmente a 46220 36“ - Processo para a preparação de material constituído por fósforo de alta pureza de acordo com a reivindicação 2, caracterizado pelo facto de compreender a vaporização do fósforo numa ampola vedada e a condensação do mesmo a uma temperatura substancialmenté dentro do intervalo de 5θ0~550 2 0« 37“ - Processo de acordo com a. reivindioc JOj ty»i/u-j. a.zjc',u \j jj ’ das cristalinas de fósforo ι · ι. ’;1I«W < :r t ^‘at s ri'».H' l :''‘~ , ? J .h 3tís - processo para a preparação de fósforo de alta pureza de acordo com a reivindicação 36, caracterizado pelo facto de o mesmo a partir da. fase ds vapor a uma temperatura substancialnente dentro do intervalo de 500“350-G. 39- - Processo para a preparação de fósforo de alta, pureza, de acordo com a reivindicação 36, caracterizado pelo facto de o referido fósforo de.alta pureza scr condensado na preseáça de uma quantidade substancial de vapor de metal alcalino*. 4Oâ - Processo para a preparação de gósforo âe alta pureza, de acordo com as reivindicações 38 ou 39, caracterizado pelo, facto de o mesmo ser condensad: a uma temperatura substancialmente igual a 539- 0. 41£ - Processo para a. preparação de material constituído ppr fósforo monoclínico;, de acordo com a reivindicação 2, caracterizado pelo facto de o mesmo ser condensado a partir da fase de vapor na presença de uma quantidade substancial de vapor de metal alcalino, 42 s - Processo de acordo çóm a- reivindicação 41, caracterizado pelo facto de o material obtido ser formado por cristais de fósforo monoclínico tendo uma dimensão maior substancial®ente superior a 0,2 mm. 43ã _ Processo de acordo com a reivindicação 42, caracterizado pelo facto de. o. material obtido ser formado por cristais de fósforo mono clinico tendo uma dimensão menor substancialmente superior a 0,05 mà. 44- - rrooesso para a preparação^ de fósforo monoclínico, de acordo com qualquer das reivindicações 41 a 43, caracterizado pelo facto de o mesmo ser condensado a partir da fase de vapor-a uma temperatura substancialmente dentro do intervalo cLe 500 a 55O fi C. 452 - Processo para a preparação de fósforo monoclínico, de acordo com a reivindicação 41, naracte-risnâo pelo facto de 0 mesmo ser condensado a uma tem- peratura substancialmente igual a 53S 2 C! 46» - processo para a preparação de fósforo monoclínico, de acordo com qualquer das reivindicações 41 a 45, caracterizado pelo facto de o referido fósforo conter metal alcalino substancialmente dentro do intervalo dc 50-20CO partes por milhão! 47 a - Processo para a preparação de fósforo monoclínico de acordo com qualquer das reivindicações 41 a 46, caracterizado pelo facto de apresentar a forma cristalina de pequenas lamelas. 48 a - processo para a preparação de fósforo monoclínico de acordo com qualquer das reivindicações 41 a 46, caracterizado pelo facto de apresentar a f-., :.:.â cristalina de tronco de pirâmide! 49- - Processo para.a preparação de fósforo monoclínico, de acordo com qualquer·.das reivindicações 41 a 48, caracterizado pelo facto de o referido vapor ser formado a uma temperatura compreendida dentro do intervalo de 546-564 2 C! 50 â - Processo de acordo com qualquer das reivindicações 41 a 49, caracterizado pelo facto de o referido metal ser sólido. 51- - Processo de acordo com qualquer das reivindicações 41 a 49, catacterizaâo pelo facto de o referido metal alcalino ser potássio! 52a - Processo de acordo;com qualquer das reivindicações 41 a 49, caracterizado pelo facto de -. referido metal alcalino ser rubído! 53* - Processo de acordo com qualquer das reivindicações 41 a 49, caracterizado. pelo facto de o referido metal alcalino ser césio! 1 54a - Processo para a preparação de fósfo- ro,de-acordo con a reivindicação 34, caracterizado pelo facto de ser condensado da, fase vapor substancialmente a 509-0. 55- -Processo para a preparação de películas sólidas de um polifosforeto alcalino de fórmula MP, depositadas sobre um substrato, de acordo com a reivindicação lx caracterizado pelo facto de, na referida fórmula, o símbolo M significar um ou mais átomos de metais e o símbolo 2 representar um ou. mais átomos d. elementos do grupo do azoto e fós£oro“.5b- - Processo para, a preparação de películas de polifosforetos com um elevado teor de fósforo de a.cordo com a reivindicação 55, caracterizado pelo facto de os polifosforetos serem formados por deposição química a partir de vapor. 57 a - Processo par. a preparaçao de películas de polifosforetos cõm um alto teor de fósforo de aõordo as reivindicações 55 ou 56caracterizado pelo facto de os referidos polifosforetos serem formados por vaporização instantânea,,·
  3. 3
    5Sa - Processo para.a preparação de um material de revestimento'protector de acordo com as reivindicações 55 a 57, caracterizado pelo facto de compre-uder um polifosforeto de alto teor de fósforo contcnc· eventualmente outros elementos do grupo do azoto e de fósforo. 59 a - Processo para, a preparação de um material âe revestimento óptico, âe acordo com as reivindicações 55 a 57, caracterizado pelo facto de compreender um polifosforeto âe alto teor de fósforo contendo eventualmente outros elementos do grupo do azoto e do fósforo. 602 - processo para a preparação de um.material de revestimento antirreflexão,. de. aoordo com as reivindicações 55 a 57? caracterizado pelo facto de compreender uma camada de um polifosforeto de alto teor em fósforo contendo eventualmerte outros elementos do grupo do azoto o do fósforo. 61 s - Processo para z. obtenção de revestimentos, de acordo com as reivindicações 58-a 60, caracterizado pelo facto de se aplicar sobre um substracto de vidro’. 62s - rrocosso para a obtenção de revestimentos, de acordo oom as reivindicações 58 a 60, cara:-terisado pelo facto de se aplicar sobre um substracto do motal. 63- - rrocesso para a obtenção de revestimentos, de acordo com as reivindicações 58 a 62, caracterizado pelo facto de o referido elemento do grupo do azoto e fósforo ser fósforo. 64 a - Processo para a obtenção de revestimentos, de acordo com as reivindicações 58 a 63, caracterizado pelo facto de os referidos revestimentos serem amorfos. 65 a - Processo para a formação de elementos semicondutores, caracterizado pelo facto de compreender as seguintes operações: a) a obtenção de um material que compreende, pelo menos como um dos seus componentes, um polifosforeto contendo ligações de fósforo-fósforo e contendo átomos de metal alcalino que sao ligados aos referidos átomos de fós: ro e em que o número de ligações covalentes fósfoio-xósforo consecutivas é suficientemente maior &o que o número de ligações que não são de fósforo-fósforo para tornar o referido material semicondutor j-e b) a fixação ao referido material de meios .que possibilitam a comunicação electrica com ele de forma a podcr-qe utilizar como semi-condutor. 66* - Processo para a formação cie elementos semicondutores de acordo com a reivindicação 65, caracterizado pelo facto do compreender as seguintes operaÇOGSÍ a) a obtenção do um material que compreende, pelo menos como um dos seus componentes> pelo menos duas unidades polifosforeto possuindo cada unidade um esqueleto de pelo menos 7 átomos de fósforo ligados eovalentemente tendo as referidas unidades associadas consigo pelo menos um átomo de metal alcalino ligando os;mencionados átomos de metais alcalinos o esqueleto de fósforo de uma inidade com o esqueleto de fósforo da outra unidade por condução por meio de ponte, possuindo o referido material uma diferença dos níveis da energia determinado principalmente pelas mencionadas ligações de fósforo· -fósforo;e b) a fixação ao referido material.de meios que possibilitam a comunicação eleotriea com o mencionado material por forma a poder-se utilizar como semicondutor. 67* - processo para a formação de elementos semicondutores de acordo com as reivindicações 65 ou 56 caracterizado pelo facto de compreender as seguintes g rações: a;a obtenção de um material que compreende, pelo menos com um de seus componentes, um polifosforeto que tem a fórmula MF , em que M é um átomo de metal alcalino e ·** x é o, ríxzão atómico, de P para K, sendo x pelo menos igual a 7, e em que o referido material tem um intervalo de níveis de energia compreendido entre 1 e 5 e Vj e b) a fixação ao mencionado materialde meios que possi bilitam a comunicação eléctrica com o referido material por forna a poder-se utilizar como semicondutor. 68= - Processo para a preparação de elementos semicondutores fornados por um material;que compreendem substancialmente em toda a sua, extensão átomos de acordo com as reivindicações 65 a 67 } caracterizado pe- lo facto de a grande maioria dos átomos dás ditas espécies terem tres ligações covalentes, homatõmicas, exclusivamcnte. 69- - Processo para a preparação de elementos semicondutores de acordo com a reivindicação 68, caracterizado pelo facto de serem formados por um material que compreendo substancialmente em toda a sua extensão uma ordem local definida por grupos de sete ou mais átomos covalentemente ligados entre si de modo a formarem tu! c substancialmente pentagonais, γθ=ι - Processo para a preparaçãê de elementos semicondutores, de acordo com as reivindicações 65 a 69, caracterizado pelo facto de serem formados por um material que substancialmente compreende em toda a. sua extensão·, uma criem local definida por um grupo de polifosforeto que tem a fórmula MP y » na qual E é um metal e x é maior do que seis„
  4. 4
    7ia ~ Processo para a preparação de elementos semicondutores, de acordo com a reivindicação 70, caracterizado pelo facto de compreenderem substancialmente ao longo de toda a sua extensão um material que tem uma ordem local definida por átomos unidos por ligações múltiplas covalentes átomo-átomo que formam, camadas de tubos pentagonais, sendo os tubos dentro de cada camada substancialr,icnte paralelos uns aos outrosV 72â - Processo para a preparação de elementos semicondutores, de acordo com a reivindicação 71, caracterizado pelo facto de compreenderem um material inorgânico que tem como ordem local dominante, substancialmente ao longo da sua extensão, cadeias de átomos homatômicos covalentemente ligados, sendo substancialmente todas as ligações covalentes do referido material envolvidas nas cadeias dos mencionados átomos e pwporcionando as referidas ligações covalentes fomccmdo os percursos de condução elóctrica dominantes no mencionado material, o qual tesa um intervalo de níveis de energia substancialmento compreendido de 1,4 e 2,2 e V, 73- - Processo para a preparação de elementos semicondutores de acordo com a reivindicação 72, caracterizado pelo facto de os referidos elementos compreenderem um material inorgânico que tem como ordem local dominante substancialmente ao longo da sua extensão cadeias de átomos_homatSmieos covalentemente ligados estando substoncialmente tódas as ligações :covalentes do referido material envolvidas na cadeia dos mencionados átomos e proporcionando as referidas ligações covalentes os percursos de condução eléctrica dominantes no referido material o qual possui .uma razão'âe fotocondutividade substancialmente dentro do intervalo de 100 a 10.000. 74 a - Processo para a preparação de elementos semicondutores de acordo com a reivindicação 73, caracterizado pelo facto de estes compreenderem um m, teria! constituído por polifosforetos de alto teor de fósforo condensados da fase de vapor na presença de um metal alcalino. 75- - Processo para a preparação de elementos semicondutores de acordo com-qualquer das reivindicações 65 a 74, caracterizado pelo facto de as ligações dos referidos átomos serem espaçadas de um ângulo médio maior do que 9o~. 76 a - Processo de acordo com a reivindicação 75, caracterizado pelo facto de o referido ângulo variar entre a‘(- e 109 a C. 77 a - Processo para a preparação de elementos semicondutores, de acordo com as reivindicações 72 ou 73, caracterizado pelo facto de existirem átomos aóiciohais de um op: mais elementos diferentes;dos átomo das referidas cadeias ligados entre .-.'duas ou mais cadeias. semicondutores de acordo com a reivindicação 77, oaracterizado pelo facto de os referidos átomos adicionais formarem percursos de condução elóctrica eírtre as cadeias a que estão ligados. 79ã ~ Processo para a preparaçao de elementos seni-condutores de acordo com a reivindicação: 78, caracterisado pelo faeto de as referidas cadeias serem todas geralmente paralelas. õOs - Processo de acordo com qualquer das reivindicações 65 a 79, caracterizado pelo facto de o referido material ser formado como produto de deposição do transporte dc vapor proveniente de fontes separadas dc fósforo e de metal alcalino, sobre ttma zona de deposição . 81 s - Processo de acordo com- qualquer das reivindicações 65 a 79, caracterizado pelo facto de a maioria substancial dos referidos átomos ser átomos de fósforo. 82= - Processo de acordo com. qualquer das reivindicações 65 a 81, caracterizado pelo facto de a proporção atómica de fósforo para metal ser substancie .1mente 50 ou maior. 83 s - Processo de acordo com a reivindicação 82, caracterizado pelo facto de a referida proporção atómica ser substancialmente igual a 200 ou maior. 84- - Processo de acordo com a reivindicação 83, caracterizado pelo facto de referida proporção atómica ser substancialmente igual & ΐζ'ΟΟΟ ou maior. 85 a - Processo de acordo com a reivindicação 84, caracterizado pelo facto de a quantidade do referido metal ser menor do que 1.000 partes?por milhão! 86a - Processo de acordo com qualquer das reivindicações 65 a 79, caracterizado pelo facto de o referido material ter um intervalo de níveis de energia substancialmente compreendido entre 1. e 3 electrão-volt, 87 a - Processo de acordo com. a reivindicação 86, caracterizado pelo facto de o referido material ter um intervalo de níveis de energia substancialmente cempreendido entre 1,4 © 2,2 electrão-volt. 88S - Processo de acordo çom a reivindicação 87 t caracterizado pelo facto de o referido material ter ura intervalo de níveis de energia substancialmente igual a 1,
  5. 5
    8 electrão-volto v 89 a - rrocesso de acordo ccm qualquer das reivindicações 65 a 88, caracterizado pelo facto de e referido material ter uma razão de fotocondutividade compreendida entre 100 e ΙΟζΟΟΟζ . 902 - Processo.de acordo com qualquer das reivindicações 65 a 8y, caraeterizafo pelo facto de o referido material ser formado por um cristal único.
  6. 6
    9ia - processo de acordo oom qualquer das reivindicações 65 a 89, caracterizaâo pelo facto de o· referido material ser· policristalinoV. 92& - Processo de acordo com qualquer das reivindicações r -65 a 89, caracterizaâo pele facto de o referido material ser amorfo’. 95 a - Processo de acordo com qualquer das reivindicações 65 a 89 ou 91. a 92, caracterizado pelo facto de o referido material se encontrar sob a forma» de uma película fina., g 94- - Processo de acordo com a. reivindicação 93, caracterizado pelo facto de a referida película fina estar depositada sobre um substracto de vidro„ 952 - Processo de acordoeom a reivindueação 95 s caracterizado pelo facto de a referida película ' na estar depositada sobre um substracto de metal. 96â - processo para a preparação de elementos sonioondutotes, de acordo com as reivindicações de 70 a 79, caracterizado pelo facto de o elemento semicondutor compreender ainda uma junção. y7- - Processo para a preparação de elementos semicondutores, dc acordo com a reivindicação 9b, caracterizado pelo facto de a referida junção compreender ua metal escolhido do grupo qjce consiste em Cu, Al, Hg, Ui, Au, Ag, e Ti. 9oã ~ Processo para a preparação de elefliento® semicondutores, de acordo com a reivindicação 97, caracterizado pelo facto de o referido metal da junção ser Ni. 99i - Processo para a preparação de ciem . tos semicondutores, de acordo com qualquer das reivi; _icaçõec 68 a 79? on 96 a 98, caracterizado pelo facto do o referido material sofrer a adição -controlada de impurezas que são átomos de outro elemento do grupo do azoto c do fósforo» 1003 - Processo para a preparação de elementos semicondutores, de acordo com a reivindicação 99, caracterizado pelo facto de o referido elemento do grupo do azoto e do fósforo adiciona^? ser As. 1013 - Processo para a preparaçao de elementos semicobdutores, de acordo com qualquer das reivindicações 68 a 79, ou 96 a 100, caracteruzado pelo facto de o referido laterial sofrer a adição descontrolada de impurezas por difusão de um metal que tem-os níveis eléctronicos externos f ou d ocupados*. 1Q2Í - processo para a preparação de ele., mtos semicondutores de acordo com a reivindicação 101, caracterizadà pelo facto de a referida impureza ser es- :7 i 73 colhida do grupo que consiste era níquel, ferro e crómio. 1O5 £ - Processo para a preparação âe elementos semicondutores, de acordo cor.;qualquer das reivindicações 68 a 79, ou 96 a 1G2, caracterizado pelo facto de compreender um contacto metal, que é escolhido do grupo que compreende Gu, Al, Mgj Hi, Au, As e Ti» 104“ - Processo para a preparação âe elementos semicondutores, de acordo com qualquer das reivindicações 68 a 74, caracterizado pelo facto âe o referido material compreender um metal alealino*» ;105 a - Processo para a preparação âe elementos semicondutores de acordo com a reivindicação 104, caraoterizado pelo faoto de, por cada átomo de metal exis tente no referido material, estarem ligados pelo menos 7 átomos de fósforo e outros átomos de fósforo’. 106â - processo âe acordo com a reivindicação 105, caracterizado pelo facto de, por cada átomo existente no referido material,, pelo menos 15 átomos de fósforo estarem ligados a outros átomos .de fósforo', 107 a - Processo de acordo com a. reivindicação 10o, caracterizadq pelo facto de, no referido material, a relação atómica entre fósforo e metal ser igual a pe^o menos 5ÚC para í» h 1085— Processo de acordo com qualquer darroivindicaçoes 9o a 107, caraoterizadm pelo facto de c referido metal ser hi. 109 a - rrocesso de acordo com qualquer das reivindicações 96 a 107, caracterizado pelo facto de q. referido metal ser Ha. 1102 - Processo âe acordo .com. qualquer das reivindicações 96 a 107, caracterizado pelo facto deΌ referido metal ser K. 111s - Prooesso de acordaoom qualquer dus reivindicações 96 a 107, caracterizado pelo facto de o referido metal sor Rb. 112= - Processo de acordo com.qualquer das reivindicações 96 a 107, caracterizado pelo facto de o re-ferido metal ser Cs. 1152· - Processo de „.oordo com qualquer dac reivindicações 96 a 107, caracterizado pelo facto de a fórmula do referido material ser IdF e x ser pelo menos igual a 7» 114 â - Processo de acordo com qualquer das reivindicações 96 a 107, caracterizado pelo facto de a formula do referido material ser MaP e x ser pelo menos igual a 7. 115-' - Processo de acordo com qualquer d., c reivindicações 96 a 107, caracterizado pelo facto de a ffeula do referido material ser EP , e x ser pelo menos igual a 7. 1162· - Processo de acordo com qualquer das reivindicações 96 a 107, caracterizafo pelo facto de a fórmula do referido mqterial ser ãhr,,-e x ser pelo menos igual a 7. /:7/7/.: 1173 - Prooesso de acordo.com-qualquer das reivindicações 96 a 107, caracterizado pelo facto de a fórmula do referido material ser QsP e x ser pelo menos igual a 7. 1182 - Processo de acordo, com' qualquer das reivindicações 96 a 107, caracterizafo pelo'facto de 0 referido material ter um intervalo de níveis de energi. substancialmente compreendido entre 1 e 3 electrão-vc... 2. 119= - Processo de acordo, com a reivindicação 118, caracterizado pelo facto de 0 referido material ter um intervalo de níveis de energia âubstancialmente compreendido entre 1,4 e 2,2 electrão-volt“ e : 175 1203 - Processo de acordo cosi a reivindicação 119, caracterizado pelo facto de o referido material ter um intervalo de níveis de energia^substancialmente igual a 1,8 electrãc-voltõ 1213 - processo de acordo .com qualquer das reivindicações 96 a 117, caracterizafo pelo facto de o referido material ter uma razão de fotocondutiviâade compreendida entre 100 e 10,000, 1223 - Processo para a adição controlada de impurezas, caracterizado pelo facto de se realizar oom outros elementos do grupo donazoto B fósforo em semicondutores com elevado teor de fósgoro,...· . 1233 - Processo de acordo oom a reivindicação 122, caracterizado pelo facto de se afieionar a semicondutores com elevado teor de fósforo um metal que tem ocupados os níveis electrónicos externos d ou f. I243 - processo de acordo com a reivindica* ção 122, caracterizado pelo facto de os referidos outros elementos do grupo do azoto e fósforo serem, escolhidos do conjunto que consiste em As, Sb,' Bi*. 125 a - Prpcesso de acordo com a reivindic ção 124, caracterizado pelo facto de 0 referido elemento do grupo do azoto e fósforo ser As. 126ã - processo de acordo com qualquer das reivindicações 122 a 125, caracterisado pelo facto de a proporção entre os outros elementos do grupo do azoto e do fósforo para 0 físforo ser menor do que 50%'„ 1273 - Processo de ueordoteom a reivindicação 126, caracterizado pelo facto de a. referiâa. proporção ser menor do que lOjõ, 1283 - Processo de acordo;com a reivindicação 123, caracterizafo pelo facto de o referido metal ·»<· ser escolhido do conjunto que consiste eia Pe, Bi, Or,
  7. 7
    12Ç)à - processo para a vaporização instantânea de úm polifosforeto de metal alcalino de acordocom a reivindicação 1 ,caracterizado pelo facto de compreender a passagem do material a vaporizar através âe um susceptor aquecido! 130* - Processo de acordo com a reivindicação 129, caracterizadm pelo facto de 0 material que passa através so susceptor cèmpreenâer físforo!' 131- - Processo de acordo com as reivindicações 129, ou 130, caracterizado pelo facto de 0 mate? . ..1 que fluiu compreender um metal alcalino! 132a - Processo para a preparação de materiais compósitos, caracterizado pelo facto de 0 material compósito conpteender fósforo monoclínico, quando preparado de acordo com as reivindicações 41 a 54! 133^ - £ótor;óptico, caracterizado pelo facto de ser formado por material constituído’ porvf ósf oro monoclínico quando preparado de acordo com as reivindicações 41 a 54! 134 a - Processo para a preparação de materiais retardantes do fogo, caracterizado pelo facto de se incorporar num polifosforeto com elevado,teor de fósforo, quando preparado de acordo com qualquer das reivindicações 4 a 35! 135 a - Processo para a preparação de mate’ iais de enchimento, caracterizado pelo facto de se inc rporar num polifosforeto com elevado teor de fósforo, quando preparado de acordo com qualquer das reivindicações 4 a 33» 136 a - Processi para a preparação de materiais de reforço para materiais compósitoscaracterizado pelo facto de se incorporar um polifosforeto cristalino con elcvo/lo teor do fósforo, quando preparado de acordo con as reivindicações 4 a 35. 137 3 - iroeesso para, a preparaçao de materiais de reforço para materiais compósitos, de acordo con a reivindicação 13ó, caracterizado pelo facto de o polifosforeto ter a fórmula KP , eSi que II significa um átomo de metal alcalino, 1 significa um átomo de fósforo e x é igual ou maior do que 7«,
  8. 8
    13« 2 - iroeesso pera a preparação de mate· 1 · riais de reforço para material.... compósitos, de acordo com as reivindicações 136 ou 137, caracterizado pelo facto de o polifosforeto ter a fórmula em que M significa um átomo de metal alcalino e P significa um átomo de fósforo'. 135 2 - Iroeesso para a preparação de materiais de reforço para materiais compósitos, âe acordo com qualquer das reivindicações 136 a 136» caracteriza.dc pelo facto de 0 polifosforeto ser um polifosforeto cri nlino de fórmula 13?_, em que M significa um metal alcalino ou outro metal ou metais que tem ligações semelhantes às dos metais alcalinos, Ρ ó fósforo e χ ó igual ou maior do que 7. 1402 - Processo para a.preparação de materiais de reforço para materiais compósitos, de acordo eom qualquer das reivindicações 136 a 139? caracterizado pelo facto âe 0 polifosforeto ser um polifosforeto cristalino de fórmula. em que K significa um metal alcalino ou outro metal ou metais que têm ligações semelhantes às dos metais alcalinos e P significa fósforo. 141- - Processo de aoárâo' com qualquer das reivindicações 136 a 140? caracterizado pelo facto âe 0 referido polifosforeto estar embebido em vidro. 142« - Processo de acordo com qualquer d..,:, reivindicações 136 a 140? caracterizado pelo facto d. 178 o referido polifosforeto estar embebido num material plítstico. 1432 - Processo para a preparação de materiais a utilizar como matéria prima nos processos de acordo com qualquer das reivindicações la 14-2, caracterizado pelo facto dc se proceder à moagem num moinho do bola de uma mistura formada por um 'ou mais metais alcalinos s um ou mais elementos do grupo do azoto e fósforo. 1442 - Dispositivo para trasporte de vap, · caracterizado pelo facto de compreender uma única fo m aquecida de duas espécies de vapor e uma zona de deposição alongada mantida a uma temperatura substaneialmente constante. 145- - Dispositivo para transporte de vapor, caracterizado pelo facto de compreender urna única fonte aquecida de duas espécies de vapor numa primeira zona e, pelo menos, duas outras zonas ligadas a esta e mantidas a, pelo menos, outras duas temperaturas» 7 146 a - Dispoôitivos para transporte de vapor, caracterizado pelo facto de compreender pelo menos duas fontes aquecidas, separadas, de pelo menos duas espécies de vapores diferentes. 147- - Dispositivo para deposição química de vapor, caracterizado pelo facto de compreender: a> ums, câmara aquecida;/ b;un substracto dentro da referida câmara;c) meios para escape de gases da referida câmara;e d) uma corrente gasosa de um primeiro componente com a forma de vapor que entre na referida, câmara- enquanto é rodeada por uma corrente de gás - 179 148- - Dispositivo para a vaporização instantânea, caracterizado pelo facto de compreender um suscèp· tor aquecido e meios para fazer passar o material através do mesmo.