NL195040C

Two terminal multi-band infrared radiation detector

Abstract

This record has no abstract on file.

NL195040C, drawing sheet 1
Sheet 1 of 5

Term

Term ended

Expired 12 April 2011, 15.5 years ago.

  1. Priority
  2. Filed
  3. Granted
  4. Expired
  5. Today

5 claims: 1 independent, 4 dependent

  1. 1
    Conclusies 1. Stralingsdetector voor het detecteren van straling, omvattend een eerste pn-overgang tussen een eerste gebied van halfgeleidermateriaal van een eerste geleidingstype en een gemeenschappelijk tweede gebied van halfgeleidermateriaal van het aan het eerste geleidingstype tegengestelde tweede geleidingstype en een tweede pn-overgang tussen een derde gebied van halfgeleidermateriaal van het eerste geleidingstype 45 en het gemeenschappelijk tweede gebied, waarbij de eerste en tweede pn-overgang elk een heteroovergang vormen en de pn-overgangen elektrisch in onderling tegengestelde richting in serie geschakeld zijn tussen een eerste elektrisch contact voor het eerste gebied en een tweede contact, met het kenmerk, dat de hetero-overgang van de eerste pn-overgang bij het aanleggen van een spanning in de keerrichting van de eerste pn-overgang gevoelig is voor straling binnen een eerste spectraal gebied en de hetero50 overgang van de tweede pn-overgang bij het aanleggen van een spanning in de keerrichting van de tweede pn-overgang is voor straling binnen een afzonderlijk tweede spectraal gebied, het halfgeleidermateriaal van het eerste gebied een zodanige energiebandafstand heeft dat straling binnen het tweede spectrale gebied waarvoor de tweede pn-overgang gevoelig is daardoorheen kan dringen en het eerste en het tweede spectrale gebied zijn gekozen uit een groep bestaande uit IR-straling van korte golflengte (SWIR), 55 IR-straling van middengolflengte (MWIR), IR-straling van lange golflengte (LWIR) en IR-straling van zeer lange golflengte (VLWIR).
  2. 2
    Stralingsdetector volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat het halfgeleidermateriaal van het tweede gebied een zodanige energiebandafstand heeft dat straling uit het tweede gebied waarvoor de tweede p-n overgang gevoelig is daardoorheen kan penetreren.
  3. 3
    Stralingsdetector volgens conclusie 1 of 2, gekenmerkt door een vierde gebied van halfgeleidermateriaal in serie in contact met het derde gebied van halfgeleidermateriaal, waarbij het vierde gebied van 5 halfgeleidermateriaal van het tweede geleidingstype, waarbij een derde p-n overgang is verschaft met een doorslagspanning in de keerrichting die verschilt van de doorslagspanning in de keerrichting van de eerste p-n overgang.
  4. 4
    Werkwijze voor het detecteren van straling met gebruikmaking van een stralingsdetector volgens conclusie 1 of 2, met het kenmerk, dat een eerste instelspanning van een eerste polariteit wordt gekoppeld 10 tussen het eerste elektrische contact en het tweede elektrische contact, zodanig dat de eerste p-n overgang in doorlaatrichting is en de tweede p-n overgang in keerrichting voor het verschaften van een stroomsignaal, dat gemoduleerd is als een functie van de stralingsflux binnen een eerste spectraal gebied;en de eerste instelspanning wordt ontkoppeld en een tweede instelspanning van een tweede, tegengestelde polariteit wordt gekoppeld tussen het eerste elektrische contact en het tweede elektrische contact, zodanig 15 dat de tweede p-n overgang in doorlaatrichting is en de eerste p-n overgang in keerrichting;voor het verschaffen van een stroomsignaal, dat gemoduleerd is als een functie van de stralingsflux binnen een tweede spectraal gebied.
  5. 5
    Werkwijze voor het detecteren van straling met gebruikmaking van een stralingsdetector volgens conclusie 3, met het kenmerk, dat een eerste instelspanning van een eerste polariteit wordt gekoppeld 20 tussen het eerste elektrische contact en het tweede elektrische contact, zodanig dat de eerste en derde p-n overgang in doorlaatrichting zijn en de tweede p-n overgang in keerrichting is voor het verschaffen van een stroomsignaal, dat gemoduleerd is als een functie van de stralingsflux binnen een eerste spectraal gebied;de eerste instelspaning wordt ontkoppeld en een tweede instelspanning van een tweede, tegengestelde polariteit, welke instelspanning kleiner is dan de hoogste van de omkeerdoorslagspanningen van de eerste 25 en derde p-n overgangen, wordt gekoppeld tussen het eerste elektrische contact en het tweede elektrische contact voor het verschaffen van een stroomsignaal, dat gemoduleerd is als een functie van de stralingsflux binnen een tweede spectraal gebied en een derde instelspanning van de tweede, tegengestelde polariteit wordt gekoppeld tussen het eerste elektrische contact en het tweede elektrische contact, zodanig dat de derde p-n overgang in keerrichting ingesteld wordt voorbij een doorslagspanning van de eerste p-n 30 overgang en voor het verschaffen van een stroomsignaal, dat gemoduleerd is als een functie van de stralingsflux binnen een derde spectraal gebied. Hierbij 4 bladen tekening RELATIEVE RESPONS/FOTON 1 2 3 4 5 6 7 β 9 10 GOLFLENGTE (MICRON)