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MX340348B

Micro light emitting diode.

Abstract

A micro light emitting diode (LED) and a method of forming an array of micro LEDs for transfer to a receiving substrate are described. The micro LED structure may include a micro p-n diode and a metallization layer, with the metallization layer between the micro p-n diode and a bonding layer. A conformal dielectric barrier layer may span sidewalls of the micro p-n diode. The micro LED structure and micro LED array may be picked up and transferred to a receiving substrate.

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Expires 8 November 2032.

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  1. 1
    REIVINDICACIONES 1. Una estructura de microLEDs que comprende:un microdiodo p-n;5 una capa de metalización;en donde la capa de metalización se encuentra entre el microdiodo p-n y una capa de enlace formada en un sustrato;y una capa de barrera de conformación que comprende una sola capa de un mismo material que se extiende a las paredes laterales del microdiodo 10 p-n, paredes laterales de la capa de metalización y paredes laterales de la capa de enlace.
  2. 2
    La estructura de microLEDs de conformidad con la reivindicación 1, donde la capa de enlace tiene una temperatura de liquidus por debajo de aproximadamente 350 °C. 15
  3. 3
    La estructura de microLEDs de conformidad con la reivindicación 1, en donde la capa de barrera de conformación forma un contorno de la topografía de las paredes laterales del microdiodo p-n, las paredes laterales de la capa de metalización, y las paredes laterales de la capa de enlace. 20
  4. 4
    La estructura de microLEDs de conformidad con la reivindicación 1, en donde la sola capa de un mismo material es una capa de de barrera dieléctrica de conformación se extiende parcialmente a una I Μ. Ρ ϊ INSTITUTO MEXICANO ΓχDE ΙΑ mOTIEDAD O induSTMal * superficie inferior del microdiodo p-n. —
  5. 5
    La estructura de microLEDs de conformidad con la reivindicación 4, que además comprende una abertura en la capa de barrera dieléctrica de conformación que expone una superficie superior del 5 microdiodo p-n, en donde la abertura tiene una anchura seleccionada del grupo que consiste en:mayor a una anchura de la superficie superior del microdiodo p-n;menor a la anchura de la superficie superior del microdiodo p-n;y aproximadamente la misma que la anchura de la superficie superior 10 del microdiodo p-n.
  6. 6
    La estructura de microLEDs de conformidad con la reivindicación 1, en donde:el microdiodo p-n comprende una superficie superior y una superficie inferior;i 15 la capa de metalización comprende una superficie superior y una superficie inferior;y , la superficie inferior del microdiodo p-n es más ancha que la superficie superior de la capa de metalización.
  7. 7
    La estructura de microLEDs de conformidad con la 20 reivindicación 1, en donde la capa de enlace comprende indio o estaño.
  8. 8
    La estructura de microLEDs de conformidad con la reivindicación 1, en donde la capa de enlace comprende polietileno o IMPI INSTITUTO MEXICANO DE IA RROPIIDAD INDUSTRIAL polipropileno. ____
  9. 9
    La estructura de microLEDs de conformidad con la reivindicación 1, en donde el microdiodo p-n comprende nitruro de galio.
  10. 10
    La estructura de microLEDs de conformidad con la reivindicación 1, en donde la capa de metalización comprende una capa de electrodo y una capa de barrera entre la capa de electrodo y la capa de enlace.
  11. 11
    La estructura de microLEDs de conformidad con la reivindicación 1, en donde el microdiodo p-n comprende una superficie superior, una superficie inferior y paredes laterales ahusadas.
  12. 12
    El microLED de conformidad con la reivindicación 11, en donde la superficie inferior es más ancha que la superficie superior.
  13. 13
    El micro LED de conformidad con la reivindicación 11, en donde la superficie superior es más ancha que la superficie inferior o tiene el mismo ancho que la superficie inferior.
  14. 14
    La estructura de microLEDs de conformidad con la reivindicación 1, en donde:el microdiodo p-n comprende una superficie superior y una superficie inferior;la capa de enlace comprende una superficie superior y una superficie inferior;y la superficie inferior del microdiodo p-n es más ancha que la superficie superior de la capa de enlace. ΙΜΡΪ INSTITUTO MEXICANO DF LA PROPIEDAD INDUSTRIAL
  15. 15
    La estructura de microLEDs de cüllfUlllilLlad' luii lareivindicación 1, en donde:el microdiodo p-n comprende una superficie superior y una superficie inferior;la capa de enlace comprende una superficie superior y una superficie inferior;y la superficie inferior del microdiodo p-n es de aproximadamente la misma anchura que la superficie superior de la capa de enlace.
  16. 16
    La estructura de microLEDs de conformidad con la reivindicación 1, en donde la sola capa de un mismo material que se extiende a las paredes laterales del microdiodo p-n, paredes laterales de la capa de metalización, y las paredes laterales de la capa de enlace es continua.
  17. 17
    La estructura de microLEDs de conformidad con la reivindicación 1, en donde el mismo material comprende AI2O3.
  18. 18
    Un arreglo de microLEDs que comprende:una pluralidad de ubicaciones de una capa de enlace en un sustrato;una pluralidad correspondiente de estructuras de microLEDs en la pluralidad de ubicaciones de la capa de enlace, en donde cada estructura de microLEDs comprende: un microdiodo p-n;y una capa de metalización, en donde la capa de ΙΜΡΙ INSTITUTO MEXICANO ’/J-'&iKSÍrSÍDI LA PROPIEDAD CV.JÍ3Sj ^>.¿1 INDUSTRIAL metalización se encuentra entre el microdiodo p-n y unaWluauiÜll lUspuuLIvade la capa de enlace;y una capa de barrera de conformación que comprende una sola capa de un mismo material que se extiende a las paredes laterales de cada micro 5 diodo p-n, paredes laterales de la capa de metalización, y paredes laterales de cada una de la pluralidad de ubicaciones de la capa de enlace.
  19. 19
    El arreglo de microLEDs de conformidad con la reivindicación 18, donde la capa de enlace tiene una temperatura de liquidus por debajo de aproximadamente 350 °C. 10 20. El arreglo de microLEDs de conformidad con la reivindicación 18, en donde la capa de barrera de conformación forma un contorno de la topografía de las paredes laterales del microdiodo p-n, las paredes laterales de la capa de metalización, y las paredes laterales de la capa de enlace. 21. El arreglo de microLEDs de conformidad con la reivindicación 15 18, en donde la sola capa de un mismo material es una capa de barrera dieléctrica de conformación se extiende parcialmente a una superficie inferior del microdiodo p-n. 22. La estructura de microLEDs de conformidad con la reivindicación 21, que además comprende una pluralidad de aberturas en la
  20. 20
    20 capa de barrera dieléctrica de conformación que expone una superficie superior de cada microdiodo p-n, en donde cada abertura tiene una anchura seleccionada del grupo que consiste en:IMPI INSTITUTO MEXICANO OE LA PROPIEDAD INDUSTRIAL mayor a una anchura de la superficie superiorde on~niiuiudiodo p-n correspondiente;menor a la anchura de la superficie superior del microdiodo p-n correspondiente;y aproximadamente la misma que la anchura de la superficie superior del microdiodo p-n correspondiente.
  21. 21
    23. La estructura de microLEDs de conformidad con la reivindicación 18, en donde la pluralidad de ubicaciones de la capa de enlace se separa lateralmente.
  22. 22
    24. El arreglo de microLEDs de conformidad con la reivindicación 23, en donde el sustrato comprende una pluralidad respectiva de pilares, y la pluralidad de ubicaciones de la capa de enlace se forma en la pluralidad respectiva de pilares.
  23. 23
    25. El arreglo de microLEDs de conformidad con la reivindicación 24, en donde cada microdiodo p-n comprende una superficie inferior que es de aproximadamente la misma anchura que una superficie superior de un pilar respectivo.
  24. 24
    26. El arreglo de microLEDs de conformidad con la reivindicación 24, en donde cada microdiodo p-n comprende una superficie inferior que es más ancha que la anchura de una superficie superior de un pilar respectivo.
  25. 25
    27. El arreglo de microLEDs de conformidad con la reivindicación 24, en donde la pluralidad respectiva de pilares tiene cada uno, una altura respectiva que es mayor a un grosor respectivo de cada una de las ubicaciones de la capa de enlace.
  26. 26
    28. El arreglo de microLEDs de conformidad con la reivindicación 27, en donde, en donde cada altura respectiva es por lo menos dos veces el grosor respectivo.
  27. 27
    29. El arreglo de microLEDs de conformidad con la reivindicación 18, en donde la pluralidad de ubicaciones de la capa de enlace no se separa lateralmente.
  28. 28
    30. El arreglo de microLEDs de conformidad con la reivindicación 18, en donde:cada microdiodo p-n comprende una superficie superior y una superficie inferior;cada capa de metalización comprende una superficie superior y una superficie inferior;y la superficie inferior de cada microdiodo p-n es más ancha que la superficie superior correspondiente de la capa de metalización.
  29. 29
    31. El arreglo de microLEDs de conformidad con la reivindicación 18, en donde cada microdiodo p-n comprende una superficie superior y una superficie inferior la cual es más ancho que la superficie superior.
  30. 30
    32. La estructura de microLEDs de conformidad con la reivindicación 18, en donde cada porción de la sola capa de un mismo material que se extiende a las paredes laterales de cada microdiodo p-n, las paredes IMPI INSTITUTO MEXICANO DS LA MtOMEDAD INDUSTRIAL laterales de cada capa de metalización, y las paredes laterales de la uapsTdS enlace es continua.
  31. 31
    33. La estructura de microLEDs de conformidad con la reivindicación 18, en donde el mismo material comprende AI2O3. IMPI INSTITUT· MEXICANO O€ LA FROHEDAD INDUSTRIAL
Independent claims31