KR101738552B1

Devices including near field transducer and adhesion layer

Abstract

The device includes a near field transducer (NFT); Write pole; At least one dielectric material positioned between the NFT and the write pole; And an adhesive layer positioned between the NFT and the at least one dielectric material.

KR101738552B1, drawing sheet 1
Sheet 1 of 34

Term

No projected expiry on record.

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18 claims: 4 independent, 14 dependent

  1. 1
    A device comprising:a near field transducer (NFT);fill pole;at least one dielectric material positioned between the NFT and the write pole;and an adhesive layer positioned between the top of the NFT and at least one dielectric material, the adhesive layer comprising: zirconium (Zr), yttrium (Y), scandium (Sc), aluminum (Al), ruthenium (Ru) , vanadium (V), silicon (Si), germanium (Ge) and combinations thereof;디바이스로서, NFT(near field transducer);기입 폴;상기 NFT와 상기 기입 폴 사이에 포지셔닝되는 적어도 하나의 유전 재료;및 상기 NFT의 상단과 적어도 하나의 유전 재료 사이에 포지셔닝되는 접착 층을 포함하며, 상기 접착 층은, 지르코늄(Zr), 이트륨(Y), 스칸듐(Sc), 알루미늄(Al), 루테늄(Ru), 바나듐(V), 실리콘(Si), 게르마늄(Ge) 및 이들의 조합들;Cobalt (Co), nickel (Ni), chromium (Cr), tungsten (W), titanium tungsten (TiW), molybdenum (Mo), magnesium (Mg), niobium (Nb), hafnium (Hf), zinc (Zn) , and combinations thereof;titanium nitride (TiN), zirconium nitride (ZrN), tantalum nitride (TaN), hafnium nitride (HfN), and combinations thereof;Indium oxide (In203), In203-Sn02solid solution of (ITO), zinc oxide (ZnO), aluminum (Al) doped ZnO, gallium (Ga) doped ZnO, and combinations thereof;Zr, Zn, Ti, Co, silver (Ag), copper (Cu), indium (In), cadmium (Cd), Sn, bismuth (Bi), lead (Pb), selenium (Se), iron (Fe), sulfides of Mo;or their binary sulfides;and one or more materials selected from silicon carbide (SiC) or hydrogenated silicon carbide (SiC:H). 코발트(Co), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 텅스텐(W), 티타늄 텅스텐(TiW), 몰리브덴(Mo), 마그네슘(Mg), 니오븀(Nb), 하프늄(Hf), 아연(Zn), 및 이들의 조합들;티타늄 질화물(TiN), 지르코늄 질화물(ZrN), 탄탈 질화물(TaN), 하프늄 질화물(HfN) 및 이들의 조합들;인듐 산화물(In203), In203-Sn02(ITO)의 고용체, 아연 산화물(ZnO), 알루미늄(Al) 도핑된 ZnO, 갈륨(Ga) 도핑된 ZnO, 및 이들의 조합들;Zr, Zn, Ti, Co, 은(Ag), 구리(Cu), 인듐(In), 카드뮴(Cd), Sn, 비스무트(Bi), 납(Pb), 셀레늄(Se), 철(Fe), Mo의 황화물들;또는 이들의 이원 황화물들;그리고 실리콘 탄화물(SiC) 또는 수소화 실리콘 탄화물(SiC:H)로부터 선택되는 하나 또는 그 초과의 재료들을 포함하는, 디바이스.
  2. 2
    delete 삭제
  3. 14
    The device of any of claims 1 and 3-13, wherein the NFT comprises Au, Au doped with another material, Ag, Ag doped with another material, Cu, or Al. 제 1 항 및 제 3 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 NFT는, Au, 다른 재료로 도핑된 Au, Ag, 다른 재료로 도핑된 Ag, Cu, 또는 Al를 포함하는, 디바이스.
  4. 16
    13. The device of any of claims 1 and 3-12, further comprising an energy source, wherein the NFT is configured to receive energy from the energy source. 제 1 항 및 제 3 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서, 에너지 소스를 더 포함하며, 상기 NFT는 상기 에너지 소스로부터의 에너지를 수용하도록 구성되는, 디바이스.