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JP7300548B2

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Abstract

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JP7300548B2, drawing sheet 1
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Expires 16 November 2042.

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10 claims: 8 independent, 2 dependent

  1. 1
    第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、容量素子と、を画素に有する表示装置であって、平面視において、第1の方向に延伸した領域を有する第1の配線と、平面視において、前記第1の方向に延伸した領域を有する第2の配線と、を有し、 前記第1の配線は、電源供給線としての機能を有し、 前記第2の配線は、ソース信号線としての機能を有し、 前記第1の配線の配線幅は、前記第2の配線の配線幅よりも大きく、前記第1のトランジスタは、複数の第1のチャネル形成領域を有し、前記第2のトランジスタは、複数の第2のチャネル形成領域を有し、前記複数の第1のチャネル形成領域は、前記第1の配線の下方に設けられ、且つ、前記第1の配線と重なりを有し、前記複数の第2のチャネル形成領域は、前記第1の配線の下方に設けられ、且つ、前記第1の配線と重なりを有し、前記第1のトランジスタと前記第2のトランジスタとは、前記複数の第1のチャネル形成領域の少なくとも一のチャネル長方向が、前記複数の第2のチャネル形成領域のチャネル長方向と交差するように配置されている、表示装置。
  2. 2
    第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、容量素子と、を画素に有する表示装置であって、平面視において、第1の方向に延伸した領域を有する第1の配線と、平面視において、前記第1の方向に延伸した領域を有する第2の配線と、を有し、 前記第1の配線は、電源供給線としての機能を有し、 前記第2の配線は、ソース信号線としての機能を有し、 前記第1の配線の配線幅は、前記第2の配線の配線幅よりも大きく、前記第1のトランジスタは、複数の第1のチャネル形成領域を有し、前記第2のトランジスタは、複数の第2のチャネル形成領域を有し、前記複数の第1のチャネル形成領域は、前記第1の配線の下方に設けられ、且つ、前記第1の配線と重なりを有し、前記複数の第2のチャネル形成領域は、前記第1の配線の下方に設けられ、且つ、前記第1の配線と重なりを有し、前記複数の第1のチャネル形成領域を有する半導体膜は、平面視において曲がった形状の第1の領域を有し、前記複数の第1のチャネル形成領域の一は、前記第1の領域を介して、前記複数の第1のチャネル形成領域の他の一と電気的に接続され、前記第1のトランジスタと前記第2のトランジスタとは、前記複数の第1のチャネル形成領域の少なくとも一のチャネル長方向が、前記複数の第2のチャネル形成領域のチャネル長方向と交差するように配置されている、表示装置。
  3. 3
    第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、容量素子と、 発光素子と、 を画素に有する表示装置であって、平面視において、第1の方向に延伸した領域を有する第1の配線と、平面視において、前記第1の方向に延伸した領域を有する第2の配線と、を有し、 前記第1の配線は、電源供給線としての機能を有し、 前記第2の配線は、ソース信号線としての機能を有し、 前記第1の配線の配線幅は、前記第2の配線の配線幅よりも大きく、前記第1のトランジスタは、複数の第1のチャネル形成領域を有し、前記第2のトランジスタは、複数の第2のチャネル形成領域を有し、前記複数の第1のチャネル形成領域は、前記第1の配線の下方に設けられ、且つ、前記第1の配線と重なりを有し、前記複数の第2のチャネル形成領域は、前記第1の配線の下方に設けられ、且つ、前記第1の配線と重なりを有し、前記第1のトランジスタと前記第2のトランジスタとは、前記複数の第1のチャネル形成領域の少なくとも一のチャネル長方向が、前記複数の第2のチャネル形成領域のチャネル長方向と交差するように配置され、前記複数の第1のチャネル形成領域を有する半導体膜は、前記第1の配線と同じ材料を有する導電膜を介して前記発光素子と電気的に接続され、平面視において、前記第1の配線は、前記導電膜と前記第2の配線との間に位置する領域を有する、表示装置。
  4. 4
    第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、容量素子と、 発光素子と、 を画素に有する表示装置であって、平面視において、第1の方向に延伸した領域を有する第1の配線と、平面視において、前記第1の方向に延伸した領域を有する第2の配線と、を有し、 前記第1の配線は、電源供給線としての機能を有し、 前記第2の配線は、ソース信号線としての機能を有し、 前記第1の配線の配線幅は、前記第2の配線の配線幅よりも大きく、前記第1のトランジスタは、複数の第1のチャネル形成領域を有し、前記第2のトランジスタは、複数の第2のチャネル形成領域を有し、前記複数の第1のチャネル形成領域は、前記第1の配線の下方に設けられ、且つ、前記第1の配線と重なりを有し、前記複数の第2のチャネル形成領域は、前記第1の配線の下方に設けられ、且つ、前記第1の配線と重なりを有し、前記複数の第1のチャネル形成領域を有する半導体膜は、平面視において曲がった形状の第1の領域を有し、前記複数の第1のチャネル形成領域の一は、前記第1の領域を介して、前記複数の第1のチャネル形成領域の他の一と電気的に接続され、前記第1のトランジスタと前記第2のトランジスタとは、前記複数の第1のチャネル形成領域の少なくとも一のチャネル長方向が、前記複数の第2のチャネル形成領域のチャネル長方向と交差するように配置され、前記半導体膜は、前記第1の配線と同じ材料を有する導電膜を介して前記発光素子と電気的に接続され、平面視において、前記第1の配線は、前記導電膜と前記第2の配線との間に位置する領域を有する、表示装置。
  5. 5
    第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、容量素子と、を画素に有する表示装置であって、平面視において、第1の方向に延伸した領域を有する第1の配線と、平面視において、前記第1の方向に延伸した領域を有する第2の配線と、を有し、 前記第1の配線は、電源供給線としての機能を有し、 前記第2の配線は、ソース信号線としての機能を有し、 前記第1の配線の配線幅は、前記第2の配線の配線幅よりも大きく、前記第1のトランジスタは、複数の第1のチャネル形成領域を有し、前記第2のトランジスタは、複数の第2のチャネル形成領域を有し、前記複数の第1のチャネル形成領域は、前記第1の配線の下方に設けられ、且つ、前記第1の配線と重なりを有し、前記複数の第2のチャネル形成領域は、前記第1の配線の下方に設けられ、且つ、前記第1の配線と重なりを有し、前記第1のトランジスタと前記第2のトランジスタとは、前記複数の第1のチャネル形成領域の少なくとも一のチャネル長方向が、前記複数の第2のチャネル形成領域のチャネル長方向と交差するように配置され、前記容量素子の一方の電極は、前記第1のトランジスタ及び前記第2のトランジスタと電気的に接続され、前記容量素子の一方の電極は、前記第1の配線の下方に設けられ、且つ、前記第1の配線と重なりを有する、表示装置。
  6. 6
    第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、容量素子と、を画素に有する表示装置であって、平面視において、第1の方向に延伸した領域を有する第1の配線と、平面視において、前記第1の方向に延伸した領域を有する第2の配線と、を有し、 前記第1の配線は、電源供給線としての機能を有し、 前記第2の配線は、ソース信号線としての機能を有し、 前記第1の配線の配線幅は、前記第2の配線の配線幅よりも大きく、前記第1のトランジスタは、複数の第1のチャネル形成領域を有し、前記第2のトランジスタは、複数の第2のチャネル形成領域を有し、前記複数の第1のチャネル形成領域は、前記第1の配線の下方に設けられ、且つ、前記第1の配線と重なりを有し、前記複数の第2のチャネル形成領域は、前記第1の配線の下方に設けられ、且つ、前記第1の配線と重なりを有し、前記複数の第1のチャネル形成領域を有する半導体膜は、平面視において曲がった形状の第1の領域を有し、前記複数の第1のチャネル形成領域の一は、前記第1の領域を介して、前記複数の第1のチャネル形成領域の他の一と電気的に接続され、前記第1のトランジスタと前記第2のトランジスタとは、前記複数の第1のチャネル形成領域の少なくとも一のチャネル長方向が、前記複数の第2のチャネル形成領域のチャネル長方向と交差するように配置され、前記容量素子の一方の電極は、前記第1のトランジスタ及び前記第2のトランジスタと電気的に接続され、前記容量素子の一方の電極は、前記第1の配線の下方に設けられ、且つ、前記第1の配線と重なりを有する、表示装置。
  7. 7
    第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、容量素子と、 発光素子と、 を画素に有する表示装置であって、平面視において、第1の方向に延伸した領域を有する第1の配線と、平面視において、前記第1の方向に延伸した領域を有する第2の配線と、を有し、 前記第1の配線は、電源供給線としての機能を有し、 前記第2の配線は、ソース信号線としての機能を有し、 前記第1の配線の配線幅は、前記第2の配線の配線幅よりも大きく、前記第1のトランジスタは、複数の第1のチャネル形成領域を有し、前記第2のトランジスタは、複数の第2のチャネル形成領域を有し、前記複数の第1のチャネル形成領域は、前記第1の配線の下方に設けられ、且つ、前記第1の配線と重なりを有し、前記複数の第2のチャネル形成領域は、前記第1の配線の下方に設けられ、且つ、前記第1の配線と重なりを有し、前記第1のトランジスタと前記第2のトランジスタとは、前記複数の第1のチャネル形成領域の少なくとも一のチャネル長方向が、前記複数の第2のチャネル形成領域のチャネル長方向と交差するように配置され、前記容量素子の一方の電極は、前記第1のトランジスタ及び前記第2のトランジスタと電気的に接続され、前記容量素子の一方の電極は、前記第1の配線の下方に設けられ、且つ、前記第1の配線と重なりを有し、前記複数の第1のチャネル形成領域を有する半導体膜は、前記第1の配線と同じ材料を有する導電膜を介して前記発光素子と電気的に接続され、平面視において、前記第1の配線は、前記導電膜と前記第2の配線との間に位置する領域を有する、表示装置。
  8. 8
    第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、容量素子と、 発光素子と、 を画素に有する表示装置であって、平面視において、第1の方向に延伸した領域を有する第1の配線と、平面視において、前記第1の方向に延伸した領域を有する第2の配線と、を有し、 前記第1の配線は、電源供給線としての機能を有し、 前記第2の配線は、ソース信号線としての機能を有し、 前記第1の配線の配線幅は、前記第2の配線の配線幅よりも大きく、前記第1のトランジスタは、複数の第1のチャネル形成領域を有し、前記第2のトランジスタは、複数の第2のチャネル形成領域を有し、前記複数の第1のチャネル形成領域は、前記第1の配線の下方に設けられ、且つ、前記第1の配線と重なりを有し、前記複数の第2のチャネル形成領域は、前記第1の配線の下方に設けられ、且つ、前記第1の配線と重なりを有し、前記複数の第1のチャネル形成領域を有する半導体膜は、平面視において曲がった形状の第1の領域を有し、前記複数の第1のチャネル形成領域の一は、前記第1の領域を介して、前記複数の第1のチャネル形成領域の他の一と電気的に接続され、前記第1のトランジスタと前記第2のトランジスタとは、前記複数の第1のチャネル形成領域の少なくとも一のチャネル長方向が、前記複数の第2のチャネル形成領域のチャネル長方向と交差するように配置され、前記容量素子の一方の電極は、前記第1のトランジスタ及び前記第2のトランジスタと電気的に接続され、前記容量素子の一方の電極は、前記第1の配線の下方に設けられ、且つ、前記第1の配線と重なりを有し、前記半導体膜は、前記第1の配線と同じ材料を有する導電膜を介して前記発光素子と電気的に接続され、平面視において、前記第1の配線は、前記導電膜と前記第2の配線との間に位置する領域を有する、表示装置。
  9. 9
    請求項1又は5において、前記複数の第1のチャネル形成領域を有する半導体膜は、平面視において曲がった形状を有する、表示装置。
  10. 10
    請求項2、3、4、6、7、8、又は9において、前記半導体膜は、多結晶珪素を有する、表示装置。
Independent claims10