Nova Patents
JP7204371B2

Semiconductor package and method of fabricating the same

Abstract

This record has no abstract on file.

JP7204371B2, drawing sheet 1
Sheet 1 of 35

Term

11.9 yearsleft in the term

Expires 8 August 2038.

  1. Priority
  2. Filed
  3. Granted
  4. Today
  5. Expires

18 claims: 7 independent, 11 dependent

  1. 1
    絶縁性保護層及び前記絶縁性保護層のオープニングによって露出された複数のチップパッドを含む半導体チップと、再配線層と、を備え、前記再配線層は、有機フィルムを各々含む複数の絶縁層と、複数の再配線パターンと、を含み、前記複数の再配線パターンの各々は、前記複数の絶縁層の中の対応する絶縁層の一面に形成された配線部分を含み、前記複数の絶縁層の各々は、2つの絶縁層から成り、前記2つの絶縁層の中の1つである第1有機フィルムは、フィラー(filler)を含み、前記フィラーは、無機物で形成された複数のイオントラップ粒子を含み、前記無機物は、Cl - 、K + 、Na + 、OH - 、及びH + の中の少なくとも1つのイオンと化学的に反応する物質であることを特徴とする半導体パッケージ。
  2. 2
    前記第1有機フィルムは、前記イオントラップ粒子を含む前記フィラーが内部に分散された感光性ポリマーフィルムであることを特徴とする請求項1に記載の半導体パッケージ。
  3. 3
    前記フィラーに含まれる前記イオントラップ粒子は、塩素イオンと化学的に結合する物質であることを特徴とする請求項2に記載の半導体パッケージ。
  4. 4
    前記無機物は、マグネシウム(Mg)化合物、アラバミン(Ab)化合物、又はビスマス(Bi)化合物の中の少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体パッケージ。
  5. 5
    前記第1有機フィルムは、第1ポリマー物質で形成されて前記イオントラップ粒子を含む前記フィラーが内部に分散されたポリマーフィルムであり、前記イオントラップ粒子は、前記第1ポリマー物質よりも高い熱伝導率を有することを特徴とする請求項1に記載の半導体パッケージ。
  6. 6
    前記第1有機フィルムは、第1ポリマー物質で形成されて前記イオントラップ粒子を含む前記フィラーが内部に分散されたポリマーフィルムであり、前記イオントラップ粒子は、前記第1ポリマー物質よりも低い熱膨張係数を有することを特徴とする請求項1に記載の半導体パッケージ。
  7. 7
    前記複数の再配線パターンは、前記半導体チップのチップパッドの中の第1チップパッドに接続された第1再配線パターンを含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体パッケージ。
  8. 8
    前記第1有機フィルムは、前記第1チップパッドに接触することを特徴とする請求項7に記載の半導体パッケージ。
  9. 9
    前記第1チップパッドは、前記絶縁性保護層の第1オープニングによって露出された一面を有し、前記露出された第1チップパッドの一面は、前記第1オープニング内に形成された前記第1再配線パターンによって完全に覆われていることを特徴とする請求項8に記載の半導体パッケージ。
  10. 10
    前記第1再配線パターンは、ビア部分及び前記ビア部分と一体に形成された配線部分を含み、前記ビア部分は、前記絶縁性保護層の第1オープニング内に形成されて前記第1チップパッドに接続され、前記配線部分は、前記第1有機フィルムの下に形成されていることを特徴とする請求項9に記載の半導体パッケージ。
  11. 11
    前記第1有機フィルムは、前記イオントラップ粒子を含む前記フィラーが分散されたポリマー物質を含む第1上部ポリマーフィルムであり、前記複数の絶縁層の各々は、前記第1上部ポリマーフィルムの下に直接配置された第1下部有機ポリマーフィルムである第1下部ポリマーフィルムを含み、前記複数の再配線パターンは、前記半導体チップのチップパッドの中の第1チップパッドに接続されて前記第1下部ポリマーフィルムの下に直接形成された第1再配線パターンを含み、前記第1下部ポリマーフィルムは、感光性ポリマーフィルムであり、前記第1上部ポリマーフィルムは、前記第1下部ポリマーフィルムの70%以下の厚さを有することを特徴とする請求項1に記載の半導体パッケージ。
  12. 12
    絶縁性保護層及び前記絶縁性保護層のオープニングによって露出された複数のチップパッドを含む半導体チップと、再配線層と、を備え、前記再配線層は、有機フィルムを各々含む複数の絶縁層と、複数の再配線パターンと、を含み、前記複数の再配線パターンの各々は、前記複数の絶縁層の中の対応する絶縁層の一面に形成された配線部分を含み、前記複数の絶縁層の中の少なくとも1つ の 有機フィルムは、フィラー(filler)を含み、前記フィラーは、前記少なくとも1つの有機フィルム内に分散されて無機物で形成された複数のイオントラップ粒子を含み、前記イオントラップ粒子は、前記チップパッドに対して腐蝕性である反応性物質と結合する物質を含 み、 前記少なくとも1つの有機フィルムは、第1上部ポリマーフィルム及び前記第1上部ポリマーフィルムの下に直接配置された第1下部ポリマーフィルムを含み、 前記第1上部ポリマーフィルムは、前記イオントラップ粒子を含む前記フィラーが分散された第1ポリマー物質を含み、 前記複数の再配線パターンは、前記半導体チップのチップパッドの中の第1チップパッドに接続されて前記第1下部ポリマーフィルムの下に直接形成された第1再配線パターンを含 むことを特徴とする半導体パッケージ。
  13. 13
    前 記イオントラップ粒子は、前記第1ポリマー物質よりも高い熱伝導率を有することを特徴とする請求項12に記載の半導体パッケージ。
  14. 14
    前記第1再配線パターンは、ビア部分及び前記ビア部分と一体に形成された配線部分を含み、前記ビア部分は、前記第1上部ポリマーフィルム及び前記第1下部ポリマーフィルムを貫通するオープニング内に形成され、前記ビア部分は、前記第1チップパッドに接続され、前記配線部分は、前記第1下部ポリマーフィルムの下に形成されていることを特徴とする請求項 12 に記載の半導体パッケージ。
  15. 15
    前記ビア部分は、前記チップパッドにおけるビアの幅が前記配線部分におけるビアの幅よりも小さいテーパー形状を有することを特徴とする請求項 14 に記載の半導体パッケージ。
  16. 16
    前記ビア部分及び前記配線部分は、銅で形成されていることを特徴とする請求項 14 に記載の半導体パッケージ。
  17. 17
    半導体チップの第1面上に少なくとも1層の第1絶縁層を形成する段階と、前記第1絶縁層をパターニングして、前記半導体チップの前記第1面に含まれる前記半導体チップに信号及び電源を供給する複数の金属チップパッドである第1チップパッドを、前記パターニングされた第1絶縁層のオープニングを通じて露出させる段階と、前記第1絶縁層上に第1再配線パターンを形成する段階と、を有し、前記第1再配線パターンは、前記第1チップパッドに接続される第1ビア部分と、前記第1絶縁層上に水平に延長されて前記第1ビア部分に連結される第1配線部分と、を含み、前記第1絶縁層は、複数のイオントラップ粒子が内部に分散された有機フィルムを含み、前記イオントラップ粒子は、無機物を含 み、 前記半導体チップの第1面上に少なくとも1層の第1絶縁層を形成する段階は、第1上部絶縁層を前記半導体チップの第1面上に形成する段階及び前記第1上部絶縁層上に第1下部絶縁層を形成する段階を含み、 前記第1上部絶縁層は、複数のイオントラップ粒子が内部に分散された有機フィルムであり、 前記第1下部絶縁層は、感光性ポリマーフィルムを含 むことを特徴とする半導体パッケージ製造方法。
  18. 18
    前記第1上部絶縁層は、感光性ポリマーフィルムではないことを特徴とする請求項 17 に記載の半導体パッケージ製造方法。
Independent claims18