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JP6603555B2

Process cartridge and image forming method

Abstract

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JP6603555B2, drawing sheet 1
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Expires 16 November 2035.

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20 claims: 4 independent, 16 dependent

  1. 1
    電子写真装置本体に着脱可能なプロセスカートリッジであって、 該プロセスカートリッジが、 電子写真感光体、 該電子写真感光体に当接し該電子写真感光体を帯電する帯電手段、および 該電子写真感光体上にトナーを供給しトナー画像を形成する現像手段を有し、 該電子写真感光体が、支持体、電荷発生層、および該電荷発生層と隣接し、該電子写真感光体の最表層である電荷輸送層をこの順に有し、 該電荷輸送層が、ポリアリレート樹脂およびポリカーボネート樹脂から選択される少なくとも1種の樹脂を含有し、該樹脂が、その構造中に式(1)で示されるポリシロキサン構造を含み、 該トナーが、トナー粒子および該トナー粒子の表面に存在する有機無機複合微粒子を有し、 該有機無機複合微粒子は、無機微粒子と樹脂粒子を含み、かつ、該無機微粒子が、該樹脂粒子の表面に、該無機微粒子の粒子形状に由来する凸部が形成されるように存在していることを特徴とするプロセスカートリッジ。 (式(1)中、R 11 ~R 14 は、それぞれ独立に、アルキル基、フルオロアルキル基またはフェニル基である。Zは、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基またはアリール基である。nは、10以上200以下である。)
  2. 2
    前記ポリアリレート樹脂および前記ポリカーボネート樹脂に占める、前記式(1)で示されるポリシロキサン構造の割合が、0.5質量%以上50質量%以下である請求項1に記載のプロセスカートリッジ。
  3. 3
    式(2)で示されるポリシロキサン構造が、前記式(1)で示されるポリシロキサン構造として、前記ポリアリレート樹脂および前記ポリカーボネート樹脂の末端の少なくとも一部に導入されている請求項1または2に記載のプロセスカートリッジ。 (式(2)中、R 21 ~R 24 は、それぞれ独立に、アルキル基、フルオロアルキル基またはフェニル基である。Zは、炭素数1~4のアルキル基、または、フェニル基である。nは、10以上200以下である。mは、1以上3以下である。)
  4. 4
    前記ポリアリレート樹脂が、式(3)で示される構造単位、式(4)で示される構造単位および式(5)で示される構造単位から選択される少なくとも1種の構造単位を含む樹脂である請求項1~3のいずれか1項に記載のプロセスカートリッジ。 (式(3)中、R 31 ~R 34 の少なくとも1つの基は、式(3-A)で示されるポリシロキサン構造であり、それ以外の基は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基またはフルオロアルキル基である。X 3 は、m-フェニレン基、p-フェニレン基または2つのp-フェニレン基が酸素原子を介して結合した2価の基である。Y 3 は単結合、メチレン基、エチリデン基、プロピリデン基またはフェニルエチリデン基である。) (式(3-A)中、R 311 ~R 314 は、それぞれ独立に、アルキル基、フルオロアルキル基またはフェニル基である。Zは、炭素数1~4のアルキル基、または、フェニル基である。nは、10以上200以下である。mは、0以上5以下である。) (式(4)中、R 41 ~R 44 は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基またはフルオロアルキル基である。R 45 は、水素原子、アルキル基、フルオロアルキル基またはフェニル基である。X 4 は、m-フェニレン基、p-フェニレン基または2つのp-フェニレン基が酸素原子を介して結合した2価の基である。Vは、式(4-A)で示されるポリシロキサン構造または式(4-B)で示されるポリシロキサン構造である。) (式(4-A)中、R 411 ~R 414 は、それぞれ独立に、アルキル基、フルオロアルキル基またはフェニル基である。Zは、炭素数1~4のアルキル基、または、フェニル基である。nは、10以上200以下である。mは、3以上20以下である。) (式(4-B)中、R 421 ~R 428 は、それぞれ独立に、アルキル基、フルオロアルキル基またはフェニル基である。Z 1 およびZ 2 は、それぞれ独立に、炭素数1~4のアルキル基、または、フェニル基である。n 1 およびn 2 は、それぞれ独立に、10以上200以下であり、n 1 とn 2 の合計値は、20以上250以下である。mは、3以上20以下である。) (式(5)中、X 5 は、m-フェニレン基、p-フェニレン基または2つのp-フェニレン基が酸素原子を介して結合した2価の基である。m 1 およびm 2 は、それぞれ独立に、1以上3以下である。Wは式(5-A)で示されるポリシロキサン構造である。) (式(5-A)中、R 511 ~R 520 は、それぞれ独立に、アルキル基、フルオロアルキル基またはフェニル基である。Zは、炭素数1~4のアルキル基、または、フェニル基である。nは、10以上200以下である。kおよびlは、それぞれ独立に、1以上10以下である。)
  5. 5
    前記ポリアリレート樹脂が、式(5)で示される構造単位を含む樹脂である請求項1~3のいずれか1項に記載のプロセスカートリッジ。 (式(5)中、X 5 は、m-フェニレン基、p-フェニレン基または2つのp-フェニレン基が酸素原子を介して結合した2価の基である。m 1 およびm 2 は、それぞれ独立に、1以上3以下である。Wは式(5-A)で示されるポリシロキサン構造である。) (式(5-A)中、R 511 ~R 520 は、それぞれ独立に、アルキル基、フルオロアルキル基またはフェニル基である。Zは、炭素数1~4のアルキル基、または、フェニル基である。nは、10以上200以下である。kおよびlは、それぞれ独立に、1以上10以下である。)
  6. 6
    前記ポリカーボネート樹脂が、式(6)で示される構造単位、式(7)で示される構造単位および式(8)で示される構造単位から選択される少なくとも1種の構造単位を含む樹脂である請求項1~3のいずれか1項に記載のプロセスカートリッジ。 (式(6)中、R 61 ~R 64 の少なくとも1つの基は、式(6-A)で示されるポリシロキサン構造であり、それ以外の基は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、フルオロアルキル基またはフェニル基である。Y 6 は、単結合、メチレン基、エチリデン基、プロピリデン基、フェニルエチリデン基、シクロヘキシリデン基または酸素原子である。) (式(6-A)中、R 611 ~R 614 は、それぞれ独立に、アルキル基、フルオロアルキル基またはフェニル基である。Zは、炭素数1~4のアルキル基、または、フェニル基である。nは、10以上200以下である。mは、0以上5以下である。) (式(7)中、R 71 ~R 74 は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、フルオロアルキル基またはフェニル基である。R 75 は、水素原子、アルキル基、フルオロアルキル基またはフェニル基である。Vは、式(7-A)で示されるポリシロキサン構造または式(7-B)で示されるポリシロキサン構造である。) (式(7-A)中、R 711 ~R 714 は、それぞれ独立に、アルキル基、フルオロアルキル基またはフェニル基である。Zは、炭素数1~4のアルキル基、または、フェニル基を示す。nは、10以上200以下である。mは、3以上20以下である。) (式(7-B)中、R 721 ~R 728 は、それぞれ独立に、アルキル基、フルオロアルキル基またはフェニル基である。Z 1 およびZ 2 は、それぞれ独立に、炭素数1~4のアルキル基、または、フェニル基である。n 1 およびn 2 は、それぞれ独立に、10以上200以下であり、n 1 とn 2 の合計値は、20以上250以下である。mは、3以上20以下である。) (式(8)中、m 1 およびm 2 は、それぞれ独立に、1以上3以下である。Wは式(8-A)で示されるポリシロキサン構造である。) (式(8-A)中、R 811 ~R 820 は、それぞれ独立に、アルキル基、フルオロアルキル基、またはフェニル基である。Zは、炭素数1~4のアルキル基、または、フェニル基である。nは、10以上200以下である。kおよびlは、それぞれ独立に、1以上10以下である。)
  7. 7
    前記ポリカーボネート樹脂が、式(8)で示される構造単位を含む樹脂である請求項1~3のいずれか1項に記載のプロセスカートリッジ。 (式(8)中、m 1 およびm 2 は、それぞれ独立に、1以上3以下である。Wは式(8-A)で示されるポリシロキサン構造である。) (式(8-A)中、R 811 ~R 820 は、それぞれ独立に、アルキル基、フルオロアルキル基、またはフェニル基である。Zは、炭素数1~4のアルキル基、または、フェニル基である。nは、10以上200以下である。kおよびlは、それぞれ独立に、1以上10以下である。)
  8. 8
    X線光電子分光法で測定される前記電荷輸送層の最表面における水素原子を除く全原子に対するケイ素原子の存在割合が、0.6atoms%以上である請求項5または7に記載のプロセスカートリッジ。
  9. 9
    前記無機微粒子が、シリカまたは金属酸化物粒子である請求項1~8のいずれか1項に記載のプロセスカートリッジ。
  10. 10
    前記有機無機複合微粒子の含有量が、前記トナー粒子の含有量に対して、0.5質量%以上5.0質量%以下である請求項1~9のいずれか1項に記載のプロセスカートリッジ。
  11. 11
    電子写真感光体を帯電する帯電工程と、 帯電された電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成工程と、 前記電子写真感光体表面に、トナーを前記静電潜像に現像してトナー画像を形成する現像工程と、 電子写真感光体の表面の前記トナー画像を中間転写体を介して又は介さずに、転写材に転写する転写工程と、 前記電子写真感光体の表面から転写残トナーを除去するクリーニング工程とを有する画像形成方法であって、 該電子写真感光体が、支持体、電荷発生層、および該電荷発生層と隣接し、該電子写真感光体の最表層である電荷輸送層をこの順に有し、 該電荷輸送層が、ポリアリレート樹脂およびポリカーボネート樹脂から選択される少なくとも1種の樹脂を含有し、該樹脂が、その構造中に式(1)で示されるポリシロキサン構造を含み、 該トナーが、トナー粒子および該トナー粒子の表面に存在する有機無機複合微粒子を有し、 該有機無機複合微粒子は、無機微粒子と樹脂粒子を含み、かつ、該無機微粒子が、該樹脂粒子の表面に、該無機微粒子の粒子形状に由来する凸部が形成されるように存在していることを特徴とする画像形成方法。 (式(1)中、R 11 ~R 14 は、それぞれ独立に、アルキル基、フルオロアルキル基またはフェニル基である。Zは、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基またはアリール基である。nは、10以上200以下である。)
  12. 12
    前記ポリアリレート樹脂および前記ポリカーボネート樹脂に占める、前記式(1)で示されるポリシロキサン構造の割合が、0.5質量%以上50質量%以下である請求項11に記載の画像形成方法。
  13. 13
    式(2)で示されるポリシロキサン構造が、前記式(1)で示されるポリシロキサン構造として、前記ポリアリレート樹脂および前記ポリカーボネート樹脂の末端の少なくとも一部に導入されている請求項11または12に記載の画像形成方法。 (式(2)中、R 21 ~R 24 は、それぞれ独立に、アルキル基、フルオロアルキル基またはフェニル基である。Zは、炭素数1~4のアルキル基、または、フェニル基である。nは、10以上200以下である。mは、1以上3以下である。)
  14. 14
    前記ポリアリレート樹脂が、式(3)で示される構造単位、式(4)で示される構造単位および式(5)で示される構造単位から選択される少なくとも1種の構造単位を含む樹脂である請求項11~13のいずれか1項に記載の画像形成方法。 (式(3)中、R 31 ~R 34 の少なくとも1つの基は、式(3-A)で示されるポリシロキサン構造であり、それ以外の基は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基またはフルオロアルキル基である。X 3 は、m-フェニレン基、p-フェニレン基または2つのp-フェニレン基が酸素原子を介して結合した2価の基である。Y 3 は単結合、メチレン基、エチリデン基、プロピリデン基またはフェニルエチリデン基である。) (式(3-A)中、R 311 ~R 314 は、それぞれ独立に、アルキル基、フルオロアルキル基またはフェニル基である。Zは、炭素数1~4のアルキル基、または、フェニル基である。nは、10以上200以下である。mは、0以上5以下である。) (式(4)中、R 41 ~R 44 は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基またはフルオロアルキル基である。R 45 は、水素原子、アルキル基、フルオロアルキル基またはフェニル基である。X 4 は、m-フェニレン基、p-フェニレン基または2つのp-フェニレン基が酸素原子を介して結合した2価の基である。Vは、式(4-A)で示されるポリシロキサン構造または式(4-B)で示されるポリシロキサン構造である。) (式(4-A)中、R 411 ~R 414 は、それぞれ独立に、アルキル基、フルオロアルキル基またはフェニル基である。Zは、炭素数1~4のアルキル基、または、フェニル基である。nは、10以上200以下である。mは、3以上20以下である。) (式(4-B)中、R 421 ~R 428 は、それぞれ独立に、アルキル基、フルオロアルキル基またはフェニル基である。Z 1 およびZ 2 は、それぞれ独立に、炭素数1~4のアルキル基、または、フェニル基である。n 1 およびn 2 は、それぞれ独立に、10以上200以下であり、n 1 とn 2 の合計値は、20以上250以下である。mは、3以上20以下である。) (式(5)中、X 5 は、m-フェニレン基、p-フェニレン基または2つのp-フェニレン基が酸素原子を介して結合した2価の基である。m 1 およびm 2 は、それぞれ独立に、1以上3以下である。Wは式(5-A)で示されるポリシロキサン構造である。 (式(5-A)中、R 511 ~R 520 は、それぞれ独立に、アルキル基、フルオロアルキル基またはフェニル基である。Zは、炭素数1~4のアルキル基、または、フェニル基である。nは、10以上200以下である。kおよびlは、それぞれ独立に、1以上10以下である。)
  15. 15
    前記ポリアリレート樹脂が、式(5)で示される構造単位を含む樹脂である請求項11~13のいずれか1項に記載の画像形成方法。 (式(5)中、X 5 は、m-フェニレン基、p-フェニレン基または2つのp-フェニレン基が酸素原子を介して結合した2価の基である。m 1 およびm 2 は、それぞれ独立に、1以上3以下である。Wは式(5-A)で示されるポリシロキサン構造である。) (式(5-A)中、R 511 ~R 520 は、それぞれ独立に、アルキル基、フルオロアルキル基またはフェニル基である。Zは、炭素数1~4のアルキル基、または、フェニル基である。nは、10以上200以下である。kおよびlは、それぞれ独立に、1以上10以下である。)
  16. 16
    前記ポリカーボネート樹脂が、式(6)で示される構造単位、式(7)で示される構造単位および式(8)で示される構造単位から選択される少なくとも1種の構造単位を含む樹脂である請求項11~13のいずれか1項に記載の画像形成方法。 (式(6)中、R 61 ~R 64 の少なくとも1つの基は、式(6-A)で示されるポリシロキサン構造であり、それ以外の基は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、フルオロアルキル基またはフェニル基である。Y 6 は、単結合、メチレン基、エチリデン基、プロピリデン基、フェニルエチリデン基、シクロヘキシリデン基または酸素原子である。) (式(6-A)中、R 611 ~R 614 は、それぞれ独立に、アルキル基、フルオロアルキル基またはフェニル基である。Zは、炭素数1~4のアルキル基、または、フェニル基である。nは、10以上200以下である。mは、0以上5以下である。) (式(7)中、R 71 ~R 74 は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、フルオロアルキル基またはフェニル基である。R 75 は、水素原子、アルキル基、フルオロアルキル基またはフェニル基である。Vは、式(7-A)で示されるポリシロキサン構造または式(7-B)で示されるポリシロキサン構造である。) (式(7-A)中、R 711 ~R 714 は、それぞれ独立に、アルキル基、フルオロアルキル基またはフェニル基である。Zは、炭素数1~4のアルキル基、または、フェニル基を示す。nは、10以上200以下である。mは、3以上20以下である。) (式(7-B)中、R 721 ~R 728 は、それぞれ独立に、アルキル基、フルオロアルキル基またはフェニル基である。Z 1 およびZ 2 は、それぞれ独立に、炭素数1~4のアルキル基、または、フェニル基である。n 1 およびn 2 は、それぞれ独立に、10以上200以下であり、n 1 とn 2 の合計値は、20以上250以下である。mは、3以上20以下である。) (式(8)中、m 1 およびm 2 は、それぞれ独立に、1以上3以下である。Wは式(8-A)で示されるポリシロキサン構造である。) (式(8-A)中、R 811 ~R 820 は、それぞれ独立に、アルキル基、フルオロアルキル基、またはフェニル基である。Zは、炭素数1~4のアルキル基、または、フェニル基である。nは、10以上200以下である。kおよびlは、それぞれ独立に、1以上10以下である。)
  17. 17
    前記ポリカーボネート樹脂が、式(8)で示される構造単位を含む樹脂である請求項11~13のいずれか1項に記載の画像形成方法。 (式(8)中、m 1 およびm 2 は、それぞれ独立に、1以上3以下である。Wは式(8-A)で示されるポリシロキサン構造である。) (式(8-A)中、R 811 ~R 820 は、それぞれ独立に、アルキル基、フルオロアルキル基、またはフェニル基である。Zは、炭素数1~4のアルキル基、または、フェニル基である。nは、10以上200以下である。kおよびlは、それぞれ独立に、1以上10以下である。)
  18. 18
    X線光電子分光法で測定される前記電荷輸送層の最表面における水素原子を除く全原子に対するケイ素原子の存在割合が、0.6atoms%以上である請求項15または17に記載の画像形成方法。
  19. 19
    前記無機微粒子が、シリカまたは金属酸化物粒子である請求項11~18のいずれか1項に記載の画像形成方法。
  20. 20
    前記有機無機複合微粒子の含有量が、前記トナー粒子の含有量に対して、0.5質量%以上5.0質量%以下である請求項11~19のいずれか1項に記載の画像形成方法。
Independent claims20