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JP6450366B2

Method for treating a semiconductor device

Abstract

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JP6450366B2, drawing sheet 1
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Expires 28 March 2034.

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49 claims: 49 independent, 0 dependent

  1. 1
    センサアレイを処理する方法 であって、 該センサアレイが複数のセンサを含み、該複数のセンサのうちの1つのセンサが、該センサアレイの表面に曝露されているセンサパッドを有し 、該センサがISFETセンサであり、該方法が、 少なくとも前記センサパッドを酸及び有機溶媒を含む洗浄溶液に曝露する 工程であって、該酸がスルホン酸を含む、工程 と、 該センサパッドから該洗浄溶液をすすぎ落とす 工程と、 を含む方法 。
  2. 2
    前記スルホン酸が、アルキルスルホン酸、アルキルアリールスルホン酸、またはそれらの組み合わせを含む、請求項 1 に記載の方法。
  3. 3
    前記アルキルアリールスルホン酸が、1~20個の炭素を有するアルキル基を含む、請求項 2 に記載の方法。
  4. 4
    前記アルキル基が、9~18個の炭素を有する、請求項 3 に記載の方法。
  5. 5
    前記アルキル基が、10~14個の炭素を有する、請求項 4 に記載の方法。
  6. 6
    前記アルキル基が、1~6個の炭素を有する、請求項 3 に記載の方法。
  7. 7
    センサアレイを処理する方法 であって、該 センサアレイが複数のセンサを含み、該複数のセンサのうちの1つのセンサがセンサパッドを含み、 該センサがISFETセンサであり、 ウェル構造が該センサアレイに対応するウェルアレイを画定し、該ウェルアレイのウェルが該センサパッドを曝露し、キャップが該センサアレイ及び該ウェル構造にわたって取り付けられかつ流体ポートを含み、空間が該キャップと該ウェル構造との間に画定され 、該方法が、 酸及び有機溶媒を含む洗浄溶液を、前記流体ポートを通して前記空間内に適用し、30秒~30分の第1の期間待機する 工程であって、該酸がスルホン酸を含む、工程 と、 塩基性溶液を、前記流体ポートを通して前記空間内に適用し、20秒~15分の第2の期間待機する 工程 と、 すすぎ溶液を、前記流体ポートを通して適用する 工程と、 を含む方法 。
  8. 8
    前記洗浄溶液を適用する 工程 、前記塩基性溶液を適用する 工程 、及び前記すすぎ溶液を適用する 工程 を繰り返すことを更に含む、請求項 7 に記載の方法。
  9. 9
    センサアレイを処理する方法 であって、該 センサアレイが複数のセンサを含み、該複数のセンサのうちの1つのセンサがセンサパッドを含み、 該センサがISFETセンサであり、 ウェル構造が該センサアレイに対応するウェルアレイを画定し、該ウェルアレイのウェルが該センサパッドを曝露して おり、該方法が、 酸及び有機溶媒を含む洗浄溶液を少なくとも前記センサパッドに適用し、30秒~30分の第1の期間待機する 工程であって、該酸がスルホン酸を含む、工程 と、 少なくとも前記センサパッドを低沸点有機溶媒ですすぐ 工程 と、 前記センサアレイを乾燥させる 工程と、 を含む方法 。
  10. 10
    前記低沸点有機溶媒ですすいだ後であり、かつ乾燥させる前に、水ですすぐ 工程 を更に含む、請求項 9 に記載の方法。
  11. 11
    キャップを前記センサアレイ及び前記ウェルアレイにわたって取り付ける 工程 を更に含み、該キャップが流体ポートを含み、空間が、前記流体ポートと流体連通している状態で該キャップと該ウェルアレイとの間に画定されている、請求項 9 に記載の方法。
  12. 12
    前記スルホン酸が、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、プロパンスルホン酸、ブタンスルホン酸、またはそれらの組み合わせを含む、請求項 1~11 のいずれか一項に記載の方法。
  13. 13
    前記スルホン酸が、ドデシルベンゼンスルホン酸を含む、請求項 1~11 のいずれか一項に記載の方法。
  14. 14
    前記スルホン酸が、パラトルエンスルホン酸を含む、請求項 1~11 のいずれか一項に記載の方法。
  15. 15
    前記洗浄溶液が、10mM~500mMの前記酸を含む、請求項 1~14 のいずれか一項に記載の方法。
  16. 16
    前記洗浄溶液が、50mM~250mMの前記酸を含む、請求項 15 に記載の方法。
  17. 17
    前記洗浄溶液が、0.5重量%~25重量%の前記酸を含む、請求項 1~14 のいずれか一項に記載の方法。
  18. 18
    前記洗浄溶液が、1重量%~10重量%の前記酸を含む、請求項 17 に記載の方法。
  19. 19
    前記洗浄溶液が、2.5重量%~5重量%の前記酸を含む、請求項 18 に記載の方法。
  20. 20
    前記有機溶媒が、非極性である、請求項 1~19 のいずれか一項に記載の方法。
  21. 21
    前記有機溶媒が、36°C~345°Cの範囲の標準沸点を有する、請求項 1~20 のいずれか一項に記載の方法。
  22. 22
    前記標準沸点が、65°C~275°Cの範囲にある、請求項 21 に記載の方法。
  23. 23
    前記標準沸点が、65°C~150°Cの範囲にある、請求項 22 に記載の方法。
  24. 24
    前記標準沸点が、150°C~220°Cの範囲にある、請求項 22 に記載の方法。
  25. 25
    前記有機溶媒が、6~24個の炭素を有するアルカンである、請求項 1~24 のいずれか一項に記載の方法。
  26. 26
    前記アルカンが、6~14個の炭素を有する、請求項 25 に記載の方法。
  27. 27
    前記アルカンが、6~9個の炭素を有する、請求項 26 に記載の方法。
  28. 28
    前記アルカンが、10~14個の炭素を有する、請求項 26 に記載の方法。
  29. 29
    前記有機溶媒が、極性非プロトン性溶媒である、請求項 1~19 のいずれか一項に記載の方法。
  30. 30
    前記極性非プロトン性溶媒が、テトラヒドロフラン、酢酸エチル、アセトン、ジメチルホルムアミド、アセトニトリル、ジメチルスルホキシド、N-メチルピロリドン、またはそれらの組み合わせを含む、請求項 29 に記載の方法。
  31. 31
    前記センサパッドを前記洗浄溶液に曝露しながら、前記センサパッド及び前記洗浄溶液を加熱する 工程 を更に含む、請求項 1~30 のいずれか一項に記載の方法。
  32. 32
    加熱する 工程 が、35°C~70°Cの範囲の温度で加熱することを含む、請求項 31 に記載の方法。
  33. 33
    前記温度が、40°C~55°Cの範囲にある、請求項 32 に記載の方法。
  34. 34
    曝露する 工程 が、30秒~30分の範囲の期間曝露することを含む、請求項 1~33 のいずれか一項に記載の方法。
  35. 35
    前記期間が、30秒~10分の範囲にある、請求項 34 に記載の方法。
  36. 36
    前記期間が、30秒~5分の範囲にある、請求項 35 に記載の方法。
  37. 37
    前記期間が、1分~3分の範囲にある、請求項 36 に記載の方法。
  38. 38
    少なくとも前記センサパッドを塩基性溶液に曝露する 工程 を更に含む、 1~37 のいずれか一項に記載の方法。
  39. 39
    前記塩基性溶液が、0.005M~1.5Mの水酸化ナトリウムを含む、請求項 38 に記載の方法。
  40. 40
    前記塩基性溶液が、0.01M~1.0Mの水酸化ナトリウムを含む、請求項 39 に記載の方法。
  41. 41
    前記塩基性溶液が、0.01M~0.5Mの水酸化ナトリウムを含む、請求項 40 に記載の方法。
  42. 42
    少なくとも前記センサパッドを前記塩基性溶液に曝露する 工程 が、前記センサパッドを前記洗浄溶液に曝露した後に起こる、請求項 38 に記載の方法。
  43. 43
    少なくとも前記センサパッドを前記洗浄溶液に曝露する 工程 及び少なくとも前記センサパッドを前記塩基性溶液に曝露する 工程 を繰り返すことを更に含む、請求項 38 に記載の方法。
  44. 44
    すすぎ落とす 工程 が、水及び前記有機溶媒と混和可能なすすぎ有機溶媒ですすぐことを含む、請求項 1~43 のいずれか一項に記載の方法。
  45. 45
    すすぎ落とす 工程 が、25°C~100°Cの範囲の標準沸点を有する低沸点有機溶媒ですすぐことを含む、請求項 1~44 のいずれか一項に記載の方法。
  46. 46
    前記低沸点有機溶媒が、50°C~100°Cの範囲の標準沸点を有する、請求項 45 に記載の方法。
  47. 47
    前記低沸点有機溶媒が、アルコールを含む、請求項 45 に記載の方法。
  48. 48
    前記アルコールが、エタノールまたはイソプロパノールを含む、請求項 47 に記載の方法。
  49. 49
    すすぎ落とす 工程 が、水ですすぐことを含む、請求項 1~48 のいずれか一項に記載の方法。
Independent claims49