Nova Patents
JP6437331B2

Semiconductor device, module, and electronic device

Abstract

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JP6437331B2, drawing sheet 1
Sheet 1 of 55

Term

8.4 yearsleft in the term

Expires 5 February 2035.

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7 claims: 5 independent, 2 dependent

  1. 1
    基板上の 第1の導電体 および 第2の導電体と 、 前記第1の導電体上および前記第2の導電体上の 第1の絶縁体 と、 前記第1の絶縁体上の 第2の絶縁体 と、 前記第2の絶縁体上の、前記第1の導電膜と重なる領域を有する 酸化物半導体 と、 前記酸化物半導体上の 第3の絶縁体 と、 前記第3の絶縁体上の、前記酸化物半導体と重なる領域を有する 第3の導電体 と、 前記第3の導電体の上面と接する領域と、前記酸化物半導体の上面と接する領域と、前記第2の絶縁膜の第1の開口部を介して、前記第1の絶縁体の上面と接する領域と、を有する 第4の絶縁体 と、 前記第4の絶縁体上の 第5の絶縁体 と、 前記第4の絶縁膜の第2の開口部および前記第5の絶縁膜の第3の開口部を介して、前記酸化物半導体と接する領域を有する 第4の導電体 と、 前記第4の絶縁膜の第4の開口部および前記第5の絶縁膜の第5の開口部を介して、前記酸化物半導体と接する領域を有する 第5の導電体 と、 前記第5の絶縁膜の第6の開口部を介して、前記第4の絶縁体の上面と接する領域を有し、かつ、前記第1の絶縁体および前記第4の絶縁体を介して、前記第2の導電体を重なる領域を有する 第6の導電体と 、を 有することを特徴とする半導体装置。
  2. 2
    請求項1において、 前記第4の導電体および前記第5の導電体は、前記第3の導電体と重なる領域を有さないことを特徴とする半導体装置。
  3. 3
    請求項1または請求項2において、 前記第4の導電体および前記第5の導電体は、前記第1の導電体と重なる領域を有さないことを特徴とする半導体装置。
  4. 4
    請求項1乃至請求項3のいずれか一において、 前記酸化物半導体のチャネル幅方向において、前記第3の導電体は、前記酸化物半導体を乗り越える形状を有し、 前記第1の導電体は、前記第1の絶縁体および前記第2の絶縁体を介して、前記酸化物半導体の下面に面する形状を有することを特徴とする半導体装置。
  5. 5
    請求項1乃至請求項 4 のいずれか一において、 前記第3の絶縁体は、 前記酸化物半導体のチャネル方向において、 前記第3の導電体よりも迫り出した形状を有することを特徴とする半導体装置。
  6. 6
    請求項 5 において、 前記第3の絶縁体は、端部の断面形状が円弧となる領域を有することを特徴とする半導体装置。
  7. 7
    請求項1乃至請求項 6 のいずれか一において、 前記第3の導電体は、第1の導電層と、第2の導電層と、を有し、 前記第2の導電層は、前記第1の導電層の上面と接する領域を有し、 前記第1の導電層は、 前記酸化物半導体のチャネル方向において、 前記第2の導電層よりも迫り出した形状を有することを特徴とする半導体装置。
Independent claims7