JP5922016B2

Command and interrupt grouping for a data storage device

Abstract

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JP5922016B2, drawing sheet 1
Sheet 1 of 8

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25 claims: 5 independent, 20 dependent

  1. 1
    第1(104a)のメモリボードと、 第2(104b)のメモリボードであって、 該第1(104a)のメモリボード及び該第2(104b)のメモリボードが各々、複数のメモリチップを備える、前記メモリボードと、 該第1(104a)のメモリボード及び該第2(104b)のメモリボードに機能的に接続するように配置され構成されるコントローラボード(102)とを備え、該コントローラボード(102)が、 PCI-eインターフェイスと、 該PCI-eインターフェイスを使用してホスト(106)からコマンドを受信し、該コマンドを実行するように配置され構成されるフィールドプログラマブルゲートアレイ(FPGA)コントローラとを備え、 前記フィールドプログラマブルゲートアレイ(FPGA)コントローラは複数のチャネルを含むことができ、各々の前記チャネルは1つ以上の前記メモリチップに関連付けられ、各々の前記メモリチップは前記チャネルの1つに関連付けられ、 該第1(104a)のメモリボード及び該第2(104b)のメモリボードが各々、該コントローラボード(102)から別個に取り外し可能であり、 前記第1(104a)のメモリボード及び前記第2(104b)のメモリボードが、取り外され複数のメモリチップを備える別のメモリボードに置き換えられるように配置され構成されるモジュール式ボードであり、 前記フィールドプログラマブルゲートアレイ(FPGA)コントローラが電源モジュールを備え、 前記第1(104a)のメモリボード及び前記第2(104b)のメモリボード上の 異なる電圧 で動作する 複数のメモリチップのコマンド処理を制御し、 前記コントローラボード(102)と前記第1(104a)および第2(104b)のメモリボードとの間のコネクタ上のピンの信号レベルを感知することによって、 前記第1(104a)のメモリボード及び前記第2(104b)のメモリボード上の該メモリチップの電圧を自動的に認識し、 該メモリチップの該認識された電圧で動作するよう該電源モジュールを構成し、 前記PCI-eインターフェイスを使用して前記ホスト(106)からコマンドを受信し、 該メモリチップを使用して該コマンドを実行するように配置され構成される、データストレージデバイス(100)。
  2. 2
    前記メモリチップがフラッシュメモリチップ(118a、118b)を備える、請求項1記載のデータストレージデバイス(100)。
  3. 3
    前記フラッシュメモリチップ(118a、118b)がシングルレベルセル(SLC) NANDフラッシュメモリチップである、請求項2記載のデータストレージデバイス(100)。
  4. 4
    前記フラッシュメモリチップ(118a、118b)がマルチレベルセル(MLC) NANDフラッシュメモリチップである、請求項2記載のデータストレージデバイス(100)。
  5. 5
    前記第1(104a)のメモリボード、前記第2(104b)のメモリボード、及び前記コントローラボード(102)が、サーバ(330)のドライブベイ(335)に適合するように配置され構成される、請求項1から4のいずれか1項記載のデータストレージデバイス(100)。
  6. 6
    前記第1(104a)のメモリボードは前記コントローラボード(102)の上側に機能的に接続され、前記第2(104b)のメモリボードは該コントローラボード(102)の下側に機能的に接続される、請求項1から5のいずれか1項記載のデータストレージデバイス(100)。
  7. 7
    前記メモリチップがダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)チップを備える、請求項1から6のいずれか1項記載のデータストレージデバイス(100)。
  8. 8
    前記メモリチップが相変化メモリ(PCM)チップを備える、請求項1から7のいずれか1項記載のデータストレージデバイス(100)。
  9. 9
    前記フィールドプログラマブルゲートアレイ(FPGA)コントローラが、 複数の異なるタイプのメモリチップのコマンド処理を制御し、 前記第1(104a)のメモリボード及び前記第2(104b)のメモリボード上の該メモリチップのタイプを自動的に認識し、 前記PCI-eインターフェイスを使用して前記ホスト(106)からコマンドを受信し、 該メモリチップを使用して該コマンドを実行するように配置され構成される、請求項1から8のいずれか1項記載のデータストレージデバイス(100)。
  10. 10
    前記フィールドプログラマブルゲートアレイ(FPGA)コントローラが、各々の前記チャネルのチャネルコントローラ(450)をさらに備える、請求項1記載のデータストレージデバイス(100)。
  11. 11
    ホスト(106)と、 データストレージデバイス(100)とを備え、該データストレージデバイス(100)が、 第1(104a)のメモリボードと、 第2(104b)のメモリボードであって、 該第1(104a)のメモリボード及び該第2(104b)のメモリボードが各々、複数のメモリチップを備える、前記メモリボードと、 該第1(104a)のメモリボード及び該第2(104b)のメモリボードに機能的に接続するように配置され構成されるコントローラボード(102)とを備え、該コントローラボード(102)が、 PCI-eインターフェイスと、 該PCI-eインターフェイスを使用して該ホスト(106)からコマンドを受信し、該コマンドを実行するように配置され構成されるフィールドプログラマブルゲートアレイ(FPGA)コントローラとを備え、 前記フィールドプログラマブルゲートアレイ(FPGA)コントローラは複数のチャネルを含むことができ、各々の前記チャネルは1つ以上の前記メモリチップに関連付けられ、各々の前記メモリチップは前記チャネルの1つに関連付けられ、 該第1(104a)のメモリボード及び該第2(104b)のメモリボードが各々、該コントローラボード(102)から別個に取り外し可能であり、 前記第1(104a)のメモリボード及び前記第2(104b)のメモリボードが、取り外され複数のメモリチップを備える別のメモリボードに置き換えられるように配置され構成されるモジュール式ボードであり、 前記フィールドプログラマブルゲートアレイ(FPGA)コントローラが電源モジュールを備え、 前記第1(104a)のメモリボード及び前記第2(104b)のメモリボード上の 異なる電圧 で動作する 複数のメモリチップのコマンド処理を制御し、 前記コントローラボード(102)と前記第1(104a)および第2(104b)のメモリボードとの間のコネクタ上のピンの信号レベルを感知することによって、 前記第1(104a)のメモリボード及び前記第2(104b)のメモリボード上の該メモリチップの電圧を自動的に認識し、 該メモリチップの該認識された電圧で動作するよう該電源モジュールを構成し、 前記PCI-eインターフェイスを使用して前記ホスト(106)からコマンドを受信し、 該メモリチップを使用して該コマンドを実行するように配置され構成される、コンピューティングデバイス。
  12. 12
    前記メモリチップがフラッシュメモリチップ(118a、118b)を備える、請求項11記載のコンピューティングデバイス。
  13. 13
    前記フラッシュメモリチップ(118a、118b)がシングルレベルセル(SLC) NANDフラッシュメモリチップである、請求項12記載のコンピューティングデバイス。
  14. 14
    前記フラッシュメモリチップ(118a、118b)がマルチレベルセル(MLC) NANDフラッシュメモリチップである、請求項12記載のコンピューティングデバイス。
  15. 15
    前記第1(104a)のメモリボード、前記第2(104b)のメモリボード、及び前記コントローラボード(102)が、サーバ(330)のドライブベイ(335)に適合するように配置され構成される、請求項1から14のいずれか1項記載のコンピューティングデバイス。
  16. 16
    前記第1(104a)のメモリボード及び前記第2(104b)のメモリボードが、取り外され複数のメモリチップを備える別のメモリボードに置き換えられるように配置され構成されるモジュール式ボードである、請求項1から15のいずれか1項記載のコンピューティングデバイス。
  17. 17
    前記メモリチップがダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)チップを備える、請求項1から16のいずれか1項記載のコンピューティングデバイス。
  18. 18
    前記メモリチップが相変化メモリ(PCM)チップを備える、請求項1から17のいずれか1項記載のコンピューティングデバイス。
  19. 19
    データストレージデバイス(100)をアセンブルするための方法であって、 複数のメモリチップを第1(104a)のメモリボードに固定すること(510)と、 複数のメモリチップを第2(104b)のメモリボードに固定すること(520)と、 PCI-eインターフェイス及びフィールドプログラマブルゲートアレイ(FPGA)コントローラをコントローラボード(102)に取り付けること(530)と、 該第1(104a)のメモリボードを該コントローラボード(102)に機能的に(540)接続することと、 該第2のメモリボード(104b)を該コントローラボード(102)に機能的に(550)接続することとを備え、 前記フィールドプログラマブルゲートアレイ(FPGA)コントローラは複数のチャネルを含むことができ、各々の前記チャネルは1つ以上の前記メモリチップに関連付けられ、各々の前記メモリチップは前記チャネルの1つに関連付けられ、 該第1(104a)のメモリボード及び該第2(104b)のメモリボードが各々、該コントローラボード(102)から別個に取り外し可能であり、 前記第1(104a)のメモリボード及び前記第2(104b)のメモリボードが、取り外され複数のメモリチップを備える別のメモリボードに置き換えられるように配置され構成されるモジュール式ボードであり、 前記フィールドプログラマブルゲートアレイ(FPGA)コントローラが電源モジュールを備え、 前記第1(104a)のメモリボード及び前記第2(104b)のメモリボード上の 異なる電圧 で動作する 複数のメモリチップのコマンド処理を制御し、 前記コントローラボード(102)と前記第1(104a)および第2(104b)のメモリボードとの間のコネクタ上のピンの信号レベルを感知することによって、 前記第1(104a)のメモリボード及び前記第2(104b)のメモリボード上の該メモリチップの電圧を自動的に認識し、 該メモリチップの該認識された電圧で動作するよう該電源モジュールを構成し、 前記PCI-eインターフェイスを使用して前記ホスト(106)からコマンドを受信し、 該メモリチップを使用して該コマンドを実行するように配置され構成される、前記方法。
  20. 20
    複数のメモリチップを第3のメモリボードに固定することと、 前記第1(104a)のメモリボード又は前記第2(104b)のメモリボードのうちの1つを前記コントローラボード(102)から切断することと、 該第3のメモリボードを該コントローラボード(102)に機能的に接続することとをさらに備える、請求項19記載の方法。
  21. 21
    前記第1(104a)のメモリボードを前記コントローラボード(102)に機能的に接続すること、及び前記第2(104b)のメモリボードを該コントローラボード(102)に機能的に接続することが、ドライブベイフォームファクタがサーバ(330)のドライブベイ(335)に適合するよう構成されるように、該第1(104a)のメモリボード、該第2(104b)のメモリボード、及び該コントローラボード(102)の該ドライブベイフォームファクタを形成することを含む、請求項19又は20記載の方法。
  22. 22
    前記第1(104a)のメモリボードを前記コントローラボード(102)に機能的に接続することが、該第1(104a)のメモリボードを該コントローラボード(102)の上側に機能的に接続することを含み、 前記第2(104b)のメモリボードを該コントローラボード(102)に機能的に接続することが、該第2(104b)のメモリボードを該コントローラボード(102)の下側に機能的に接続することを含む、請求項19又は20記載の方法。
  23. 23
    前記メモリチップがダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)チップを備える、請求項19から22のいずれか1項記載の方法。
  24. 24
    前記メモリチップが相変化メモリ(PCM)チップを備える、請求項19から23のいずれか1項記載の方法。
  25. 25
    前記メモリチップがフラッシュメモリチップ(118a、118b)を備える、請求項19から24のいずれか1項記載の方法。
Independent claims25