JP5877166B2

Lamination of electrochromic device to glass substrates

Abstract

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JP5877166B2, drawing sheet 1
Sheet 1 of 18

Term

Projected expiry 4 March 2031.

  1. Priority
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  3. Granted
  4. Today
  5. Projected expiry

15 claims: 3 independent, 12 dependent

  1. 1
    (a)エレクトロクロミック基板を用意するステップと、 (b)前記エレクトロクロミック基板を、1つ又は複数の基板ドーターパネルに切断するステップと、 (c)前記1つ又は複数の基板ドーターパネルのそれぞれの上に、複数のエレクトロクロミックデバイス前駆体を製作するステップと、 (d)前記複数のエレクトロクロミックデバイス前駆体のそれぞれを、個々のエレクトロクロミックデバイスに切断するステップであって、前記複数のエレクトロクロミックデバイス前駆体のそれぞれがレーザ又は電熱切断によって切断されるステップと、 (e)前記個々のエレクトロクロミックデバイスのそれぞれを、個別の外部積層体ガラス板に積層するステップとを含み、 前記個々のエレクトロクロミックデバイスのそれぞれが、少なくとも60MPaのエッジ強度を有する、エレクトロクロミックデバイス積層体の製造方法。
  2. 2
    前記エレクトロクロミック基板が、4ppm/Kから8ppm/Kの範囲の熱膨張係数を有する、請求項1に記載の方法。
  3. 3
    1つ又は複数の前記基板ドーターパネルが、 少なくとも60MPaのエッジ強度を有す る、 請求項1に記載の方 法。
  4. 4
    (a)エレクトロクロミック基板を用意するステップと、 (b)前記エレクトロクロミック基板上に複数のエレクトロクロミックデバイス前駆体を製作するステップと、 (c)前記複数のエレクトロクロミックデバイス前駆体のそれぞれを、個々のエレクトロクロミックデバイスに切断するステップであって、前記複数のエレクトロクロミックデバイス前駆体のそれぞれがレーザ又は電熱切断によって切断されるステップと、 (d)前記個々のエレクトロクロミックデバイスのそれぞれを、個別の外部積層体ガラス板に積層するステップとを含み、 前記個々のエレクトロクロミックデバイスのそれぞれが、少なくとも60MPaのエッジ強度を有する、エレクトロクロミックデバイス積層体の製造方法。
  5. 5
    前記エレクトロクロミック基板が、4ppm/Kから8ppm/Kの範囲の熱膨張係数を有する、請求項4に記載の方法。
  6. 6
    前記複数のエレクトロクロミックデバイス前駆体のレイアウトは、全体としていかなる被膜またはスタックにも損傷を与えることなく、前記複数のエレクトロクロミックデバイス前駆体のそれぞれを個々の前記エレクトロクロミックデバイスに切断するために、前記複数のエレクトロクロミック前駆体の間に十分なスペースが組み込まれる、請求項4に記載の方法。
  7. 7
    (a)アニールされたガラス基板上にエレクトロクロミックスタックを備え、レーザ切断又は電熱切断によって調製されるエレクトロクロミックデバイスと、 (b)外部積層体ガラス板と、 (c)前記エレクトロクロミックデバイスおよび前記外部積層体ガラス板の間に挟まれた中間層材料とを備え、 前記個々のエレクトロクロミックデバイスのそれぞれが、少なくとも60MPaのエッジ強度を有する、積層体。
  8. 8
    前記エレクトロクロミックデバイスが、少なくとも69MPaのエッジ強度を有する、請求項7に記載の積層体。
  9. 9
    前記エレクトロクロミックデバイスが、少なくとも75MPaのエッジ強度を有する、請求項7に記載の積層体。
  10. 10
    前記アニールされたガラス基板が、少なくとも1つの寸法において前記外部積層体ガラス板よりも小さい、請求項7に記載の積層体。
  11. 11
    前記アニールされたガラス基板が、少なくとも1つの寸法において、前記外部積層体ガラス板に対して0.5mmから3mmにインデント加工がなされている、請求項10に記載の積層体。
  12. 12
    前記アニールされたガラス基板が、少なくとも1つの寸法において、前記外部積層体ガラス板に対して1mmから2mmにインデント加工がなされている、請求項10に記載の積層体。
  13. 13
    前記より小さいアニールされたガラス基板の周辺が、少なくとも片側において、中間層材料および保護材料からなる群から選択される材料により取り囲まれている、請求項10に記載の積層体。
  14. 14
    前記アニールされたガラス基板が、レーザ切断によって調製されかつ少なくとも69MPaのエッジ強度を有する、請求項7に記載の積層体。
  15. 15
    前記エレクトロクロミックデバイスが、少なくとも100MPaのエッジ強度を有する、請求項7に記載の積層体。
Independent claims15