Nova Patents
JP5599397B2

Optoelectronic semiconductor component

Abstract

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JP5599397B2, drawing sheet 1
Sheet 1 of 6

Term

Projected expiry 15 July 2029.

  1. Priority and filed
  2. Granted
  3. Today
  4. Projected expiry

7 claims: 1 independent, 6 dependent

  1. 1
    ・接続用支持体（２）と ・前記接続用支持体（２）の実装面（２２）に配置されたオプトエレクトロニクス半導体チップ（１）と、 ・前記オプトエレクトロニクス半導体チップ（１）を包囲する透光体（３）と を有するオプトエレクトロニクス半導体素子であって、 前記透光体（３）は、前記接続用支持体（２）に対向しない前記オプトエレクトロニクス半導体チップ（１）の外側面を形状接続的に被覆するように設けられており、 前記透光体（３）はシリコーンを含み、 前記透光体（３）は、該透光体（３）が角錐台の形状を有するよう、いずれも前記実装面（２２）との間に角度（β）＜９０°を成す４つの側面（３０）を有し、 該側面（３０）は、前記接続用支持体（２）の前記実装面（２２）に対し垂直ではなく、 前記側面（３０）はダイシング工程の跡を有し、 前記４つの側面（３０）の各々はすべて、斜行するソーイング工程によって形成されており、前記透光体（３）の前記４つの側面（３０）の各々に平坦化層（５）が設けられている、 ことを特徴とする、オプトエレクトロニクス半導体素子。
  2. 2
    前記透光体（３）は、少なくとも局所的に前記実装面（２２）との間に６０°〜７０°の間の角度（β）を成す少なくとも１つの側面（３０）を有し、 前記少なくとも１つの側面（３０）はダイシング工程によって形成されている、請求項１記載のオプトエレクトロニクス半導体素子。
  3. 3
    前記透光体（３）は、それぞれ少なくとも局所的に前記実装面（２２）との間に６０°〜７０°の間の角度（β）を成す少なくとも２つの側面（３０）を有し、 前記少なくとも２つの側面（３０）はダイシング工程によって形成されている、請求項１記載のオプトエレクトロニクス半導体素子。
  4. 4
    前記透光体（３）は前記接続用支持体（２）の前記実装面（２２）に直接接する、請求項１から３までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス半導体素子。
  5. 5
    前記接続用支持体（２）は、セラミック材料によって形成されたボディ（２０）を有し、 前記ボディ（２０）の厚さ（Ｄ）は最大２５０μｍである、請求項１から４までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス半導体素子。
  6. 6
    請求項１から５までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス半導体素子の製造方法であって、 ・接続用支持体（２）を設けるステップと、 ・オプトエレクトロニクス半導体チップ（１）を前記接続用支持体（２）の実装面（２２）に固定して電気的にコンタクトするステップと、 ・前記オプトエレクトロニクス半導体チップ（１）を包囲するように透光体（３）を形成するステップと、 ・前記接続用支持体（２）の前記実装面（２２）との間で角度＜９０°を成すように前記透光体（３）の４つの側面（３０）各々をすべてソーイングして、該透光体（３）の側面（３０）を形成するステップ とを有することを特徴とする、製造方法。
  7. 7
    ソーイングによって形成された前記透光体（３）の前記側面（３０）に平坦化層（５）をスプレー成膜法によって設ける、請求項６記載の製造方法。
Independent claims7