Nova Patents
JP5554635B2

Package for integrated circuit die

Abstract

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JP5554635B2, drawing sheet 1
Sheet 1 of 24

Term

Projected expiry 7 June 2030.

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  5. Projected expiry

23 claims: 4 independent, 19 dependent

  1. 1
    集積回路パッケージ用フレーム構造体であって、 該フレーム構造体は液晶ポリマー材料からなり、表面を有し、かつ、 該液晶ポリマー材料は複数の平面状グラファイト・フレークを含有すると共に、 該グラファイト・フレークは前記表面に平行に層構造として存在し、かつ、該グラファイト・フレークの層により外部からの湿気の侵入を防止する曲がりくねった通路が形成されている ことを特徴とする集積回路パッケージ用フレーム構造体。
  2. 2
    前記 フレーム 構造体が複数の表面を有し、かつ 、 前記グラファイト・フレークの層が該表面の少なくとも一つに平行に配向して存在していることを特徴とする請求項1に記載の 集積回路パッケージ用フレーム 構造体。
  3. 3
    前記液晶ポリマー材料が10%~70%の間の量のグラファイト・フレークを含むことを特徴とする請求項1に記載の 集積回路パッケージ用フレーム 構造体。
  4. 4
    前記液晶ポリマー材料が40%~50%の間の量のグラファイト・フレークを含むことを特徴とする請求項 3 に記載の 集積回路パッケージ用フレーム 構造体。
  5. 5
    前記グラファイト・フレークの濃度が、前記液晶ポリマー材料の熱膨張係数を所望値になるように選択されることを特徴とする請求項1に記載の 集積回路パッケージ用フレーム 構造体。
  6. 6
    前記液晶ポリマー材料の熱膨張係数が17ppm/°Cであることを特徴とする請求項1に記載の 集積回路パッケージ用フレーム 構造体。
  7. 7
    前記液晶ポリマーの融点が280°C以上であることを特徴とする請求項1に記載の 集積回路パッケージ用フレーム 構造体。
  8. 8
    前記液晶ポリマー 材料 の融点が390°C以上であることを特徴とする請求項7に記載の 集積回路パッケージ用フレーム 構造体。
  9. 9
    前記液晶ポリマー 材料 が、p-ヒドロキシ安息香酸、ビスフェノールおよびフタール酸からなることを特徴とする請求項1に記載の 集積回路パッケージ用フレーム 構造体。
  10. 10
    前記液晶ポリマー 材料 が、p-ヒドロキシ安息香酸と6-ヒドロキシ-2-ナフトエ酸の共重合体であることを特徴とする請求項1に記載の 集積回路パッケージ用フレーム 構造体。
  11. 11
    前記液晶ポリマー 材料 が、p-ヒドロキシ安息香酸、4,4-ビスフェノールおよびテレフタール酸からなる三元共重合体であることを特徴とする請求項1に記載の 集積回路パッケージ用フレーム 構造体。
  12. 12
    前記 フレーム 構造体が電子部品パッケージ部材であることを特徴とする請求項1に記載の 集積回路パッケージ用フレーム 構造体。
  13. 13
    集積回路パッケージ用フレーム構造体であって、 該フレーム構造体は液晶ポリマー材料と複数の平面状グラファイト・フレークとを含有する組成物からなり、表面を有し、かつ、 前記グラファイト・フレークは前記表面に平行に層構造として存在し、かつ、該グラファイト・フレークの層により外部からの湿気の侵入を防止する曲がりくねった通路が形成されている ことを特徴とする集積回路パッケージ用フレーム構造体。
  14. 14
    集積回路パッケージ用フレーム構造体の製造方法であって、 液晶ポリマー材料と複数の平面状グラファイト・フレークとを含有してなる組成物を供給する工程と、 該組成物を型に射出成型することにより、前記グラファイト・フレークがフレーム構造体の表面に平行に層構造として存在し、かつ、該グラファイト・フレークの層により外部からの湿気の侵入を防止する曲がりくねった通路を形成する工程と、 を有してなることを特徴とする集積回路パッケージ用フレーム構造体の製造方法。
  15. 15
    前記組成物が10%と70%の間の量のグラファイト・フレークを含むことを特徴とする請求項14に記載の 集積回路パッケージ用フレーム構造体の 製造方法。
  16. 16
    前記組成物が40%と50%の間の量のグラファイト・フレークを含むことを特徴とする請求項 15 に記載の 集積回路パッケージ用フレーム構造体の 製造方法。
  17. 17
    前記 フレーム 構造体が複数の表面を有し、前記組成物の射出により、前記グラファイト・フレークが 該フレーム構造体の 複数の表面の個々の表面に平行に層 構造 を形成することを特徴とする請求項14に記載の 集積回路パッケージ用フレーム構造体の 製造方法。
  18. 18
    前記構造体が電子部品パッケージ部材であることを特徴とする請求項14に記載の 集積回路パッケージ用フレーム構造体の 製造方法。
  19. 19
    前記グラファイト・フレークの濃度が、前記 フレーム 構造体の熱膨張係数を所望値になるように選択されることを特徴とする請求項14に記載の 集積回路パッケージ用フレーム構造体の 製造方法。
  20. 20
    前記 フレーム 構造体の熱膨張係数が17ppm/°Cであることを特徴とする請求項19に記載の 集積回路パッケージ用フレーム構造体の 製造方法。
  21. 21
    前記液晶ポリマー 材料 の融点が280°C以上であることを特徴とする請求項14に記載の 集積回路パッケージ用フレーム構造体の 製造方法。
  22. 22
    前記液晶ポリマー 材料 の融点が390°C以上であることを特徴とする請求項21に記載の 集積回路パッケージ用フレーム構造体の 製造方法。
  23. 23
    前記組成物を型に射出 成型 する前に、液晶ポリマー材料をあらかじめ乾燥することを特徴とする請求項 14~22のいずれか一項 に記載の 集積回路パッケージ用フレーム構造体の 製造方法。
Independent claims23