JP5118068B2

Photocatalyst thin film, method for forming photocatalyst thin film, and photocatalyst thin film coated product

Abstract

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JP5118068B2, drawing sheet 1
Sheet 1 of 6

Term

Projected expiry 8 February 2028.

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10 claims: 8 independent, 2 dependent

  1. 1
    アルカリ金属を含む基体表面にニオブを含む層を形成して500°C以上の温度にて焼成することにより、ニオブ-アルカリ金属複合酸化物を含む光触媒薄膜を形成する光触媒薄膜の形成方法。
  2. 2
    請求項1に記載の光触媒薄膜の形成方法において、 前記ニオブを含む層は、ニオブを含むコーティング剤を塗布することによって形成されることを特徴とする光触媒薄膜の形成方法。
  3. 3
    アルカリ金属を含む基体表面にタンタルを含む層を形成して500°C以上の温度にて焼成することにより、タンタル-アルカリ金属複合酸化物を含む光触媒薄膜を形成する光触媒薄膜の形成方法。
  4. 4
    請求項3に記載の光触媒薄膜の形成方法において、 前記タンタルを含む層は、タンタルを含むコーティング剤を塗布することによって形成されることを特徴とする光触媒薄膜の形成方法。
  5. 5
    請求項1~請求項4の何れか 1項 に記載の光触媒薄膜の形成方法において、 前記アルカリ金属を含む基体は、ソーダライムガラスであることを特徴とする光触媒薄膜の形成方法。
  6. 6
    請求項1~請求項4の何れか 1項に 記載の光触媒薄膜の形成方法において、 前記アルカリ金属を含む基体は、釉薬によって陶磁器の表面に形成したガラス質の膜であることを特徴とする光触媒膜の形成方法。
  7. 7
    請求項1~請求項4の何れか 1項 に記載の光触媒薄膜の形成方法において、 前記アルカリ金属を含む基体は、ホウロウ引きによって金属製品の表面に形成したガラス質の膜であることを特徴とする光触媒膜の形成方法。
  8. 8
    請求項1~請求項7の何れか 1項 に記載の光触媒薄膜の形成方法において、 前記焼成における温度が500~550°Cであることを特徴とする光触媒薄膜の形成方法。
  9. 9
    請求項1~請求項 8 の何れか 1項 に記載の光触媒薄膜の形成方法によって形成された光触媒薄膜。
  10. 10
    アルカリ金属を含む基体と、 前記基体の表面に設けられた請求項 9 に記載の光触媒薄膜と、 を備える光触媒薄膜被覆製品。
Independent claims10