JP5113054B2

Method for inhibiting oxygen and moisture degradation of a device and the resulting device

Abstract

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JP5113054B2, drawing sheet 1
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Expired 9 August 2026, 0.1 years ago.

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10 claims: 2 independent, 8 dependent

  1. 1
    有機発光ダイオード デバイスの酸素および水分の浸透を抑制する方法であって、 基材上に、有機エレクトロルミネセンス材料を置くステップであって、該有機エレクトロルミネセンス材料が100~125°Cを超える温度まで加熱されると損傷するものであるステップ ;前記デバイスの少なくとも一部を覆うように スズ・フルオロフォスフェート 材料を 薄膜としてスパッタ 付着させるステップ;および 前記デバイスの少なくとも一部を覆うように付着させた前記 スズ・フルオロフォスフェート 材料を、酸素および水分のない環境で、 前記有機エレクトロルミネセンス材料が熱的に損傷を受けない温度で 熱処理するステップ;を有してなる方法。
  2. 2
    前記 スズ・フルオロフォスフェー ト材料が、 Sn(20~85重量%) P(2~20重量%) O(10~36重量%) F(10~36重量%) Nb(0~5重量%)および Sn+P+O+Fの合計が少なくとも75%という組成を有することを特徴とする請求項1記載の方法。
  3. 3
    前記スズ・フルオロフォスフェート材料が、下記の組成:Sn 22.42重量% P 11.48重量% O 42.41重量% F 22.64重量% Nb 1.05重量% を有することを特徴とする請求項1記載の方法 。
  4. 4
    前記スズ・フルオロフォスフェート材料が、130°Cのガラス転移温度を有することを特徴とする請求項3記載の方法 。
  5. 5
    24時間のスパッタ付着の後、前記熱処理において、前記デバイスを121°Cで1時間加熱することを含む請求項1記載の方法 。
  6. 6
    スズ・フルオロフォスフェート材料の薄膜が、2.5μmの厚さを有することを特徴とする請求項1記載の方法 。
  7. 7
    基板と、 少なくとも1つの有機電子層または有機光電層と、 スズ・フルオロフォスフェート材料の薄膜層 とを含み、 前記少なくとも1つの電子層または光電層が、前記 スズ・フルオロフォスフェート 材料の 薄膜層 と前記基板との間に気密封止されていることを特徴とする有機電子デバイス。
  8. 8
    前記スズ・フルオロフォスフェート材料が、 Sn(20~85重量%) P(2~20重量%) O(10~36重量%) F(10~36重量%) Nb(0~5重量%)および Sn+P+O+Fの合計が少なくとも75%という組成を有することを特徴とする請求項7記載の 有機電子デバイス 。
  9. 9
    前記スズ・フルオロフォスフェート材料が、下記の組成:Sn 22.42重量% P 11.48重量% O 42.41重量% F 22.64重量% Nb 1.05重量% を有することを特徴とする請求項7記載の有機電子デバイス 。
  10. 10
    前記スズ・フルオロフォスフェート材料が、130°Cのガラス転移温度を有することを特徴とする請求項9記載の有機電子デバイス 。
Independent claims10