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JP5111507B2

Method for metallising semiconductor elements and use thereof

Abstract

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JP5111507B2, drawing sheet 1
Sheet 1 of 3

Term

Projected expiry 24 September 2027.

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  5. Projected expiry

11 claims: 1 independent, 10 dependent

  1. 1
    半導体素子の少なくとも一つの表面をアルミニウムで少なくとも部分的に金属化する方法であって、 a)アルミニウム箔を前記表面と少なくとも部分的に直接接触させる段階と、 b)続いて、レーザまたはコヒーレントでない赤外線の効果によって、前記アルミニウム箔を少なくとも部分的に前記半導体素子の前記表面に接続する段階と、 を有し、 前記アルミニウム箔を前記表面と少なくとも部分的に直接接触させる段階は、金属化される対象の前記半導体素子の前記表面の寸法よりも大きな寸法を有し、前記半導体素子上に載置され端部を覆う前記アルミニウム箔を、前記表面に吸着させる段階を含み、 前記アルミニウム箔を前記表面に吸着させる段階は、 前記半導体素子 および前記アルミニウム箔を共に真空デバイスを用いて安全に吸着させる段階を含 み 、 前記アルミニウム箔を少なくとも部分的に前記半導体素子の前記表面に接続する段階は、前記アルミニウム箔を一時的に加熱して、前記表面又は前記表面と前記アルミニウム箔との間に設けられる犠牲層を局所的に溶解する段階を含む、 方法。
  2. 2
    前記アルミニウム箔の厚みは、1μmから20μmである、 請求項1に記載の方法。
  3. 3
    前記アルミニウム箔はさらに、金属構造を有する、 請求項1または請求項2に記載の方法。
  4. 4
    前記金属構造は、前記アルミニウム箔内に長尺状の金属部分として形成される、 請求項3に記載の方法。
  5. 5
    前記金属構造は、別の半導体素子との接続に用いられる、 請求項3または請求項4に記載の方法。
  6. 6
    前記レーザは、予め定められている構造に照射される、 請求項1から請求項5までの何れか一項に記載の方法。
  7. 7
    前記レーザによって、長尺状部分および/または点状構造が形成される、 請求項1から請求項6までの何れか一項に記載の方法。
  8. 8
    太陽電池が前記半導体素子として利用される、 請求項1から請求項7までの何れか一項に記載の方法。
  9. 9
    前記金属化された部分は、背面側コンタクトとして前記太陽電池に設けられる 請求項8に記載の方法。
  10. 10
    太陽電池を製造するための方法であって、 a)半導体素子を準備する段階と、 b)請求項1から請求項9までの何れか一項に記載の方法により、前記半導体素子の少なくとも一つの表面をアルミニウムで少なくとも部分的に金属化する段階と、 を有する方法。
  11. 11
    前記半導体素子の少なくとも一つの表面をアルミニウムで少なくとも部分的に金属化する段階は、前記半導体素子の背面側の表面を金属化する段階を含む、 請求項10に記載の方法。
Independent claims11