JP4969697B2

Wiring and sealing scheme for an active matrix display device

Abstract

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JP4969697B2, drawing sheet 1
Sheet 1 of 10

Term

Projected expiry 26 September 2031.

  1. Priority
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  3. Granted
  4. Today
  5. Projected expiry

5 claims: 5 independent, 0 dependent

  1. 1
    第1の基板と、 前記第1の基板上に形成された薄膜トランジスタと、 前記薄膜トランジスタ上に形成された有機 物質 からなる層間絶縁膜と、 前記 有機物質からなる 層間絶縁膜上に形成された発光素子と、 前記 第1の基板に対向して設けられた第2の基板と、を有する発光装置であって、 前記第1の基板と前記第2の基板は、光を用いてシール材で接着され、 前記シール材と開口を有する配線が重ねて設けられ、 前記シール材と前記薄膜トランジスタのゲート絶縁膜は重ねて設けられ、 前記シール材と前記有機 物質 からなる層間絶縁膜の少なくとも一部は重ねられていないことを特徴とする発光装置。
  2. 2
    第1の基板と、 前記第1の基板上に形成された薄膜トランジスタと、 前記薄膜トランジスタ上に形成された有機 物質 からなる層間絶縁膜と、 前記 有機物質からなる 層間絶縁膜上に形成された発光素子と、 前記 第1の基板に対向して設けられた第2の基板と、を有する発光装置であって、 前記第1の基板と前記第2の基板は、光を用いてシール材で接着され、 前記シール材と開口を有する配線が重ねて設けられ、 前記開口を有する配線が前記シール材を挟んで対向する位置は遮光され、 前記シール材と前記薄膜トランジスタのゲート絶縁膜は重ねて設けられ、 前記シール材と前記有機 物質 からなる層間絶縁膜は重ねられていないことを特徴とする発光装置。
  3. 3
    第1の基板と、 前記第1の基板上に形成された薄膜トランジスタと、 前記薄膜トランジスタ上に形成された無機 物質 からなる層間絶縁膜と、 前記 無機物質からなる 層間絶縁膜上に形成された発光素子と、 前記 第1の基板に対向して設けられた第2の基板と、を有する発光装置であって、 前記第1の基板と前記第2の基板は、光を用いてシール材で接着され、 前記シール材と開口を有する配線が重ねて設けられ、 前記シール材と前記薄膜トランジスタのゲート絶縁膜は重ねて設けられ、 前記シール材と前記無機 物質 からなる層間絶縁膜は重ねられていることを特徴とする発光装置。
  4. 4
    第1の基板と、 前記第1の基板上に形成された薄膜トランジスタと、 前記薄膜トランジスタ上に形成された無機 物質 からなる層間絶縁膜と、 前記 無機物質からなる 層間絶縁膜上に形成された発光素子と、 前記 第1の基板に対向して設けられた第2の基板と、を有する発光装置であって、 前記第1の基板と前記第2の基板は、光を用いてシール材で接着され、 前記シール材と開口を有する配線が重ねて設けられ、 前記開口を有する配線が前記シール材を挟んで対向する位置は遮光され、 前記シール材と前記薄膜トランジスタのゲート絶縁膜は重ねて設けられ、 前記シール材と前記無機 物質 からなる層間絶縁膜は重ねられていることを特徴とする発光装置。
  5. 5
    第1の基板と、 前記第1の基板上に形成された薄膜トランジスタと、 前記薄膜トランジスタ上に形成された無機 物質 からなる層間絶縁膜と、 前記 無機物質からなる 層間絶縁膜上に形成された発光素子と、 前記 第1の基板に対向して設けられた第2の基板と、を有する発光装置であって、 前記第1の基板と前記第2の基板は、光を用いてシール材で接着され、 前記シール材と開口を有する配線が重ねて設けられ、 前記開口を有する配線が前記シール材を挟んで対向する位置は遮光され、 前記シール材と前記薄膜トランジスタのゲート絶縁膜は重ねて設けられ、 前記シール材と前記無機 物質 からなる層間絶縁膜は接して重ねられていることを特徴とする発光装置。
Independent claims5