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JP4717112B2

Lithographic projection system and projection lens polarization sensor

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Expired 13 June 2026, 0.3 years ago.

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22 claims: 13 independent, 9 dependent

  1. 1
    放射ビームを調整する照明システムと、 前記放射ビームにその断面にてパターンを付与して、パターニングされた放射ビームを形成することができるパターニングデバイスを支持するサポートと、 基板を保持する基板テーブルと、 前記放射ビームを前記基板のターゲット部分に投影する投影システムと、 前記照明システム又は前記投影システムを通過した前記放射ビームをコリメートするコリメーションレンズと、 前記コリメートされた放射ビームを前記照明システムの光軸に対して垂直方向に反射する反射部材と、 前記反射部材で反射された放射ビームを受ける、 調整可能な偏光変換素子と、 前記偏光変換素子を通過した放射ビームを受ける、 偏光 子 と、 前記偏光子を通過した放射ビームの強度を測定するディテクタと、 を備え、 前記コリメーションレンズ、前記反射部材、 前記偏光変換素子 、及び 前記偏光 子 が、 キャリア上に配置され、 前記キャリアが、 前記パターニングデバイスが前記サポートによって支持されるレベルに 前記パターニングデバイスと交換可能に 配置され、 前記コリメーションレンズ、前記反射部材、前記偏光変換素子、及び前記偏光子が、前記レベルにて移動可能であり、前記照明システム又は前記投影システムの瞳座標に対応する複数の位置において、前記偏光変換素子及び前記偏光子を通過した放射ビームの強度を測定可能である、 リソグラフィ装置。
  2. 2
    前記偏光変換素子が、回転自在 及び / 又は 交換自在であることにより調整可能である、請求項1に記載のリソグラフィ装置。
  3. 3
    前記偏光変換素子が、四分の一波長板である、請求項1 又は 2に記載のリソグラフィ装置。
  4. 4
    前記偏光 子 が、直線偏光子である、請求項1 乃至3のいずれか1項 に記載のリソグラフィ装置。
  5. 5
    前記偏光 子 が、空間的に相互に分離された2つの直交する直線偏光放射コンポーネントを出力する偏光ビームスプリッタである、請求項1 乃至3のいずれか1項 に記載のリソグラフィ装置。
  6. 6
    前記偏光 子 が、本質的に 燐酸カリウム からなる、請求項5に記載のリソグラフィ装置。
  7. 7
    放射ビームを調整する照明システムと、 前記放射ビームにその断面にてパターンを付与して、パターニングされた放射ビームを形成することができるパターニングデバイスを支持するサポートと、 基板を保持する基板テーブルと、 前記放射ビームを前記基板のターゲット部分に投影する投影システムと、 前記投影システムの前に配置された、前記放射ビームを偏光させるための調整可能な偏光子と、 前記パターニングデバイスのレベルにて、前記偏光子を通過した放射ビームを受け、前記放射ビームを調整して前記投影システムの瞳を過充填するためのピンホール板と、 前記基板のレベルで前記放射ビームの波面を測定するための干渉センサであって、 前記ピンホール板及び前記投影システムを通過した放射ビームを受ける格子、及び前記格子を通過した放射ビームを受ける ディテクタを有する干渉センサと、 を備えるリソグラフィ装置。
  8. 8
    前記偏光子が、直線偏光子であり、回転自在 及び 交換自在の少なくともいずれか一方であることにより調整可能であり、2つの異なる方向に前記放射を順次偏光させる、請求項7に記載のリソグラフィ装置。
  9. 9
    前記ディテクタにより前記測定の結果を取得し、前記 偏光 子を制御し、前記 照明システム又は前記投影システム の少なくとも1つの偏光特性を計算するためのコントローラをさらに備える、請求項1 乃至 8のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。
  10. 10
    前記コントローラが、前記 照明システム又は前記投影システム の少なくとも1つの計算された偏光特性に応答して前記 照明システム又は前記投影システム の1つ 又は 複数の素子をさらに制御する、請求項9に記載のリソグラフィ装置。
  11. 11
    リソグラフィ装置の少なくとも1つの偏光特性を判定するための方法であって、 前記リソグラフィ装置の投影システムの前に配置された、放射ビームを偏光させるための調整可能な偏光子に放射ビームを照射することと、 前記リソグラフィ装置に配置されるパターニングデバイスのレベルにて、ピンホール板で、前記偏光子を通過した放射ビームを受け、前記放射ビームを調整して前記投影システムの瞳を過充填することと、 前記リソグラフィ装置の基板ステージのレベルで、前記放射ビームの波面を測定するための干渉センサであって、前記ピンホール板及び前記投影システムを通過した放射ビームを受ける格子、及び前記格子を通過した放射ビームを受けるディテクタを有する干渉センサで前記放射ビームを受光することと、 を含み、 前記調整可能な偏光子の少なくとも2つの異なる設定に対する前記放射ビームのそれぞれの波面を 前記干渉センサで 測定 し 、 前記波面測定値から、前記投影システムの偏光に影響する特性に関する情報を判定すること、 を含む方法。
  12. 12
    前記投影システムの偏光に影響する特性に関する前記情報が、ジョーンズ行列の少なくとも1つの要素として表される、請求項 11 に記載の方法。
  13. 13
    前記 格子 が、シアリングの方向に相互に変位された少なくとも2つの波面の間でシアリング干渉測定を提供する、請求項 11又は12 に記載の方法。
  14. 14
    前記調整可能な偏光子の前記少なくとも2つの異なる設定が、前記シアリングの方向に沿った直線偏光と、前記シアリングの方向に垂直の直線偏光とを含む、請求項 13 に記載の方法。
  15. 15
    前記投影システムの瞳の中の強度振動の振幅の空間分布、 及び 前記調整可能な偏光子の前記少なくとも2つの異なる設定の各々に対する平均強度を測定することをさらに含む、請求項 13又は14 に記載の方法。
  16. 16
    前記投影システムの瞳の中の前記調整可能な偏光子の前記少なくとも2つの異なる設定の各々に対する強度振動の位相の空間分布を測定することをさらに含む、請求項 15 に記載の方法。
  17. 17
    放射ビーム内のフィールドの偏光を分析するための 、イルミネータ及び投影システムを有するリソグラフィ装置の 偏光アナライザであって、 前記イルミネータ及び前記投影システムの間に配置される 第1の ピンホール板と 、 前記イルミネータ及び前記投影システムの間に配置され、 前記 第1のピンホール板を通過した 放射ビームを 受ける偏光変換素子と、 前記イルミネータ及び前記投影システムの間に配置され、前記偏光変換素子を通過した放射ビームを受けるウォラストンプリズムと、 前記投影システムの焦点に配置され、前記第1のピンホール板の一方の偏光画像を選択的に送信し、他方の偏光画像を遮蔽する第2のピンホール板と、 前記リソグラフィ装置の投影システムの焦点から外れた位置に配置された光強度ディテクタと、 を備え る 偏光アナライザ。
  18. 18
    前記第1のピンホール板、前記偏光変換素子及び前記ウォラストンプリズムを保持するキャリアを更に備える、請求項17のアナライザ。
  19. 19
    前記キャリアが、前記イルミネータの光軸に対して垂直方向に移動可能である、請求項18に記載のアナライザ。
  20. 20
    前記第2のピンホール板が、前記投影システムの光軸に対して垂直方向に移動可能である、請求項17乃至19のいずれか1項に記載のアナライザ。
  21. 21
    前記偏光変換素子の高速軸を回転可能である、請求項17乃至20のいずれか1項に記載のアナライザ。
  22. 22
    前記偏光変換素子が四分の一波長板である、請求項17乃至21のいずれか1項に記載のアナライザ。
Independent claims22