JP4166754B2

Limited play data storage media and method for limiting access to data thereon

Abstract

A limited play optical storage medium for data is provided in the present invention. The limited play optical storage medium for data comprises a first substrate; a reflective layer; a data layer disposed between said substrate and said reflective layer; a reactive layer comprising at least one carrier; and at least one reactive material; and an optically transparent second substrate with an oxygen permeability in a range between about 0.01 Barrers and about 1.35 Barrers at 25° C. wherein the second substrate is between the reactive layer and a laser incident surface.

JP4166754B2, drawing sheet 1
Sheet 1 of 20

Term

Term ended

Expired 1 July 2023, 3.2 years ago.

  1. Priority
  2. Filed
  3. Granted
  4. Expired
  5. Today

10 claims: 1 independent, 9 dependent

  1. 1
    a)第1の基板、 b)反射層、 c)上記基板と上記反射層の間に設けられたデータ層、 d)1種以上のキャリアと1種以上の反応性材料を含む反応性層、及び e)25°Cにおける酸素透過率が0.01~1.35Barrerの光学的に透明な第2の基板であって、反応性層とレーザー入射面の間にある第2の基板を備えるデータ用限定再生式光記憶媒体。
  2. 2
    第2の基板が、100°C以上のガラス転移温度を有するポリカーボネート、ポリカーボネート共重合体又はポリカーボネートブレンドを含む、請求項1記載の限定再生式光記憶媒体。
  3. 3
    前記ポリカーボネート、ポリカーボネート共重合体又はポリカーボネートブレンドがさらに添加剤を含んでおり、該添加剤が、該添加剤が存在しない場合に比して、酸素が第2の基板を通して反応性層まで透過するのに要する時間を実質的に増加させる、請求項2記載の限定再生式光記憶媒体。
  4. 4
    前記添加剤が、反可塑剤、顔料、離型剤、熱安定剤、紫外線吸収剤、脱酸素剤又はこれらの混合物を含む、請求項3記載の限定再生式光記憶媒体。
  5. 5
    前記脱酸素剤が酸化性化合物を含む、請求項4記載の限定再生式光記憶媒体。
  6. 6
    前記酸化性化合物が、アスコルビン酸、トリヒドロキシ安息香酸、リノール酸、酸化性ポリジエン、酸化性ポリエーテル、不飽和炭化水素、アスコルビン酸化合物、ポリアミド又はこれらの組合せを含む、請求項5記載の限定再生式光記憶媒体。
  7. 7
    前記ポリカーボネート、ポリカーボネート共重合体又はポリカーボネートブレンドがさらに金属触媒を含む、請求項4記載の限定再生式光記憶媒体。
  8. 8
    前記金属触媒がネオデカン酸コバルトを含む、請求項7記載の限定再生式光記憶媒体。
  9. 9
    前記ポリカーボネートが以下の構造式(VI)、(VII)、(VIII)又は(IX)に相当する構造単位を含む、請求項2記載の限定再生式光記憶媒体。 [式中、R 1 及びR 2 は各々独立にH又はC 1 -C 6 アルキルであり、R 3 は、C 4-13 シクロアルキル基、C 1-6 アルキル置換アリール基又はC 4-13 アリール基(縮合環系も包含し、アリール基と縮合していても縮合していなくてもよい。)であり、nは1~4の整数であり、pは1~4の整数である。] [式中、R 4 及びR 5 は各々独立にH又はC 1 -C 6 アルキルであり、R 6 及びR 7 は各々独立にC 1 -C 6 アルキル、フェニル、C 1 -C 6 アルキル置換フェニル又は水素からなる群から選択され、qは1~4の整数であり、sは1~4の整数である。] [式中、R 8 は、二価脂肪族炭化水素基、二価芳香族基及び二価脂肪族エーテル基から選択される。] [式中、R 9 及びR 10 は各々独立に一価炭化水素基又はハロゲン基であり、Xは三価炭化水素基であり、tは0~4の整数であり、uは0~4の整数である。]
  10. 10
    前記構造式(VI)が1,1-ビス(4-ヒドロキシ-3-メチルフェニル)シクロヘキサン又はフルオレニリデン-9-ビス(3-メチル-4-ヒドロキシベンゼン)からなる、請求項9記載の限定再生式光記憶媒体。
Independent claims10