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JP4138745B2

Microelectromechanical apparatus and methods for surface acoustic wave switching

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Expired 11 July 2023, 3.2 years ago.

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29 claims: 4 independent, 25 dependent

  1. 1
    離間された 入力表面弾性波(SAW)トランスデューサと出力SAWトランスデューサと を有する1つの圧電基板と、 前記入力 SAWトランスデューサと前記 出力SAWトランスデューサ と の間に配置された1つの微小電子機械システム(MEMS)スイッチと を備える装置であって、 前記MEMSスイッチは、前 記入力SAWトランスデューサによって生成された S AWを 変化させるべく前記圧電基板と機械的に接触するように 変形可能な、1つの変形可 能部 材を有する装置。
  2. 2
    前記変形可 能部 材 は 、前記SAWを 偏向 させ る 、請求項1に記載の装置。
  3. 3
    前記変形可 能部 材 は 、前記SAWを 偏向 させ るための 1つの格子層をさらに備える、請求項2に記載の装置。
  4. 4
    前記圧電基板の上 または その上部に形成され、かつ 、偏向 された 前記 SAWを吸収するように配置された1つの吸収体をさらに備える、請求項2に記載の装置。
  5. 5
    前記変形可 能部 材 は 、前記SAWを吸収する ための 1つの吸収体層を含む、請求項1に記載の装置。
  6. 6
    前記装置 は 、前記変形可 能部 材 を電磁的に動かす ように配置された1つの作動電極をさらに備える、請求項1に記載の装置。
  7. 7
    前記作動電極 は 、前記変形可 能部 材の下にあって、前記入力SAWトランスデューサと 前記 出力SAWトランスデューサ と を 結ぶ 軸に沿って、前記 圧電 基板 の 表面上に配置される、請求項6に記載の装置。
  8. 8
    前記作動電極 は 、前記変形可 能部 材の下 にある 前記 圧電 基板 の 表面上に配置され、前記入力SAWトランスデューサと 前記 出力SAWトランスデューサとによって画定される1つのSAWパスの少なくとも部分的に外部にある、2つ以上の作動電極部材を含む、請求項6に記載の装置。
  9. 9
    前記入力SAWトランスデューサに電気的に 接続 された1つの第1の電気信号源をさらに備える、請求項1に記載の装置。
  10. 10
    前記MEMSスイッチに電気的に 接続 された1つの第2の電気信号源をさらに備える、請求項9に記載の装置。
  11. 11
    前記出力SAWトランスデューサに電気的に 接続 された1つの電子装置をさらに含む、請求項10に記載の装置。
  12. 12
    1つの圧電基板の1つの表面 上 に存在する、入力 表面弾性波(SAW)トランスデューサ および 出力SAW トランスデューサと、 前記入力 SAWトランスデューサと前記 出力SAWトランスデューサとの間 において 前記 圧電 基板に固定された微小電子機械システム(MEMS)スイッチと を備える装置であって、 前記MEMSスイッチは、 前記 圧電 基板の表面に接触する べく 変形可能な1つの変形可 能部 材と、 前記 圧電 基板の前記表面に形成され、前記変形可 能部 材を電磁的に 動かす ように配置された作動 電極 と を有する装置。
  13. 13
    前記入力SAWトランスデューサに電気的に 接続 された1つの第1の電気信号源と、 前記MEMSスイッチに電気的に 接続 された1つの第2の電気信号源とを更に備える、請求項12に記載の装置。
  14. 14
    前記作動電極 は 、前記入力SAWトランスデューサと 前記 出力SAWトランスデューサ と によって画定される1つのSAWパス内に存在する、請求項12に記載の装置。
  15. 15
    前記作動電極 は 、前記入力 SAWトランスデューサと前記 出力SAWトランスデューサ と によって画定される1つのSAWパスの外部に存在する2つ以上の作動電極部材を含む、請求項12に記載の装置。
  16. 16
    1つの基板 の表 面に沿って進行する 第 1の表面 弾性波 (SAW)を生成する段階と、 1つの微小電子機械システム(MEMS)スイッチ の変形可能部材 を前記基板 の 表面に接触させることによって、前記第1のSAWを選択的に 変化させる 段階と を備え る方 法。
  17. 17
    前記変形 可能 部材の一部として形成された1つの格子を前記基板 の 表面 と 接触させることによっ て前 記第1のSAWを 偏向 させて、 第 2のSAWを形成する段階を備える、請求項16に記載の方法。
  18. 18
    前記第2のSAWを吸収する段階を備える、請求項17に記載の方法。
  19. 19
    前記変形 可能 部材の一部として形成された1つの吸収体層で前記第1のSAWを吸収する段階を備える、請求項16に記載の方法。
  20. 20
    前記基板 の表面上 にあって、前記変形可 能部 材の下にあって、 入力SAWトランスデューサと 出力SAWトランスデューサ と によって画定された1つのSAWパス内に存在する1つの作動電極に対して作動電気信号を 与える ことによって、前記変形可 能部 材を電磁的に 動かして 前記MEMSスイッチを作動させる段階を更に備える、請求項16に記載の方法。
  21. 21
    入力SAWトランスデューサと 出力SAWトランスデューサ と によって画定された1つのSAWパスの少なくとも 部分的に 外部に存在する2つ以上の部材を有する1つの作動電極に対して作動電気信号を 与える ことによって、前記変形可 能部 材を電磁的に 動かす ことによって、前記MEMSスイッチを作動させる段階を更に備える、請求項16に記載の方法。
  22. 22
    前記第1のSAWを生成する段階 は 、 入 力電気信号 を入 力SAWトランスデューサに 与える 段階を備える、請求項16に記載の方法。
  23. 23
    前記変形可 能部 材が前記基板と接触していないとき、 出 力SAWトランスデューサで前記第1のSAWを検出する段階を備える、請求項16に記載の方法。
  24. 24
    出 力電気信号を前記出力SAWトランスデューサで形成する段階と、 前記出力電気信号を処理する段階と を備える、請求項23に記載の方法。
  25. 25
    1つの基板 の 表面 上において入 力表面音波(SAW)を生成する段階と、 前記基板上にある1つの微小電子機械システム(MEMS)スイッチの1つの変形可 能部 材を電磁的に 動かす ことによって、前記変形可 能部 材を 前記基板の表面と接触させて前記入力SAWを変化させる 段階と を備える、切り替え方法。
  26. 26
    前記SAWを 変化させる 段階 は 、前記入力SAWを吸収する段階および 偏向させる 段階のうちの1つを備える、請求項25に記載の切り替え方法。
  27. 27
    前記入力SAWを生成する段階 は 、 電 気信号を1つのSAWトランスデューサに 与える 段階を備える、請求項25に記載の切り替え方法。
  28. 28
    電 気信号を1つの作動電極に提供して、前記変形可 能部 材を電磁的に 動かして変形させることによって 、前記変形可 能部 材を前記基板 の 表面 と 接触させる段階を備える、請求項25に記載の切り替え方法。
  29. 29
    偏向 された S AWを吸収する段階を備える、請求項25に記載の切り替え方法。
Independent claims29