Nova Patents
JP3494841B2

3-group nitride semiconductor

Abstract

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Expired 10 March 2017, 9.5 years ago.

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3 claims: 2 independent, 1 dependent

  1. 1
    【特許請求の範囲】 【請求項1】 n伝導型を示す3族窒化物半導体(Al X1 Ga Y1 In 1-X1-Y1 N;0≦X1≦1, 0≦Y1≦1, 0≦X1+Y1 ≦1)から成るn層と、p伝導型を示す3族窒化物半導体(Al X2 Ga Y2 In 1-X2-Y2 N;0≦X2≦1, 0≦Y2≦1, 0≦X2+Y2 ≦1)から成るp層と、その間に介在する3族窒化物半導体(Al X3 Ga Y3 In 1-X3-Y3 N;0≦X3≦1, 0≦Y3≦1, 0≦X3+Y3 ≦1)から成る発光層がヘテロ接合で形成された3層構造を有する発光素子において、 前記p層に対するニッケル(Ni)から成る電極を有し、 前記発光層には、ドナー不純物とアクセプタ不純物とが添加されていることを特徴とする3族窒化物半導体発光素子。
  2. 2
    【請求項2】 n伝導型を示す3族窒化物半導体(Al X1 Ga Y1 In 1-X1-Y1 N;0 ≦X1≦1, 0≦Y1≦1, 0≦X1+Y1 ≦1)から成るn層と、p伝導型を示す3族窒化物半導体(Al X2 Ga Y2 In 1-X2-Y2 N;0≦X2≦1, 0≦Y2≦1, 0≦X2+Y2 ≦1)から成るp層と、その間に介在する3族窒化物半導体(Al X3 Ga Y3 In 1-X3-Y3 N;0≦X3≦1, 0≦Y3≦1, 0≦X3+Y3 ≦1)から成る発光層がヘテロ接合で形成された3層構造を有する発光素子において、 前記発光層は窒化ガリウム(GaN) 又はアルミニウムを含む3族窒化物半導体(Al x3 Ga Y3 In 1-X3-Y3 N;0 X3≦1, 0≦Y3≦1, 0≦X3+Y3 ≦1)から成り、ドナー不純物とアクセプタ不純物とが添加されており、 前記p層に対するニッケル(Ni)から成る電極を有していることを特徴とする3族窒化物半導体発光素子。
  3. 3
    【請求項3】前記p層と前記電極との間にp-GaN から成るコンタクト層が形成されていることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の3族窒化物半導体発光素子。
Independent claims3