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JP2020004817A

Correction method, substrate processing apparatus, and substrate processing system

Abstract

Problem to be solved.To provide a correction method capable of reducing a burden on an operator. A correction method includes an acquisition step, a generation step, and a correction step. In the acquisition step, at least one execution condition of the execution conditions at the time of etching execution and at least one feature amount indicating the etching execution result are acquired. In the generation step, correction data for correcting at least one of the setting conditions of the substrate processing apparatus 100 is generated based on at least one execution condition and at least one feature amount. In the correction step, the substrate processing apparatus 100 corrects at least one setting condition based on the correction data. [Selection diagram] Fig. 13

JP2020004817A, drawing sheet 1
Sheet 1 of 17

Term

11.8 yearsto projected expiry

Projected expiry 27 June 2038, counted from filing; an application has no term until it is granted.

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  4. Projected expiry

8 claims: 4 independent, 4 dependent

  1. 1
    基板をエッチングする基板処理装置の設定条件を補正する補正方法であって、 前記エッチング実行時の実行条件のうちの少なくとも1つの実行条件と、前記エッチングの実行結果を示す少なくとも1つの特徴量とを取得する取得ステップと、 前記少なくとも1つの実行条件と前記少なくとも1つの特徴量とに基づいて、前記設定条件のうちの少なくとも1つの設定条件を補正する補正データを生成する生成ステップと、 前記基板処理装置が前記補正データに基づいて前記少なくとも1つの設定条件を補正する補正ステップと を含む補正方法。
  2. 2
    前記取得ステップにおいて、機械学習によって生成された学習済みモデルに、前記少なくとも1つの実行条件と前記少なくとも1つの特徴量とが入力され、 前記生成ステップにおいて、前記学習済みモデルから前記補正データが出力される、請求項1に記載の補正方法。
  3. 3
    教師情報を機械学習させて前記学習済みモデルを生成する学習ステップを更に含み、 前記教師情報は、前記少なくとも1つの特徴量が最適な値を示す場合に得た情報であり、前記少なくとも1つの特徴量と、前記少なくとも1つの実行条件と、前記少なくとも1つの設定条件とを含む、請求項2に記載の補正方法。
  4. 4
    前記少なくとも1つの特徴量は、エッチング量と、エッチング量の均一性とのうちの少なくとも一方を含む、請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の補正方法。
  5. 5
    前記基板処理装置は、 前記基板を収容する処理室と、 前記基板をエッチングする処理液を前記基板に向けて吐出する第1ノズルと、 前記第1ノズルに前記処理液を供給する供給流路と、 前記基板から飛散した前記処理液を受ける液受け部と、 前記基板に向けてガスを噴出する第2ノズルと、 前記処理室内へ空気を送るファンフィルタユニットと、 前記処理室から気体を排気する排気ファンと を備え、 前記エッチング実行時の実行条件は、 前記第1ノズルの先端における前記処理液の温度と、 前記第2ノズルの先端における前記ガスの温度と、 前記第1ノズルから前記処理液が吐出する流量と、 前記第2ノズルから前記ガスが噴出する流量と、 前記第1ノズルから前記処理液が吐出を開始するタイミングと、 前記第2ノズルから前記ガスが噴出を開始するタイミングと、 前記第1ノズルからの前記処理液の吐出が停止するタイミングと、 前記第2ノズルからの前記ガスの噴出が停止するタイミングと、 前記第1ノズルから前記処理液が吐出する流量の変更タイミングと、 前記第2ノズルから前記ガスが噴出する流量の変更タイミングと、 前記第1ノズルから前記処理液が吐出する流量の立ち上がり特性と、 前記第2ノズルから前記ガスが噴出する流量の立ち上がり特性と、 前記第1ノズルから前記処理液が吐出する流量の立ち下がり特性と、 前記第2ノズルから前記ガスが噴出する流量の立ち下がり特性と、 前記第1ノズルの先端から前記処理液がボタ落ちしているか否かを示す情報と、 前記供給流路を流れる前記処理液の濃度と、 前記処理液の吐出が停止した後に、前記第1ノズルから前記供給流路の上流側に向けて前記処理液が吸い込まれる速度と、 吸い込まれた前記処理液が停止する位置と、 前記基板を覆う前記処理液の膜厚分布と、 前記第1ノズルの位置と、 前記第1ノズルの移動速度と、 前記第1ノズルの加速度と、 前記第1ノズルの位置の変更タイミングと、 前記第1ノズルの移動速度の変更タイミングと、 前記液受け部への前記処理液の付着の有無を示す情報と、 前記液受け部に付着している前記処理液の量と、 前記基板の回転速度と、 前記基板の加速度と、 前記基板の回転速度の変更タイミングと、 前記基板の表面温度と、 前記基板の偏心量と、 前記基板の面振れ量と、 前記液受け部の位置と、 前記液受け部の移動速度と、 前記液受け部の加速度と、 前記液受け部の位置の変更タイミングと、 前記液受け部の移動速度の変更タイミングと、 前記ファンフィルタユニットが前記処理室内に送る空気の風速と、 前記ファンフィルタユニットが前記処理室内に送る空気の風量と、 前記処理室から排気される気体の風速と、 前記処理室から排気される気体の風量と のうちの少なくとも1つを含む、請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の補正方法。
  6. 6
    前記基板処理装置は、 前記基板を収容する処理室と、 前記基板をエッチングする処理液を前記基板に向けて吐出する第1ノズルと、 前記第1ノズルに前記処理液を供給する第1供給流路と、 前記第1供給流路に接続し、前記処理液が循環する循環流路と、 前記循環流路に前記処理液を供給する第2供給流路と、 前記基板を加熱する加熱部と、 前記基板から飛散した前記処理液を受け止める液受け部と、 前記基板に向けてガスを噴出する第2ノズルと、 前記第2ノズルに前記ガスを供給する第3供給流路と、 前記処理室内へ空気を送るファンフィルタユニットと、 前記処理室から気体を排気する排気ファンと、 前記処理室から排気される気体が流れる排気ダクトと、 前記排気ダクトに設置されたバルブと を備え、 前記基板処理装置の設定条件は、 前記循環流路における前記処理液の温度と、 前記第1供給流路における前記処理液の温度と、 前記第3供給流路における前記ガスの温度と、 前記循環流路における前記処理液の濃度と、 前記第1供給流路における前記処理液の濃度と、 前記第2供給流路の圧力と、 前記第3供給流路の圧力と、 前記循環流路の圧力と、 前記循環流路を流れる前記処理液の流量と、 前記第1ノズルから前記処理液が吐出する流量と、 前記第2ノズルから前記ガスが噴出する流量と、 前記第1ノズルからの前記処理液の吐出を開始させる信号の発生タイミングと、 前記第2ノズルからの前記ガスの噴出を開始させる信号の発生タイミングと、 前記第1ノズルからの前記処理液の吐出を停止させる信号の発生タイミングと、 前記第2ノズルからの前記ガスの噴出を停止させる信号の発生タイミングと、 前記第1ノズルから前記処理液が吐出する流量を変更する信号の発生タイミングと、 前記第2ノズルから前記ガスが噴出する流量を変更する信号の発生タイミングと、 前記第1ノズルから前記処理液が吐出する流量の立ち上がり特性と、 前記第2ノズルから前記ガスが噴出する流量の立ち上がり特性と、 前記第1ノズルから前記処理液が吐出する流量の立ち下がり特性と、 前記第2ノズルから前記ガスが噴出する流量の立ち下がり特性と、 前記処理液の吐出が停止した後に、前記第1ノズルから前記第1供給流路の上流側に向けて前記処理液が吸い込まれる速度と、 吸い込まれた前記処理液が停止する位置と、 前記基板の回転速度と、 前記基板の加速度と、 前記基板の回転速度の変更タイミングと、 前記第1ノズルの位置と、 前記第1ノズルの移動速度と、 前記第1ノズルの加速度と、 前記第1ノズルの位置の変更タイミングと、 前記第1ノズルの移動速度の変更タイミングと、 前記基板を加熱する温度と、 前記液受け部の位置と、 前記液受け部の移動速度と、 前記液受け部の加速度と、 前記液受け部の位置の変更タイミングと、 前記液受け部の移動速度の変更タイミングと、 前記ファンフィルタユニットの差圧と、 前記バルブの差圧と、 前記処理室から排気される気体の風速と、 前記処理室から排気される気体の風量と、 前記処理室内の光量と のうちの少なくとも1つを含む、請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の補正方法。
  7. 7
    基板をエッチングする基板処理装置であって、 前記エッチング実行時の実行条件のうちの少なくとも1つの実行条件と、前記エッチングの実行結果を示す少なくとも1つの特徴量とに基づいて、前記基板処理装置の設定条件のうちの少なくとも1つの設定条件を補正する補正データを生成する制御部を備え、 前記制御部は、前記補正データに基づいて前記少なくとも1つの設定条件を補正する、基板処理装置。
  8. 8
    基板をエッチングする基板処理装置と、前記基板処理装置の設定条件を補正する補正データを出力する補正データ生成装置とを備える基板処理システムであって、 前記補正データ生成装置は、前記エッチング実行時の実行条件のうちの少なくとも1つの実行条件と、前記エッチングの実行結果を示す少なくとも1つの特徴量とに基づいて、前記基板処理装置の設定条件のうちの少なくとも1つの設定条件を補正する補正データを生成する制御部を備え、 前記基板処理装置は、前記補正データに基づいて前記少なくとも1つの設定条件を補正する、基板処理システム。
Independent claims8