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JP2012504841A

Methods and apparatus for soft data generation for memory devices based on performance factor adjustment

Abstract

Provided are methods and devices for soft data generation of memory devices. By obtaining at least one hard reading for at least one soft data value and generating soft data values associated with at least one hard reading based on statistics for reading the hard reading. Generated for memory devices. Hard readings can include one or more of data bits, voltage levels, current levels, and resistance levels. The soft data values generated are (i) the soft readings used to generate one or more log-likelihood ratios and (ii) one or more of one or more log-likelihood ratios. Can include more than one. Statistics include one or more of bit-based and cell-based statistics. The statistics can optionally include pattern-dependent disturbances of at least one aggressor cell with respect to the target cell as well as position-specific statistics. For at least one soft data value, obtaining a soft reading and generating a soft data value related to the soft reading based on the statistics for reading the soft reading, the statistics are position specific. It can be generated for a memory device by generating, including one or more of statistics and pattern-dependent statistics.

JP2012504841A, drawing sheet 1
Sheet 1 of 173

Term

Projected expiry 30 September 2029.

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46 claims: 5 independent, 41 dependent

  1. 1
    メモリ・デバイスの少なくとも1つの軟データ値を生成する方法であって、 少なくとも1つの硬読取値を入手することと、 前記硬読取値を読み取るための統計に基づいて前記少なくとも1つの硬読取値に関連する前記軟データ値を生成することと を含む方法。
  2. 2
    前記硬読取値は、データ・ビット、電圧レベル、電流レベル、および抵抗レベルのうちの1つまたは複数を含む、請求項1に記載の方法。
  3. 3
    前記硬読取値は、軟データおよび硬データのうちの1つまたは複数を含む、請求項1に記載の方法。
  4. 4
    前記軟データ値は、1つまたは複数の対数尤度比を生成するのに使用される軟読取値を含む、請求項1に記載の方法。
  5. 5
    前記軟データ値は、1つまたは複数の対数尤度比を含む、請求項1に記載の方法。
  6. 6
    前記ステップのうちの1つまたは複数は、コントローラ、読取チャネル、信号処理ユニット、およびデコーダのうちの1つまたは複数によって実施される、請求項1に記載の方法。
  7. 7
    前記統計は、少なくとも1つの確率密度関数を含む、請求項1に記載の方法。
  8. 8
    前記統計は、複数のワード線にまたがって平均をとられ、前記平均をとられた統計は、前記軟データ値を生成するのに使用される、請求項1に記載の方法。
  9. 9
    前記統計は、ビット・ベースの統計、セル・ベースの統計、およびパターン依存統計のうちの1つまたは複数を含む、請求項1に記載の方法。
  10. 10
    別々のセル・ベースの統計は、前記メモリ・デバイス内の複数のワード線について維持される、請求項9に記載の方法。
  11. 11
    1つまたは複数の可能なレベルLVL writ に関する前記セル・ベースの統計は、前記書込レベルLVL writ が書き込まれたか復号された時にレベルLVL read が読み取られた確率に基づく、請求項9に記載の方法。
  12. 12
    1つまたは複数の可能なレベルLVL read に関する前記セル・ベースの統計は、前記読取レベルLVL read が読み取られた時にレベルLVL writ が書き込まれたか復号された確率に基づく、請求項9に記載の方法。
  13. 13
    前記メモリ・デバイス内の少なくとも1つのアグレッサ・セルについて格納されたデータを表す値 を入手するステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
  14. 14
    前記値 は、硬データおよび軟データのうちの1つまたは複数を含む、請求項13に記載の方法。
  15. 15
    前記入手するステップは、前記少なくとも1つのアグレッサ・セルを読み取るステップをさらに含む、請求項13に記載の方法。
  16. 16
    前記入手するステップは、前記少なくとも1つのアグレッサ・セルが配置される1つまたは複数のページまたはワード線を読み取るステップをさらに含む、請求項13に記載の方法。
  17. 17
    前記統計は、ターゲット・セルに対する外乱の表示を含む、請求項1に記載の方法。
  18. 18
    前記外乱は、バック・パターン依存、セル間干渉、プログラム妨害、読取妨害、および追加の雑音のうちの1つまたは複数を含む、請求項17に記載の方法。
  19. 19
    前記統計は、ターゲット・セルに対する少なくとも1つのアグレッサ・セルのパターン依存外乱を含む、請求項1に記載の方法。
  20. 20
    1つまたは複数の識別されたパターンに関するおよび1つまたは複数の可能な基準レベルLVL ref に関する前記パターン依存統計は、前記基準レベルLVL ref が復号されたか書き込まれた時にレベルLVL read が読み取られた確率に基づく、請求項19に記載の方法。
  21. 21
    1つまたは複数の識別されたパターンに関するおよび1つまたは複数の可能な読取レベルLVL read に関する前記パターン依存統計は、前記読取レベルLVL read が読み取られた時に基準レベルLVL ref が復号されたか書き込まれた確率に基づく、請求項19に記載の方法。
  22. 22
    前記統計は、位置固有統計を含み、前記軟データ値は、前記メモリ・デバイスの所望の位置について生成される、請求項1に記載の方法。
  23. 23
    少なくとも1つの所有の位置に関するおよび1つまたは複数の可能な基準レベルLVL ref に関する前記位置固有統計は、前記基準レベルLVL ref が復号されたか書き込まれた時にレベルLVL read が前記所望の位置で読み取られた確率に基づく、請求項22に記載の方法。
  24. 24
    少なくとも1つの所有の位置に関するおよび1つまたは複数の可能な読取レベルLVL read に関する前記位置固有統計は、前記読取レベルLVL read が前記所望の位置で読み取られた時に基準レベルLVL ref が復号されたか書き込まれた確率に基づく、請求項22に記載の方法。
  25. 25
    前記統計は、格納されたテーブルおよび式のうちの1つまたは複数として表される、請求項1に記載の方法。
  26. 26
    前記統計は、ガウス近似を使用して表される、請求項1に記載の方法。
  27. 27
    前記軟データ値をデコーダに供給するステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
  28. 28
    前記軟データ値は、前記デコーダに反復して供給される、請求項27に記載の方法。
  29. 29
    前記軟データ値は、前記デコーダに供給され、前記デコーダは、新しい軟データ値を計算し、前記新しい軟データ値は、前記反復プロセスが収束するまで、反復的な形で処理される、請求項28に記載の方法。
  30. 30
    前記メモリ・デバイスは、フラッシュ・メモリ・デバイスである、請求項1に記載の方法。
  31. 31
    前記メモリ・デバイスは、セルあたり少なくとも2つのデータ・レベルsを格納することができる、請求項1に記載の方法。
  32. 32
    前記入手するステップは、セル内の複数のビットを読み取るステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
  33. 33
    前記入手するステップは、ワード線内の1つまたは複数のページを読み取るステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
  34. 34
    前記統計は、確率と確率分布の平均または分散とのうちの1つまたは複数を含む、請求項1に記載の方法。
  35. 35
    前記軟データ値は、 として計算される1つまたは複数の対数尤度比を含み、ここで、 は、レベルsが前記メモリ・デバイスに書き込まれたという条件で前記硬読取値 が読み取られる確率である、請求項1に記載の方法。
  36. 36
    前記軟データ値は、 として計算される1つまたは複数の対数尤度比を含み、ここで、 は、前記硬読取値 が読み取られるという条件でレベルsが前記メモリ・デバイスに書き込まれた確率である、請求項1に記載の方法。
  37. 37
    前記軟データ値は、 として計算される1つまたは複数の対数尤度比を含み、ここで、 は、レベルsが前記メモリ・デバイスに書き込まれたという条件で、前記硬読取値 が読み取られ、パターン が1つまたは複数のアグレッサ・セルに格納される確率である、請求項1に記載の方法。
  38. 38
    前記軟データ値は、 として計算される1つまたは複数の対数尤度比を含み、ここで、 は、前記硬読取値 が読み取られ、1つまたは複数のアグレッサ・セル内のパターンが、 であるという条件でレベルsが前記メモリ・デバイスに書き込まれた確率である、請求項1に記載の方法。
  39. 39
    前記軟データ値は、 として計算される1つまたは複数の対数尤度比を含む、請求項1に記載の方法。
  40. 40
    前記軟データ値は、 として計算される1つまたは複数の対数尤度比を含み、ここで、複数の状態の電圧分布は、実質的に類似する標準偏差σ(s)=σを有する、請求項1に記載の方法。
  41. 41
    前記軟データ値は、 として計算される1つまたは複数の対数尤度比を含み、ここで、複数の状態の電圧分布は、実質的に類似する標準偏差σ(s)=σを有する、請求項1に記載の方法。
  42. 42
    前記軟データ値は、 として計算される1つまたは複数の対数尤度比を含む、請求項1に記載の方法。
  43. 43
    メモリ・デバイスの少なくとも1つの軟データ値を生成する方法であって、 軟読取値を入手することと、 前記軟読取値を読み取るための統計に基づいて前記軟読取値に関連する前記軟データ値を生成することであって、前記統計は、位置固有統計およびパターン依存統計のうちの1つまたは複数を含む、生成することと を含む方法。
  44. 44
    前記軟読取値は、デコーダから入手される、請求項43に記載の方法。
  45. 45
    メモリ・デバイスの少なくとも1つの軟データ値を生成するシステムであって、前記システムは、 メモリと、 前記メモリに結合され、 少なくとも1つの硬読取値を入手し、 前記硬読取値を読み取るための統計に基づいて前記少なくとも1つの硬読取値に関連する前記軟データ値を生成する ように動作可能な少なくとも1つのプロセッサと を含む、システム。
  46. 46
    メモリ・デバイスの少なくとも1つの軟データ値を生成するシステムであって、前記システムは、 メモリと、 前記メモリに結合され、 軟読取値を入手し、 前記軟読取値を読み取るための統計に基づいて前記軟読取値に関連する前記軟データ値を生成する ように動作可能な少なくとも1つのプロセッサであって、前記統計は、位置固有統計およびパターン依存統計のうちの1つまたは複数を含む、少なくとも1つのプロセッサと を含む、システム。
Independent claims46