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ES2646945T3

Plasma deposition process with removal of substrate tube

Abstract

Process for manufacturing a precursor for a primary preform for optical fibers by means of an internal plasma deposition process, the process of which comprises the steps of: i) providing a hollow substrate tube; ii) creating inside said hollow substrate tube a first plasma reaction zone having first reaction conditions by means of electromagnetic radiation to effect the deposition of unglazed silica layers on the inner surface of said hollow substrate tube , and subsequently; iii) creating inside said hollow substrate tube a second plasma reaction zone having second reaction conditions by means of electromagnetic radiation to effect the deposition of vitrified silica layers on the unglazed silica layers deposited in the stage ii); iv) remove the hollow substrate tube from the vitrified silica layers deposited in stage iii) and from the vitrified silica layers deposited in stage ii) to obtain a deposited tube.

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14 claims: 10 independent, 4 dependent

  1. 1
    ES 2 646 945 T3 REIVINDICACIONES 1. Procedimiento para fabricar un precursor para una preforma primaria para fibras ópticas por medio de un proceso de deposición de plasma interno, cuyo procedimiento comprende las etapas de:i) proporcionar un tubo de substrato hueco;ii) crear en el interior de dicho tubo de substrato hueco una primera zona de reacción de plasma que tiene primeras condiciones de reacción por medio de radiación electromagnética para efectuar la deposición de capas de sílice sin vitrificar sobre la superficie interna de dicho tubo de substrato hueco, y posteriormente;iii) crear en el interior de dicho tubo de substrato hueco una segunda zona de reacción de plasma que tiene segundas condiciones de reacción por medio de radiación electromagnética para efectuar la deposición de capas de sílice vitrificada sobre las capas de sílice sin vitrificar depositadas en la etapa ii);iv) eliminar el tubo de substrato hueco de las capas de sílice vitrificada depositadas en la etapa iii) y de las capas de sílice sin vitrificar depositadas en la etapa ii) para obtener un tubo depositado.
  2. 2
    Procedimiento de acuerdo con la reivindicación 1, que comprende una etapa adicional v) llevada a cabo después de la etapa iv), consistiendo la etapa v) en someter el tubo depositado obtenido en la etapa iv) a un tratamiento de colapsado para formar una preforma primaria.
  3. 3
    Procedimiento de acuerdo con la reivindicación 1 o 2, que comprende una etapa adicional vi) llevada a cabo después de la etapa iv) o de la etapa v) consistente en:proporcionar externamente a dicho tubo depositado de la etapa iv) o dicha preforma primaria de la etapa v) con una cantidad adicional de vidrio.
  4. 4
    Procedimiento de acuerdo con una cualquiera de las reivindicaciones precedentes, en el que durante la etapa iv) el tubo de substrato es eliminado mecánicamente.
  5. 5
    Procedimiento de acuerdo con una cualquiera de las reivindicaciones precedentes, en el que las primeras condiciones de reacción comprenden una presión superior a 30 milibares, preferiblemente superior a 60 milibares.
  6. 6
    Procedimiento de acuerdo con una cualquiera de las reivindicaciones precedentes, en el que las primeras condiciones de reacción comprenden una presión inferior a 1000 milibares, preferiblemente inferior a 200 milibares.
  7. 7
    Procedimiento de acuerdo con una cualquiera de las reivindicaciones precedentes, en el que las segundas condiciones de reacción comprenden una presión de entre 1 y 25 milibares, preferiblemente entre 5 y 20 milibares, más preferiblemente entre 10 y 15 milibares.
  8. 8
    Procedimiento según una cualquiera de las reivindicaciones precedentes, en el que como tubo de substrato proporcionado en la etapa i) se utiliza un tubo de substrato que no es de cuarzo, preferiblemente un tubo de substrato de alúmina.
  9. 9
    Procedimiento de acuerdo con una cualquiera de las reivindicaciones precedentes, en el que en la etapa ii) se depositan entre 1 y 500 capas de sílice sin vitrificar.
  10. 10
    Procedimiento de acuerdo con una cualquiera de las reivindicaciones precedentes, en el que las capas de sílice sin vitrificar tienen cada una, independientemente, un espesor de entre 1 y 5 micrómetros, preferiblemente de entre 2 y 3 micrómetros.
  11. 11
    Procedimiento de acuerdo con una cualquiera de las reivindicaciones precedentes, en el que las capas de sílice sin vitrificar que se depositan en total tienen un espesor de entre 1 y 1000 micrómetros.
  12. 12
    Procedimiento de acuerdo con una cualquiera de las reivindicaciones 1 o 3 a 11, en el que el precursor para una preforma primaria es un tubo de substrato.
  13. 13
    Procedimiento de acuerdo con una cualquiera de las reivindicaciones 1 o 3 a 11, en el que el precursor para una preforma primaria se utiliza como tubo de substrato para la fabricación de una preforma primaria por medio de un proceso de deposición interna asistida por plasma.
  14. 14
    Procedimiento de acuerdo con una cualquiera de las reivindicaciones precedentes, en el que la radiación electromagnética utilizada son microondas. ES 2 646 945 T3 REFERENCIAS CITADAS EN LA DESCRIPCIÓN La lista de referencias citada por el solicitante lo es solamente para utilidad del lector, no formando parte de los documentos de patente europeos. Aún cuando las referencias han sido cuidadosamente recopiladas, no pueden 5 excluirse errores u omisiones y la OEP rechaza toda responsabilidad a este respecto. Documentos de patente citados en la descripción • US 4314833 A[0011] • EP 0554845 A[0015] • WO 9935304 A [0012] • US 6988380 B [0016]
Independent claims14