EP4239370A2

Light module and lidar device comprising at least one such light module

Abstract

The light module has a carrier (TR) with circuit die, with a light-emitting diode die (D1D) and a charge storage component (LSBT) associated therewith being electrically connected on top (TRO) of the carrier (TR) by means of die-to-die bonding with the conduction path connection fields (TAF1, TAF2) of a transistor (Tdis) are connected. The electrical connection between the two dies and the conduction path (LPF) of the transistor (Tdis) is as short as possible. On top of the two dies there is a connection field (DAF2, LAF2), which are connected to each other with a short bonding wire (BD1). This discharge circuit is optimized with regard to the reduction of parasitic inductances and ohmic resistances. The charge storage component (LSBT) is charged by means of a charging circuit (B1), which is electrically connected to the charge storage component (LSBT) via a second bonding wire (BD2). The second bonding wire (BD2) is longer than the first bonding wire (BD1). The light module can be part of a LIDAR device, which can have a special optical system. The driver circuit for the transistor (Tdis) can also be designed in a special way.

EP4239370A2, drawing sheet 1
Sheet 1 of 48

Term

14.3 yearsto projected expiry

Projected expiry 7 January 2041, counted from filing; an application has no term until it is granted.

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10 claims: 4 independent, 6 dependent

  1. 1
    Integrierte elektrische Schaltung zum Schalten elektrischer Ströme, mit - einem Die, - einem in dem Die in Analog-Schaltungstechnik ausgeführten, spannungsgesteuerten, einen Gesamtsteueranschluss und einen Gesamtleitungspfad aufweisenden Gesamttransistor zum Leiten eines elektrischen Stroms über den Gesamtleitungspfad und zum Sperren des Stroms, - wobei sich der Gesamtsteueranschluss über eine Steueranschluss-Gesamtfläche des Die erstreckt, - einer in dem Die in Digital-Schaltungstechnik ausgeführten Treiberschaltung zum Ansteuern des Gesamtsteueranschlusses des Gesamttransistors zum Leiten und Sperren des Stroms, - wobei jeder Einzeltransistor einen Einzelsteueranschluss aufweist und sich die Einzelsteueranschlüsse der Einzeltransistoren jeweils über SteueranschlussEinzelflächen des Die erstrecken, die gleich groß oder gleichmäßig über die Steueranschluss-Gesamtfläche des Gesamttransistors verteilt sind, - wobei die Treiberschaltung eine Vielzahl von Einzeltreiberschaltungen mit jeweils einem Eingang und u Ausgängen, mit u als ganze natürliche Zahl größer als oder gleich 2, aufweist, die hierarchisch in verschiedene Stufen unterteilt sind, wobei der Ausgang einer Einzeltransistorschaltung einer i-ten Stufe, mit i gleich 1 bis v und v als ganze natürliche Zahl größer als oder gleich 2, mit den Eingängen von u Einzeltreiberschaltungen der (i+1)-ten Stufe, verbunden ist, - wobei die Anordnung aus einer Einzeltreiberschaltung der i-ten Stufe und den Einzeltreiberschaltungen der (i+1)-ten Stufe, deren Eingänge mit den Ausgängen der Einzeltreiberschaltung der i-ten Stufe verbunden sind, eine selbstähnliche Struktur bildet - wobei die selbstähnlichen Strukturen einer i-ten Stufe flächenmäßig größer ist als die selbstähnlichen Strukturen einer (i+1)-ten Stufe und die selbstähnlichen Strukturen der i-ten Stufe mit einer (i+1)-ten Stufe mit der selbstähnlichen Struktur einer i-ten Stufe, aus der sie hervorgegangen ist, ineinander verschachtelt sind, und - wobei die Ausgänge der Einzeltreiberschaltungen der v-ten Stufe mit den Steueranschlusseinzelflächen der Einzeltransistoren verbunden sind.
  2. 2
    Integrierte elektrische Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass jede Einzeltreiberschaltung einen Eingang und vier Ausgänge aufweist, dass jede der Einzeltreiberschaltungen der i-ten Stufe und die vier Einzeltreiberschaltungen der (i+1)-ten Stufe mitsamt der elektrischen Verbindung der vier Ausgänge der Einzeltreiberschaltung der i-ten Stufe mit den Eingängen der vier Einzeltreiberschaltungen der (i+1)-ten Stufe eine H-förmige Struktur bildet, wobei die Einzeltreiberschaltungen der (i+1)-ten Stufe an den vier Enden der H-förmigen Struktur angeordnet sind und die Einzeltreiberschaltung der i-ten Stufe in der Mitte zwischen den vier Enden angeordnet ist, und dass die H-förmigen Strukturen von Stufe zu Stufe die gleiche Ausrichtung aufweisen.
  3. 3
    Integrierte elektrische Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass jede Einzeltreiberschaltung einen Eingang und zwei Ausgänge aufweist, dass jede der Einzeltreiberschaltung der i-ten Stufe in der Mitte zwischen den beiden Einzeltreiberschaltungen der (i+1)-ten Stufe angeordnet ist sowie mitsamt der elektrischen Verbindung der beiden Ausgänge der Einzeltreiberschaltung der i-ten Stufe mit den Eingängen der beiden Einzeltreiberschaltungen der (i+1)-ten Stufe eine geradlinige Struktur bildet und dass diese selbstähnlichen Strukturen von Stufe zu Stufe jeweils um 90° verdreht zueinander sind.
  4. 4
    Integrierte elektrische Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Einzeltreiberschaltungen als Inverterschaltungen ausgebildet sind und dass die Einzeltransistoren als Leistungstransistoren, insbesondere MOSFET, ausgebildet sind.
  5. 5
    Integrierte elektrische Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 4 zur Verwendung bei einem oder mehreren Lichtmodulen, wobei das Lichtmodul oder jedes - einem mit einer Oberseite (TRO) versehenen Träger (TR), in dem ein Schaltungs-Die mit integrierten Schaltungen angeordnet ist, - wobei das Schaltungs-Die eine Oberseite aufweist, - einem in der Oberseite des Schaltungs-Dies ausgebildeten Transistor (T dis ), insbesondere Leistungstransistor, - wobei der Transistor (T dis ) einen leitend oder sperrend schaltbaren Leitungspfad (LPF) mit einem ersten Endbereich (LPF1) und einem zweiten Endbereich (LPF2) aufweist, von denen der erste Endbereich (LPF1) mit einem ersten Leitungspfad-Anschlussfeld (TAF1) und der zweite Endbereich (LPF2) mit einem zweiten Leitungspfad-Anschlussfeld (TAF2) elektrisch verbunden ist, die beide an der Oberseite (TRO) des Trägers (TR) freiliegen, und wobei der Transistor (T dis ) einen Steueranschluss (GT dis ) zum Leitend- und Sperrendschalten des Leitungspfad (LPF) aufweist, - einem eine Leuchtdiode aufweisenden Leuchtdioden-Die (D1D), insbesondere einem eine Laserdiode aufweisenden Leuchtdioden-Die, mit einer ein erstes Anschlussfeld (DAF1) aufweisenden Unterseite und einer ein zweites Anschlussfeld (DAF2) aufweisenden Oberseite, - wobei das Leuchtdioden-Die (D1D) mit seinem ersten Anschlussfeld (DAF1) auf dem ersten Leitungspfad-Anschlussfeld (TAF1) des Transistors (T dis ) liegend angeordnet ist und diese beiden Anschlussfelder elektrisch miteinander verbunden sind, - einem einen Ladungsspeicher (C1 bis Cn) aufweisenden Ladungsspeicherbauteil (LSBT), das eine ein erstes Anschlussfeld (LAF1) aufweisende Unterseite und eine ein zweites Anschlussfeld (LAF2) aufweisende Oberseite aufweist, - wobei das Ladungsspeicherbauteil (LSBT) mit seinem ersten Anschlussfeld (LAF1) auf dem zweiten Leitungspfad-Anschlussfeld (TAF2) des Transistors (T dis ) liegend angeordnet ist und diese beiden Anschlussfelder elektrisch miteinander verbunden sind, - mindestens einem ersten Bonddraht (BD1), der das zweite Anschlussfeld (DAF1) des Leuchtdioden-Dies (D1D) elektrisch mit dem zweiten Anschlussfeld (LAF2) des Ladungsspeicherbauteils (LSBT) verbindet, - einer in dem Schaltungs-Die integrierten, einen Ausgang aufweisenden Aufladeschaltung (B1 bis Bn) zum Aufladen des Ladungsspeicherbauteils (LSBT) mit elektrischer Ladung und - einer in dem Schaltungs-Die integrierten Steuerschaltung (CTR) zur Ansteuerung des Transistors (T dis ) und der Aufladeschaltung (B1 bis Bn), - wobei der Aufladeschaltung (B1 bis Bn) ein an der Oberseite (TRO) des Trägers (TR) freiliegendes Ladungsanschlussfeld (AF) zugeordnet ist, mit dem der Ausgang der Aufladeschaltung (B1 bis Bn) elektrisch verbunden ist, - wobei das Ladungsanschlussfeld (AF) der Aufladeschaltung (B1 bis Bn) mit dem zweiten Anschlussfeld (LAF2) des Ladungsspeicherbauteils (LSBT) über mindestens einen zweiten Bonddraht (BD2) elektrisch verbunden ist, und - wobei die Steuerschaltung (CTR) die Aufladeschaltung (B1 bis Bn) zum Laden des Ladungsspeicherbauteils (LSBT) bis zu einem für die Erzeugung eines Lichtpulses durch das Leuchtdioden-Die (D1D) erforderlichen Aufladungsgrad ansteuert und danach den Transistor (T dis ) zum Leitendschalten seines Leitungspfades (LPF) ansteuert.
  6. 6
    Integrierte elektrische Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 4 zur Verwendung bei einer LIDAR-Vorrichtung, die versehen ist mit mindestens einem Lichtmodul, wobei das Lichtmodul versehen ist mit - einem mit einer Oberseite (TRO) versehenen Träger (TR), in dem ein Schaltungs-Die mit integrierten Schaltungen angeordnet ist, - wobei das Schaltungs-Die eine Oberseite aufweist, - einem in der Oberseite des Schaltungs-Dies ausgebildeten Transistor (T dis ), insbesondere Leistungstransistor, - wobei der Transistor (T dis ) einen leitend oder sperrend schaltbaren Leitungspfad (LPF) mit einem ersten Endbereich (LPF1) und einem zweiten Endbereich (LPF2) aufweist, von denen der erste Endbereich (LPF1) mit einem ersten Leitungspfad-Anschlussfeld (TAF1) und der zweite Endbereich (LPF2) mit einem zweiten Leitungspfad-Anschlussfeld (TAF2) elektrisch verbunden ist, die beide an der Oberseite (TRO) des Trägers (TR) freiliegen, und wobei der Transistor (T dis ) einen Steueranschluss (GT dis ) zum Leitend- und Sperrendschalten des Leitungspfad (LPF) aufweist, - einem eine Leuchtdiode aufweisenden Leuchtdioden-Die (D1D), insbesondere einem eine Laserdiode aufweisenden Leuchtdioden-Die, mit einer ein erstes Anschlussfeld (DAF1) aufweisenden Unterseite und einer ein zweites Anschlussfeld (DAF2) aufweisenden Oberseite, - wobei das Leuchtdioden-Die (D1D) mit seinem ersten Anschlussfeld (DAF1) auf dem ersten Leitungspfad-Anschlussfeld (TAF1) des Transistors (T dis ) liegend angeordnet ist und diese beiden Anschlussfelder elektrisch miteinander verbunden sind, - einem einen Ladungsspeicher (C1 bis Cn) aufweisenden Ladungsspeicherbauteil (LSBT), das eine ein erstes Anschlussfeld (LAF1) aufweisende Unterseite und eine ein zweites Anschlussfeld (LAF2) aufweisende Oberseite aufweist, - wobei das Ladungsspeicherbauteil (LSBT) mit seinem ersten Anschlussfeld (LAF1) auf dem zweiten Leitungspfad-Anschlussfeld (TAF2) des Transistors (T dis ) liegend angeordnet ist und diese beiden Anschlussfelder elektrisch miteinander verbunden sind, - mindestens einem ersten Bonddraht (BD1), der das zweite Anschlussfeld (DAF1) des Leuchtdioden-Dies (D1D) elektrisch mit dem zweiten Anschlussfeld (LAF2) des Ladungsspeicherbauteils (LSBT) verbindet, - einer in dem Schaltungs-Die integrierten, einen Ausgang aufweisenden Aufladeschaltung (B1 bis Bn) zum Aufladen des Ladungsspeicherbauteils (LSBT) mit elektrischer Ladung und - einer in dem Schaltungs-Die integrierten Steuerschaltung (CTR) zur Ansteuerung des Transistors (T dis ) und der Aufladeschaltung (B1 bis Bn), - wobei der Aufladeschaltung (B1 bis Bn) ein an der Oberseite (TRO) des Trägers (TR) freiliegendes Ladungsanschlussfeld (AF) zugeordnet ist, mit dem der Ausgang der Aufladeschaltung (B1 bis Bn) elektrisch verbunden ist, - wobei das Ladungsanschlussfeld (AF) der Aufladeschaltung (B1 bis Bn) mit dem zweiten Anschlussfeld (LAF2) des Ladungsspeicherbauteils (LSBT) über mindestens einen zweiten Bonddraht (BD2) elektrisch verbunden ist, und - wobei die Steuerschaltung (CTR) die Aufladeschaltung (B1 bis Bn) zum Laden des Ladungsspeicherbauteils (LSBT) bis zu einem für die Erzeugung eines Lichtpulses durch das Leuchtdioden-Die (D1D) erforderlichen Aufladungsgrad ansteuert und danach den Transistor (T dis ) zum Leitendschalten seines Leitungspfades (LPF) ansteuert, - mehreren Leuchtdioden-Dies (D1D) und mehreren Ladungsspeicherbauteilen (LSBT), - wobei jedem Leuchtdioden-Die (D1D) ein Ladungsspeicherbauteil (LSBT) zugeordnet ist, - wobei die Oberseite (TRO) des Trägers (TR) für jedes Leuchtdioden-Die (D1D) ein freiliegendes erstes Leitungspfad-Anschlussfeld (TAF1), das elektrisch mit dem ersten Endbereich (LPF1) des Leitungspfads (LPF) des Transistors (T dis ) verbunden ist, und für jedes Ladungsspeicherbauteil (LSBT) ein freiliegendes zweites Leitungspfad-Anschlussfeld (TAF2) aufweist, das elektrisch mit dem zweiten Endbereich (LPF2) des Leitungspfads (LPF) des Transistors (T dis ) verbunden ist, - wobei in dem Schaltungs-Die für jedes Ladungsspeicherbauteil (LSBT) eine diesem zugeordnete Aufladeschaltung (B1 bis Bn) integriert ist und an der Oberseite (TRO) des Trägers (TR) für jede Aufladeschaltung (B1 bis Bn) ein Ladungsanschlussfeld (AF) freiliegend angeordnet ist, - wobei jedes Leuchtdioden-Die (D1D) mit seinem ersten Anschlussfeld (DAF1) auf dem zugeordneten ersten Leitungspfad-Anschlussfeld (TAF1) des Transistors (T dis ) aufliegend angeordnet ist und diese beiden Anschlussfelder elektrisch miteinander verbunden sind, - wobei jedes Ladungsspeicherbauteil (LSBT) mit seinem ersten Ladungsanschlussfeld (LAF1) auf dem zugeordneten zweiten Leitungspfad-Anschlussfeld (TAF2) des Transistors (T dis ) aufliegend angeordnet ist und diese beiden Anschlussfelder elektrisch miteinander verbunden sind, - wobei das zweite Anschlussfeld (DAF2) jedes Leuchtdioden-Dies (D1D) mit dem zweiten Anschlussfeld (LAF2) des dem jeweiligen Leuchtdioden-Die (D1D) zugeordneten Ladungsspeicherbauteils (LSBT) mittels mindestens eines ersten Bonddrahts (BD1) verbunden ist, - wobei das Ladungsanschlussfeld (AF) jeder Aufladeschaltung (B1 bis Bn) mit dem zweiten Anschlussfeld (LAF2) des der jeweiligen Aufladeschaltung (B1 bis Bn) zugeordneten Ladungsspeicherbauteils (LSBT) mittels mindestens eines zweiten Bonddrahts (BD2) verbunden ist und - wobei die Steuerschaltung (CTR) die Aufladeschaltungen (B1 bis Bn) sequentiell zum Laden der jeweiligen Ladungsspeicherbauteile (LSBT) bis zu einen für die Erzeugung eines Lichtpulses durch die dem jeweiligen Ladungsspeicherbauteil (LSBT) zugeordneten Leuchtdioden-Dies (D1D) erforderlichen Aufladungsgrad ansteuert und vor der Ansteuerung der nächsten Aufladeschaltung (B1 bis Bn) den Transistor (T dis ) zum Leitendschalten seines Leitungspfads (LPF) ansteuert, - wobei von jedem Leuchtdioden-Die (D1D) jedes Lichtmoduls bei Ansteuerung des betreffenden Leuchtdioden-Dies (D1D) ein Lichtstrahl mit einem ellipsen-oder ovalförmigen Lichtstrahlquerschnitt mit einer ersten Halbachse und mit einer gegenüber der ersten Halbachse längeren zweiten Halbachse oder mit einem kreisförmigen Querschnitt ausgeht, - einem Senderoptikelement (SLE) zur Aufweitung des Lichtstrahls jedes der Leuchtdioden-Dies durch Streckung des ellipsen- oder ovalförmigen Lichtstrahlquerschnitts entlang der zweiten Halbachse und Stauchung des Lichtstrahlquerschnitts entlang der ersten Halbachse oder umgekehrt zu einem auf den abzutastenden Raum gerichteten Lichtstrahlfächer mit einem linienartigen und/oder schlitzartigen Querschnitt oder durch Streckung des kreisförmigen Lichtstrahlquerschnitts zu einem auf den abzutastenden Raum gerichteten Lichtstrahlfächer mit einem linienartigen und/oder schlitzartigen Querschnitt, - wobei die von den nebeneinander angeordneten Leuchtdioden-Dies (D1D) erzeugten kegelförmigen Lichtstrahlen als Lichtstrahlfächer unter unterschiedlichen Winkeln in den Raum gelangen, - einem Fotosensor (S) mit einer Vielzahl von Fotodetektoren, die in einer der Gesamtzahl der Leuchtdioden-Dies (D1D) des mindestens einen Lichtmoduls gleichenden Anzahl von Zeilen oder Spalten angeordnet sind, wobei jede Zeile oder Spalte die gleiche Anzahl von Fotodetektoren aufweist, - einem Empfängeroptikelement (EL) zum Richten von potentiellem Reflexionslicht aus dem abzutastenden Raum auf den Fotosensor (S), wobei auf Grund des jeweiligen Lichtstrahlfächers potentiell entstehendes Reflexionslicht auf eine andere der mehreren Zeilen oder Spalten von Fotodetektoren des Fotosensors auftrifft, und - einer Auswerteeinheit zur Auswertung von Signalen der Fotodetektoren zur Ermittlung von Abstandsinformationen und/oder zur Ermittlung eines Abstandsbildes des abzutastenden Raums.
  7. 7
    Optikeinheit für eine LIDAR-Vorrichtung, wobei die LIDAR-Vorrichtung versehen ist mit - einem oder mehreren Lichtmodulen, wobei das Lichtmodul oder jedes Lichtmodul versehen ist mit, - einem mit einer Oberseite (TRO) versehenen Träger (TR), in dem ein Schaltungs-Die mit integrierten Schaltungen angeordnet ist, - wobei das Schaltungs-Die eine Oberseite aufweist, - einem in der Oberseite des Schaltungs-Dies ausgebildeten Transistor (T dis ), insbesondere Leistungstransistor, - wobei der Transistor (T dis ) einen leitend oder sperrend schaltbaren Leitungspfad (LPF) mit einem ersten Endbereich (LPF1) und einem zweiten Endbereich (LPF2) aufweist, von denen der erste Endbereich (LPF1) mit einem ersten Leitungspfad-Anschlussfeld (TAF1) und der zweite Endbereich (LPF2) mit einem zweiten Leitungspfad-Anschlussfeld (TAF2) elektrisch verbunden ist, die beide an der Oberseite (TRO) des Trägers (TR) freiliegen, und wobei der Transistor (T dis ) einen Steueranschluss (GT dis ) zum Leitend- und Sperrendschalten des Leitungspfad (LPF) aufweist, - einem eine Leuchtdiode aufweisenden Leuchtdioden-Die (D1D), insbesondere einem eine Laserdiode aufweisenden Leuchtdioden-Die, mit einer ein erstes Anschlussfeld (DAF1) aufweisenden Unterseite und einer ein zweites Anschlussfeld (DAF2) aufweisenden Oberseite, - wobei das Leuchtdioden-Die (D1D) mit seinem ersten Anschlussfeld (DAF1) auf dem ersten Leitungspfad-Anschlussfeld (TAF1) des Transistors (T dis ) liegend angeordnet ist und diese beiden Anschlussfelder elektrisch miteinander verbunden sind, - einem einen Ladungsspeicher (C1 bis Cn) aufweisenden Ladungsspeicherbauteil (LSBT), das eine ein erstes Anschlussfeld (LAF1) aufweisende Unterseite und eine ein zweites Anschlussfeld (LAF2) aufweisende Oberseite aufweist, - wobei das Ladungsspeicherbauteil (LSBT) mit seinem ersten Anschlussfeld (LAF1) auf dem zweiten Leitungspfad-Anschlussfeld (TAF2) des Transistors (T dis ) liegend angeordnet ist und diese beiden Anschlussfelder elektrisch miteinander verbunden sind, - mindestens einem ersten Bonddraht (BD1), der das zweite Anschlussfeld (DAF1) des Leuchtdioden-Dies (D1D) elektrisch mit dem zweiten Anschlussfeld (LAF2) des Ladungsspeicherbauteils (LSBT) verbindet, - einer in dem Schaltungs-Die integrierten, einen Ausgang aufweisenden Aufladeschaltung (B1 bis Bn) zum Aufladen des Ladungsspeicherbauteils (LSBT) mit elektrischer Ladung und - einer in dem Schaltungs-Die integrierten Steuerschaltung (CTR) zur Ansteuerung des Transistors (T dis ) und der Aufladeschaltung (B1 bis Bn), - wobei der Aufladeschaltung (B1 bis Bn) ein an der Oberseite (TRO) des Trägers (TR) freiliegendes Ladungsanschlussfeld (AF) zugeordnet ist, mit dem der Ausgang der Aufladeschaltung (B1 bis Bn) elektrisch verbunden ist, - wobei das Ladungsanschlussfeld (AF) der Aufladeschaltung (B1 bis Bn) mit dem zweiten Anschlussfeld (LAF2) des Ladungsspeicherbauteils (LSBT) über mindestens einen zweiten Bonddraht (BD2) elektrisch verbunden ist, und - wobei die Steuerschaltung (CTR) die Aufladeschaltung (B1 bis Bn) zum Laden des Ladungsspeicherbauteils (LSBT) bis zu einem für die Erzeugung eines Lichtpulses durch das Leuchtdioden-Die (D1D) erforderlichen Aufladungsgrad ansteuert und danach den Transistor (T dis ) zum Leitendschalten seines Leitungspfades (LPF) ansteuert, - wobei jedes Leuchtdioden-Die (D1D) einen Lichtstrahl mit einem elliptischen oder kreisförmigen Querschnitt aussendet, - wobei jeder Lichtstrahl eine Lichtstrahlachse aufweist, - wobei die Lichtstrahlachsen im Wesentlichen in einer gemeinsamen Lichtstrahlachsenebene liegen und die Lichtstrahlachsenebene eine optische Achse definiert, - einer auf der optischen Achse der Lichtstrahlachsenebene angeordneten Linse, die jeden Lichtstrahl in zur Laserstrahlachsenebene senkrechter Richtung aufweitet, so dass sich für jeden der Lichtstrahlen ein Lichtfächer in einer Lichtfächerebene senkrecht zur Lichtstrahlachsenebene ergibt, - einem Fotosensor (S) mit einem Fotodetektor-Array, das mehrere Fotodetektorzeilen mit jeweils einer Vielzahl von Fotodetektorpixeln aufweist, und - einer Abbildungsoptik zur reellen optischen Abbildung einer von den Lichtfächern beleuchteten Szene auf den Fotosensor (S), - wobei die Abbildungsoptik die Projektion der Lichtstrahlfächer im Fernfeld auf eine ideal homogen weiße und/oder im Wesentlichen ideal diffus einheitlich und gleichmäßig reflektierende Projektionsebene senkrecht zur optischen Achse der Lichtstrahlachsenebene in Form eines Projektionsbildes der Lichtstrahlfächer auf den Fotosensor (S) als Abbildungsbild der Szene abbildet, - wobei - die Linse so ausgeformt ist, dass der Wert der Beleuchtungsintensität eines ersten Ausschnitts der Abbildung der Projektion eines ersten Lichtstrahlfächers auf ein erstes Fotodetektorpixel des Fotodetektor-Array des Fotosensors (S) vom Wert der Beleuchtungsintensität eines vom ersten Ausschnitt verschiedenen zweiten Ausschnitts der Abbildung der Projektion des ersten Lichtstrahlfächers auf ein vom ersten Fotodetektorpixel verschiedenes zweites Fotodetektorpixel oder eines zweiten Lichtstrahlfächers auf ein vom ersten Fotodetektorpixel verschiedenes zweites Fotodetektorpixel des Fotodetektor-Array des Fotosensors (S) um nicht mehr als 10% oder um nicht mehr als 5% oder um nicht mehr als 2% abweicht, - die Linse eine erste Oberfläche und eine dieser abgewandte zweite Oberfläche aufweist, - die erste Oberfläche definiert ist durch eine Funktion der Form z = RY + AR 2 * x 2 + AR 3 * x 3 − Sign RY * Sqrt RY2 − y2 + PB 2 * x 2 + PB 3 * x 3 + PB 4 * x4 + PB 6 * x 6 + PC 2 * x 2 + PC 3 * x 3 mit RY = R 0 Y + AR 2 * x 2 + AR 3 * x 3 , Sign() als Signum-Funktion eines Funktionsparameters, Sqrt() als Wurzel eines Funktionsparameters, x für einen Punkt entlang der Breite der Linse, y für einen Punkt entlang der Höhe der Linse, z für einen Punkt entlang der Dicke und damit entlang der optischen Achse der Linse, ausgehend von x-y-Mittenebene der Linse, und R0Y als Krümmungsradius der Linse, - die zweite Oberfläche definiert ist durch eine Funktion der Form z = − d + PC 2 * x 2 + PC 3 * x 3 , mit d als Dicke der Linse im optischen Zentrum, - wobei die Parameter PB2 und PB3 von Null verschieden sind und - zumindest zwei der Parameter AR2, AR3, PB4, PB6, PC2 und PC3 von Null verschieden sind.
  8. 8
    Optikeinheit nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass - die Parameter AR2 und AR3 von Null verschieden sind und - zumindest zwei der Parameter PB4, PB6, PC2 und PC3 von Null verschieden sind.
  9. 9
    Optikeinheit nach 8, dadurch gekennzeichnet, dass - die Parameter PB4 und PB6 von Null verschieden sind und - zumindest einer der Parameter PC2 und PC3 von Null verschieden ist.
  10. 10
    Optikeinheit nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass beide Parameter PC2 und PC3 von Null verschieden sind.